Laser Diodes, Modules Products For Sale - PDF - Optoelectronics -Page9

Все продукты
/
Optoelectronics
/
Laser Diodes, Modules

Изображение	Тип	Марка	Объяснение	Количество	Surface Mount	Mounting Feature	Shape	Semiconductor Material	Body size	Capacitance tolerance	Capacitors series	Case - inch	Case - mm	Connector Type RM	Contact diameter	Gross weight	Ihs Manufacturer	Kind of capacitor	Maximum contact current	Mounting	Operating Temperature-Max	Operating Temperature-Min	Output Power-Nom	Package Description	Part Life Cycle Code	Protection class	Rohs Code	Type of capacitor	Operating temperature	JESD-609 Code	Pbfree Code	Terminal Finish	Additional Feature	Capacitance	Number of Functions	Reach Compliance Code	Number of contacts	Dielectric	Configuration	Optoelectronic Device Type	Size	Operating temperature range	Forward Current-Max	Frequency range	Forward Voltage-Max	Peak Wavelength	Response Time-Max	Spectral Bandwidth	Operating voltage	Threshold Current-Max
	Mfr. Тип RLD-65MC Anlielectronics Тип	ROHM Semiconductor	Laser Diode, 655nm Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	NO	THROUGH HOLE MOUNT	ROUND	-	-	-	-	-	-	-	-	-	ROHM CO LTD	-	-	-	70 °C	-10 °C	7 mW	-	Active	-	Yes	-	-	e1	Yes	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	-	1	compliant	-	-	SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE	LASER DIODE	1 mm	-	0.08 A	-	2.8 V	655 nm	-	-	-	40 mA
RLD-65MC ROHM Semiconductor RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип DL-3149-057 Anlielectronics Тип	onsemi	LASER DIODE W/MONITOR,670NM PEAK WAVELENGTH,CAN-5.6 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	NO	THROUGH HOLE MOUNT	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	ON SEMICONDUCTOR	-	-	-	60 °C	-10 °C	-	-	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	compliant	-	-	-	LASER DIODE	-	-	0.045 A	-	2.6 V	670 nm	-	-	-	-
DL-3149-057 onsemi RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип SG2003 Anlielectronics Тип	SGS Thomson	- Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SG2003 SGS Thomson RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип SG2003 Anlielectronics Тип	Intersil Corporation	SG2003 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	NO	THROUGH HOLE MOUNT	-	GaAs	-	-	-	-	-	-	-	-	HARRIS SEMICONDUCTOR	-	-	-	75 °C	-55 °C	-	-	Obsolete	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	unknown	-	-	-	LASER DIODE	-	-	25 A	-	6.5 V	904 nm	1e-9 s	3.5 m	-	-
SG2003 Intersil Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип SG2004 Anlielectronics Тип	Intersil Corporation	SG2004 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	NO	THROUGH HOLE MOUNT	-	GaAs	-	-	-	-	-	-	-	-	HARRIS SEMICONDUCTOR	-	-	-	75 °C	-55 °C	-	-	Obsolete	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	unknown	-	-	-	LASER DIODE	-	-	25 A	-	6.5 V	904 nm	1e-9 s	3.5 m	-	-
SG2004 Intersil Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип SG2004 Anlielectronics Тип	Harris Semiconductor	Laser Diode, 904nm Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	NO	THROUGH HOLE MOUNT	-	GaAs	-	-	-	-	-	-	-	-	HARRIS SEMICONDUCTOR	-	-	-	75 °C	-55 °C	-	-	Obsolete	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	unknown	-	-	-	LASER DIODE	-	-	25 A	-	6.5 V	904 nm	1e-9 s	3.5 m	-	-
SG2004 Harris Semiconductor RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип DL-3144-008S Anlielectronics Тип	onsemi	LASER DIODE W/MONITOR,785NM PEAK WAVELENGTH,CAN-5.6 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	NO	THROUGH HOLE MOUNT	-	GaAs	-	-	-	-	-	-	-	-	ON SEMICONDUCTOR	-	-	-	60 °C	-10 °C	-	-	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	compliant	-	-	-	LASER DIODE	-	-	0.055 A	-	-	785 nm	-	-	-	-
