Transistors - Special Purpose Products For Sale - PDF - Discrete Semiconductor Products

Изображение	Тип	Марка	Объяснение	Количество	Surface Mount	Number of Terminals	Transistor Element Material	Drain Current-Max (ID)	Ihs Manufacturer	Number of Elements	Package Body Material	Package Description	Package Shape	Package Style	Part Life Cycle Code	Part Package Code	RoHS	Rohs Code	JESD-609 Code	ECCN Code	Terminal Finish	Additional Feature	Terminal Position	Terminal Form	Peak Reflow Temperature (Cel)	Reach Compliance Code	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	Pin Count	JESD-30 Code	Qualification Status	Configuration	Operating Mode	Case Connection	Transistor Application	Polarity/Channel Type	JEDEC-95 Code	Drain-source On Resistance-Max	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	DS Breakdown Voltage-Min	Avalanche Energy Rating (Eas)	FET Technology	Feedback Cap-Max (Crss)	Highest Frequency Band	Power Gain-Min (Gp)
	Mfr. Тип 2SC1280AS-K Anlielectronics Тип	NEC Electronics Group	- Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SC1280AS-K NEC Electronics Group RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип 2SK3639-ZK Anlielectronics Тип	NEC Electronics America Inc	Small Signal Field-Effect Transistor, 64A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AB, MP-3ZK, 3 PIN Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	YES	2	SILICON	64 A	NEC ELECTRONICS AMERICA INC	1	PLASTIC/EPOXY	MP-3ZK, 3 PIN	RECTANGULAR	SMALL OUTLINE	Obsolete	-	-	No	e0	EAR99	TIN LEAD	-	SINGLE	GULL WING	-	compliant	-	-	R-PSSO-G2	Not Qualified	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	ENHANCEMENT MODE	DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL	TO-252AB	0.0085 Ω	-	20 V	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	-	-
2SK3639-ZK NEC Electronics America Inc RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип UPA2450 Anlielectronics Тип	NEC	- Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Non-Compliant	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
UPA2450 NEC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип 2SJ356PR Anlielectronics Тип	NEC	Contact for details Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Non-Compliant	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SJ356PR NEC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип 2SK1748-Z-T1 Anlielectronics Тип	NEC	- Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Non-Compliant	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SK1748-Z-T1 NEC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип 2SJ603-ZJ Anlielectronics Тип	NEC	- Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Non-Compliant	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SJ603-ZJ NEC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип UPA1900TE Anlielectronics Тип	NEC	5500 Ma 20 V N-channel Si Small Signal Mosfet Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Non-Compliant	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
UPA1900TE NEC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип 2SK2941-ZJ-E1 Anlielectronics Тип	NEC Electronics Group	- Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SK2941-ZJ-E1 NEC Electronics Group RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип UPA2702TP-AZ Anlielectronics Тип	NEC Electronics Group	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0172ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, HSOP-8 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	YES	8	SILICON	35 A	NEC ELECTRONICS CORP	1	PLASTIC/EPOXY	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	RECTANGULAR	SMALL OUTLINE	Transferred	SOT	-	-	e6	EAR99	TIN BISMUTH	-	DUAL	GULL WING	NOT SPECIFIED	unknown	NOT SPECIFIED	8	R-PDSO-G8	Not Qualified	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	ENHANCEMENT MODE	-	SWITCHING	N-CHANNEL	-	0.0172 Ω	65 A	30 V	25.6 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	-	-
UPA2702TP-AZ NEC Electronics Group RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип NE25139U74 Anlielectronics Тип	NEC Electronics America Inc	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, SOT-143, 4 PIN Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	YES	4	GALLIUM ARSENIDE	-	NEC ELECTRONICS AMERICA INC	1	PLASTIC/EPOXY	SOT-143, 4 PIN	RECTANGULAR	SMALL OUTLINE	Obsolete	-	-	-	-	EAR99	-	LOW NOISE	DUAL	GULL WING	-	unknown	-	-	R-PDSO-G4	Not Qualified	SINGLE	DEPLETION MODE	SOURCE	AMPLIFIER	N-CHANNEL	-	-	-	13 V	-	METAL SEMICONDUCTOR	0.03 pF	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	16 dB
NE25139U74 NEC Electronics America Inc RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип NP82N055CLE Anlielectronics Тип	NEC Electronics Group	Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	NO	3	SILICON	82 A	NEC ELECTRONICS CORP	1	PLASTIC/EPOXY	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	RECTANGULAR	FLANGE MOUNT	Transferred	TO-220AB	-	No	e0	EAR99	TIN LEAD	-	SINGLE	THROUGH-HOLE	-	compliant	-	3	R-PSFM-T3	Not Qualified	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	ENHANCEMENT MODE	DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL	TO-220AB	0.012 Ω	300 A	55 V	289 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	-	-
