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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Contact plating | Surface Mount | Number of pins | Material | Housing material | Number of Terminals | Transistor Element Material | Exterior Housing Material | (Select First, Then Apply Filters) Compatible Series | Cable | Capacitance tolerance | Capacitors series | Case | Case - inch | Case - mm | Category | Collector current | Connector | Connector pinout layout | Contact material | Contacts pitch | Drain Current-Max (ID) | Electrical mounting | Full depth | Gate-emitter voltage | Gross weight | Gross Weight | Ihs Manufacturer | Kind of capacitor | Kind of connector | Max. off-state voltage | Mean time between failures | Mechanical mounting | Mounting | Name | Noise Level | Nominal Current | Nominal Voltage | Operating Temperature-Max | Operating Voltage Range | Package Body Material | Package Description | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Pulsed collector current | Relative Humidity | Rohs Code | Rotation Speed | Screening | Semiconductor structure | Spatial orientation | Storage Temperature | Teral type | Terals | Transport Package Size/Quantity | Transport packaging size/quantity | Type of capacitor | Type of connector | Type of module | Operating temperature | Packaging | Series | Part Status | ECCN Code | Connector type | Type | Color | Additional Feature | Capacitance | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Depth | Reach Compliance Code | Current rating | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Reference Standard | JESD-30 Code | Qualification Status | Actuator Type | Dielectric | Panel Cutout Dimensions | Configuration | Operating Mode | Illumination | Case Connection | Topology | Transistor Application | Polarity/Channel Type | Operating temperature range | Operating Temperature Range | Bearing Type | Power Consumption | DS Breakdown Voltage-Min | FET Technology | Requires | Rated voltage | Conductor diameter | 2nd Connector Number of Positions Loaded | Highest Frequency Band | Profile | Saturation Current | Standard | Operating voltage | Height | Width | Plating thickness | Flammability rating |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Mfr. ТипBLF888BAnlielectronics Тип | Ampleon |
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-4
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| Min.:1 Mult.:1 | - | YES | - | - | - | 4 | SILICON | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | AMPLEON NETHERLANDS B V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4 | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | Contact Manufacturer | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | - | unknown | - | NOT SPECIFIED | - | R-CDFM-F4 | - | - | - | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | SWITCHING | N-CHANNEL | - | - | - | - | 104 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BLF888B | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBLF188XRGAnlielectronics Тип | Ampleon |
RF Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | AMPLEON NETHERLANDS B V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | , | - | - | Contact Manufacturer | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | unknown | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BLF188XRG | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBLF10M6LS200Anlielectronics Тип | Ampleon |
RF Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | AMPLEON NETHERLANDS B V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | , | - | - | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | unknown | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BLF10M6LS200 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBLL6H0514-25Anlielectronics Тип | Ampleon |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
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| Min.:1 Mult.:1 | - | YES | - | - | PC, metal shield | 2 | SILICON | 1 | har-button, 30.5mm | 4x2 STP Cat 5e | - | - | - | - | - | 5e | - | - | - | phosphor bronze nickel plated with gold plating | - | 2.5 A | - | 37.8 (mm) | - | 28.65 | - | AMPLEON NETHERLANDS B V | - | - | - | ≥750 cycles | - | - | Shielded Keystone Jack Module | - | - | - | - | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | Contact Manufacturer | - | - | - | - | full shielded | - | - | - | punch down IDC type 110min | - | - | 42*28*18.5/200 | - | - | - | - | Bulk | har-button | Active | EAR99 | RJ45 8P8C 180 degree | Maintained | zinc alloy | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | - | unknown | - | NOT SPECIFIED | - | R-CDFM-F2 | Not Qualified | Pushbutton, Round | - | 30.5mm (Round) | SINGLE | ENHANCEMENT MODE | Non-Illuminated | SOURCE | - | AMPLIFIER | N-CHANNEL | -30...+68 °C | - | - | - | 100 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Contact Block(s) | - | 26-23AWG | - | L BAND | - | - | TIA/ EIA 568A/ 568B ISO/ IEC11801 | - | 16 (mounting part) mm | 14.6; 16.7 (total) mm | - | - | ||
| BLL6H0514-25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBLF888AAnlielectronics Тип | Ampleon |
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-4
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | YES | - | - | - | 4 | SILICON | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | AMPLEON NETHERLANDS B V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4 | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | Contact Manufacturer | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | HIGH RELIABILITY | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | - | unknown | - | NOT SPECIFIED | - | R-CDFM-F4 | Not Qualified | - | - | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | AMPLIFIER | N-CHANNEL | - | - | - | - | 110 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BLF888A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBLP0427M9S20GAnlielectronics Тип | Ampleon |
Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET,
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | gold-plated | YES | 40 | - | - | 2 | SILICON | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | socket | 1x40 | - | 2.54mm | - | THT | - | - | 2.32 g | - | AMPLEON NETHERLANDS B V | - | female | - | - | - | - | - | - | - | - | 225 °C | - | PLASTIC/EPOXY | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Contact Manufacturer | - | - | - | - | - | - | straight | - | - | - | - | - | - | pin strips | - | -40...163°C | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | DUAL | GULL WING | - | - | unknown | 1.5A | - | IEC-60134 | R-PDSO-G2 | - | - | - | - | SINGLE | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | AMPLIFIER | N-CHANNEL | - | - | - | - | 65 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 60V | - | - | S BAND | beryllium copper | - | - | - | - | - | 0.75µm | UL94V-0 | ||
| BLP0427M9S20G | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBLF2425M7L140Anlielectronics Тип | Ampleon |
RF Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | AMPLEON NETHERLANDS B V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | , | - | - | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | unknown | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BLF2425M7L140 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBLF25M612Anlielectronics Тип | Ampleon |
RF Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | AMPLEON NETHERLANDS B V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | , | - | - | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | unknown | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BLF25M612 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBLF7G27LS-140Anlielectronics Тип | Ampleon |
Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | YES | - | - | - | 2 | SILICON | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 28 A | - | - | - | - | - | AMPLEON NETHERLANDS B V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 | RECTANGULAR | FLATPACK | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | - | unknown | - | NOT SPECIFIED | - | R-CDFP-F2 | Not Qualified | - | - | - | SINGLE | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | AMPLIFIER | N-CHANNEL | - | - | - | - | 65 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | S BAND | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BLF7G27LS-140 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBLF6H10LS-160Anlielectronics Тип | Ampleon |
RF Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | AMPLEON NETHERLANDS B V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | , | - | - | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | unknown | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BLF6H10LS-160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBLP7G22-10Anlielectronics Тип | Ampleon |
RF Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ±0.5pF | GCQ | - | 0201 | 0603 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0.03 g | - | AMPLEON NETHERLANDS B V | MLCC | - | - | - | - | SMD | - | - | - | - | - | - | - | , | - | - | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ceramic | - | - | -55...125°C | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | 5.6pF | - | - | 260 | - | unknown | - | 30 | - | - | - | - | C0G (NP0) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3 | - | 50V | - | - | - | - | ||
| BLP7G22-10 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBLF10M6160Anlielectronics Тип | Ampleon |
RF Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | AMPLEON NETHERLANDS B V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | , | - | - | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | unknown | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BLF10M6160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBLF2425M6L180PAnlielectronics Тип | Ampleon |
RF Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | AMPLEON NETHERLANDS B V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | , | - | - | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | unknown | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BLF2425M6L180P | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBLF2425M7LS100Anlielectronics Тип | Ampleon |
RF Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | AMPLEON NETHERLANDS B V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | , | - | - | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | unknown | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BLF2425M7LS100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBLF888DAnlielectronics Тип | Ampleon |
RF Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SEMITRANS3 | - | - | - | 600A | - | - | - | - | - | FASTON connectors, | - | ±20V | 325 g | - | AMPLEON NETHERLANDS B V | - | - | 1.2kV | - | screw | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Contact Manufacturer | 1.8kA | - | Yes | - | - | diode/transistor | - | - | - | - | - | - | - | - | IGBT | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | unknown | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | buck chopper | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | for UPS, | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BLF888D | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBLF178XRAnlielectronics Тип | Ampleon |
RF Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | AMPLEON NETHERLANDS B V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | , | - | - | Contact Manufacturer | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | unknown | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BLF178XR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBLF881Anlielectronics Тип | Ampleon |
Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | YES | - | - | - | 2 | SILICON | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | AMPLEON NETHERLANDS B V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | Contact Manufacturer | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | HIGH RELIABILITY | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | - | unknown | - | NOT SPECIFIED | - | R-CDFM-F2 | Not Qualified | - | - | - | SINGLE | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | AMPLIFIER | N-CHANNEL | - | - | - | - | 104 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BLF881 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBLF7G20LS-90PAnlielectronics Тип | Ampleon |
Description: RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-4
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | YES | - | - | - | 4 | SILICON | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 18 A | - | - | - | - | - | AMPLEON NETHERLANDS B V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | FLATPACK, R-CDFP-F4 | RECTANGULAR | FLATPACK | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | - | unknown | - | NOT SPECIFIED | - | R-CDFP-F4 | Not Qualified | - | - | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | AMPLIFIER | N-CHANNEL | - | - | - | - | 65 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | L BAND | - | NOT APPLICABLE | - | - | - | - | - | - | ||
| BLF7G20LS-90P | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBLF6G21-10GAnlielectronics Тип | Ampleon |
Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | YES | - | PBT (UL94V-0) | - | 2 | SILICON | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 243.20 | AMPLEON NETHERLANDS B V | - | - | - | - | - | - | - | 50.3 dB | 0.6 A | 24 V | - | 18...26.8 V | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Obsolete | - | 15...90 % | - | 2500 rpm | - | - | - | -30...+85 °C | - | wiredmin | 29.8*29.8*16.5/14 | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | DC Squirrel Cage Fan RQU type | - | - | - | DUAL | GULL WING | NOT SPECIFIED | 32 mm | unknown | - | NOT SPECIFIED | - | R-CDSO-G2 | Not Qualified | - | - | - | SINGLE | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | AMPLIFIER | N-CHANNEL | - | -10...+70 °C | S - sleeve | 7.2 W | 65 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | S BAND | - | - | - | - | 120 mm | 120 mm | - | - | ||
| BLF6G21-10G | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBLF7G20LS-200Anlielectronics Тип | Ampleon |
Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | YES | - | - | - | 2 | SILICON | 1 | - | - | ±0.05pF | GCQ | - | 0201 | 0603 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0.03 g | - | AMPLEON NETHERLANDS B V | MLCC | - | - | - | - | SMD | - | - | - | - | - | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | FLATPACK, R-CDFP-F2 | RECTANGULAR | FLATPACK | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ceramic | - | - | -55...125°C | - | - | - | EAR99 | - | - | - | ESD PROTECTED | 3.3pF | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | - | unknown | - | NOT SPECIFIED | - | R-CDFP-F2 | Not Qualified | - | C0G (NP0) | - | SINGLE | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | AMPLIFIER | N-CHANNEL | - | - | - | - | 65 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | L BAND | - | NOT APPLICABLE | - | 50V | - | - | - | - | ||
| BLF7G20LS-200 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ
