
- Все продукты
- /
- Discrete Semiconductor Products
- /
- Transistors - Special Purpose
Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Surface Mount | Drain Current-Max (ID) | Ihs Manufacturer | Number of Elements | Operating Temperature-Max | Package Description | Part Life Cycle Code | Transition Frequency-Nom (fT) | ECCN Code | Reach Compliance Code | Configuration | Polarity/Channel Type | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Collector Current-Max (IC) | DC Current Gain-Min (hFE) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Mfr. ТипH2N7002KAnlielectronics Тип | HSMC Corporation |
Small Signal Field-Effect Transistor
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | HSMC CORP | - | - | , | Obsolete | - | EAR99 | unknown | - | - | - | - | - | - | |||
H2N7002K | ||||||||||||||||||||||
Mfr. ТипHMBT2484Anlielectronics Тип | HSMC Corporation |
Description: Transistor
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | YES | - | HSMC CORP | 1 | 150 °C | , | Obsolete | - | EAR99 | unknown | SINGLE | NPN | - | 0.225 W | 0.05 A | 250 | |||
HMBT2484 | ||||||||||||||||||||||
Mfr. ТипH12N60FAnlielectronics Тип | HSMC Corporation |
Power Field-Effect Transistor
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | HSMC CORP | - | - | , | Obsolete | - | EAR99 | unknown | - | - | - | - | - | - | |||
H12N60F | ||||||||||||||||||||||
Mfr. ТипHE8051DAnlielectronics Тип | HSMC Corporation |
Transistor
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | NO | - | HSMC CORP | 1 | 150 °C | , | Obsolete | 100 MHz | EAR99 | unknown | SINGLE | NPN | - | 1 W | 1.5 A | 160 | |||
HE8051D | ||||||||||||||||||||||
Mfr. ТипH2N7002KSNAnlielectronics Тип | HSMC Corporation |
Small Signal Field-Effect Transistor
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | HSMC CORP | - | - | , | Obsolete | - | EAR99 | unknown | - | - | - | - | - | - | |||
H2N7002KSN | ||||||||||||||||||||||
Mfr. ТипH2N7002Anlielectronics Тип | HSMC Corporation |
Description: Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | YES | 0.2 A | HSMC CORP | 1 | 150 °C | , | Obsolete | - | EAR99 | unknown | SINGLE | N-CHANNEL | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 0.2 W | - | - | |||
H2N7002 | ||||||||||||||||||||||
Mfr. ТипH02N60EAnlielectronics Тип | HSMC Corporation |
Transistor
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | HSMC CORP | - | - | , | Obsolete | - | EAR99 | unknown | - | - | - | - | - | - | |||
H02N60E | ||||||||||||||||||||||
Mfr. ТипHMBT5089Anlielectronics Тип | HSMC Corporation |
Transistor
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | YES | - | HSMC CORP | 1 | 150 °C | , | Obsolete | 50 MHz | EAR99 | unknown | SINGLE | NPN | - | 0.225 W | 0.05 A | 400 | |||
HMBT5089 | ||||||||||||||||||||||
Mfr. ТипHMJE13009AAnlielectronics Тип | HSMC Corporation |
Transistor
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | HSMC CORP | - | - | , | Obsolete | - | EAR99 | unknown | - | - | - | - | - | - | |||
HMJE13009A | ||||||||||||||||||||||
Mfr. ТипHBC857BAnlielectronics Тип | HSMC Corporation |
Transistor
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | YES | - | HSMC CORP | 1 | 150 °C | , | Obsolete | - | EAR99 | unknown | SINGLE | PNP | - | 0.225 W | 0.1 A | 200 | |||
HBC857B | ||||||||||||||||||||||
Mfr. ТипH2N7002SNAnlielectronics Тип | HSMC Corporation |
Transistor
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | HSMC CORP | - | - | , | Obsolete | - | EAR99 | unknown | - | - | - | - | - | - | |||
H2N7002SN |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