NP82N055CLE NEC Electronics Group RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип 2SA733-T-A(Q1E) Anlielectronics Тип	NEC Electronics Group	- Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SA733-T-A(Q1E) NEC Electronics Group RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип 2SK3405-ZJ Anlielectronics Тип	NEC Electronics Group	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	YES	2	SILICON	48 A	NEC ELECTRONICS CORP	1	PLASTIC/EPOXY	MP-25ZJ, 3 PIN	RECTANGULAR	SMALL OUTLINE	Obsolete	D2PAK	-	No	e0	EAR99	TIN LEAD	-	SINGLE	GULL WING	-	compliant	-	3	R-PSSO-G2	Not Qualified	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	ENHANCEMENT MODE	DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL	TO-263AB	0.014 Ω	192 A	20 V	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	-	-
2SK3405-ZJ NEC Electronics Group RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип 2SK3511-Z Anlielectronics Тип	NEC Electronics Group	Description: Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 75V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	YES	2	SILICON	83 A	NEC ELECTRONICS CORP	1	PLASTIC/EPOXY	MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN	RECTANGULAR	SMALL OUTLINE	Obsolete	TO-220	-	No	e0	EAR99	TIN LEAD	-	SINGLE	GULL WING	-	compliant	-	3	R-PSSO-G2	Not Qualified	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	ENHANCEMENT MODE	DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL	-	0.0125 Ω	260 A	75 V	250 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	-	-
2SK3511-Z NEC Electronics Group RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип 2SK3224 Anlielectronics Тип	NEC Electronics Group	Small Signal Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, MP-3, 3 PIN Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	NO	3	SILICON	20 A	NEC ELECTRONICS CORP	1	PLASTIC/EPOXY	MP-3, 3 PIN	RECTANGULAR	IN-LINE	Obsolete	TO-251	-	No	e0	EAR99	TIN LEAD	-	SINGLE	THROUGH-HOLE	-	compliant	-	3	R-PSIP-T3	Not Qualified	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	ENHANCEMENT MODE	DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL	TO-251AA	0.06 Ω	-	60 V	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	-	-
2SK3224 NEC Electronics Group RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип UPD65640GC-175-7EA Anlielectronics Тип	NEC Electronics Group	- Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
UPD65640GC-175-7EA NEC Electronics Group RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип 2SK2412-AZ(K) Anlielectronics Тип	NEC Electronics Group	- Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SK2412-AZ(K) NEC Electronics Group RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип NE5500134-T1-AZ Anlielectronics Тип	NEC Electronics Group	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	YES	3	SILICON	0.5 A	NEC ELECTRONICS CORP	1	PLASTIC/EPOXY	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	RECTANGULAR	SMALL OUTLINE	Transferred	-	-	Yes	e6	EAR99	TIN BISMUTH	-	SINGLE	FLAT	-	compliant	-	3	R-PSSO-F3	Not Qualified	SINGLE	ENHANCEMENT MODE	SOURCE	AMPLIFIER	N-CHANNEL	-	-	-	20 V	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	-	-
NE5500134-T1-AZ NEC Electronics Group RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип UPA1850GR-9JG Anlielectronics Тип	NEC Electronics Group	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 12V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, TSSOP-8 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	YES	8	SILICON	2.5 A	NEC ELECTRONICS CORP	1	PLASTIC/EPOXY	POWER, TSSOP-8	RECTANGULAR	SMALL OUTLINE	Obsolete	TSSOP	-	No	e0	EAR99	TIN LEAD	-	DUAL	GULL WING	-	compliant	-	8	R-PDSO-G8	Not Qualified	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	ENHANCEMENT MODE	-	SWITCHING	P-CHANNEL	-	0.2 Ω	10 A	12 V	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	-	-
UPA1850GR-9JG NEC Electronics Group RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип 2SJ602-Z Anlielectronics Тип	NEC Electronics Group	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.107ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	YES	2	SILICON	20 A	NEC ELECTRONICS CORP	1	PLASTIC/EPOXY	MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN	RECTANGULAR	SMALL OUTLINE	Obsolete	TO-220	-	No	e0	EAR99	TIN LEAD	-	SINGLE	GULL WING	-	compliant	-	3	R-PSSO-G2	Not Qualified	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	ENHANCEMENT MODE	DRAIN	SWITCHING	P-CHANNEL	-	0.107 Ω	50 A	60 V	40 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	-	-
2SJ602-Z NEC Electronics Group RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -

Discrete Semiconductor Products

Transistors - Special Purpose definition: Transistors - Special Purpose Product Listing: 2SC1280AS-K,2SK3639-ZK,UPA2450,2SJ356PR,2SK1748-Z-T1.Discrete Semiconductor Products type:Diodes - Zener - Single(113610),Diodes - Rectifiers - Single(97769),Transistors - FETs, MOSFETs - Single(61202),Transistors - Bipolar (BJT) - Single(34518),Diodes - Rectifiers - Arrays(17034) .Transistors - Special Purpose has 135 pieces of spot stock price information, you can click the "RFQ" button to confirm the inventory and price with the Anli.

Индекс :

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

Локаль

Язык

Валюта

Здравствуйте, добро пожаловать в ANLI

Anlielectronics

Локаль

Язык

Валюта

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Discrete Semiconductor Products