DL-3144-008S onsemi RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип DL-3144-008S Anlielectronics Тип	SANYO Electric Co Ltd	Laser Diode, 785nm Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	NO	THROUGH HOLE MOUNT	ROUND	GaAs	-	-	-	-	-	-	-	-	SANYO ELECTRIC CO LTD	-	-	-	60 °C	-10 °C	8 mW	-	Obsolete	-	-	-	-	-	-	-	-	-	1	unknown	-	-	SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE	LASER DIODE	1 mm	-	0.055 A	-	-	785 nm	-	-	-	40 mA
DL-3144-008S SANYO Electric Co Ltd RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип ML101J22 Anlielectronics Тип	Mitsubishi Electric	Laser Diode, 658nm Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	NO	THROUGH HOLE MOUNT	-	AlGaInP	-	-	-	-	-	-	-	-	MITSUBISHI ELECTRIC CORP	-	-	-	75 °C	-10 °C	-	-	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	unknown	-	-	-	LASER DIODE	-	-	-	-	3 V	658 nm	-	-	-	-
ML101J22 Mitsubishi Electric RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип SPLPL90 Anlielectronics Тип	Siemens	Description: Laser Diode, 904nm Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	ROUND	-	27	±0.05pF	GCQ	0201	0603	Unshielded cable socket	1.5 mm	0.03 g	SIEMENS A G	MLCC	7 A	SMD	85 °C	-20 °C	-	-	Obsolete	IP54	-	ceramic	-55...125°C	-	-	-	-	2pF	1	unknown	19	C0G (NP0)	SINGLE	LASER DIODE	4.95 mm	-60...+150 °C	-	up to 3 MHz	-	904 nm	-	-	≤560 V	-
SPLPL90 Siemens RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип RLD65MQX1 Anlielectronics Тип	ROHM Semiconductor	Description: Laser Diode, Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	NO	RADIAL MOUNT	ROUND	-	-	-	-	-	-	-	-	-	ROHM CO LTD	-	-	-	70 °C	-10 °C	10 mW	-	Obsolete	-	Yes	-	-	-	-	-	-	-	1	compliant	-	-	SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE	LASER DIODE	0.5 mm	-	0.05 A	-	2.8 V	660 nm	-	-	-	40 mA
RLD65MQX1 ROHM Semiconductor RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип ML101J23 Anlielectronics Тип	Mitsubishi Electric	Description: Laser Diode, 658nm Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	NO	THROUGH HOLE MOUNT	ROUND	AlGaInP	-	-	-	-	-	-	-	-	MITSUBISHI ELECTRIC CORP	-	-	-	75 °C	-10 °C	100 mW	-	Obsolete	-	-	-	-	-	-	-	HIGH RELIABILITY	-	1	unknown	-	-	SINGLE	LASER DIODE	1.6 mm	-	-	-	3 V	658 nm	-	-	-	-
ML101J23 Mitsubishi Electric RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип RLD65PZB5 Anlielectronics Тип	ROHM Semiconductor	Description: Laser Diode, 658nm, Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	NO	THROUGH HOLE MOUNT	ROUND	-	-	-	-	-	-	-	-	-	ROHM CO LTD	-	-	-	70 °C	-10 °C	-	-	Obsolete	-	Yes	-	-	e1	Yes	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	-	1	compliant	-	-	SINGLE	LASER DIODE	1.6 mm	-	0.2 A	-	3.2 V	658 nm	-	-	-	75 mA
RLD65PZB5 ROHM Semiconductor RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип ML101J25 Anlielectronics Тип	Mitsubishi Electric	Laser Diode, 658nm Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	NO	THROUGH HOLE MOUNT	ROUND	AlGaInP	-	-	-	-	-	-	-	-	MITSUBISHI ELECTRIC CORP	-	-	-	75 °C	-10 °C	100 mW	-	Obsolete	-	-	-	-	-	-	-	HIGH RELIABILITY	-	1	unknown	-	-	SINGLE	LASER DIODE	1.6 mm	-	-	-	3 V	658 nm	-	-	-	-
ML101J25 Mitsubishi Electric RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип RLD-65PC Anlielectronics Тип	ROHM Semiconductor	Laser Diode, 655nm, Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	NO	THROUGH HOLE MOUNT	ROUND	-	-	-	-	-	-	-	-	-	ROHM CO LTD	-	-	-	70 °C	-10 °C	7 mW	-	Active	-	Yes	-	-	e1	Yes	TIN SILVER COPPER	-	-	1	compliant	-	-	SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE	LASER DIODE	1 mm	-	0.08 A	-	2.8 V	655 nm	-	-	-	40 mA
RLD-65PC ROHM Semiconductor RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип DL-4146-101S Anlielectronics Тип	SANYO Electric Co Ltd	Description: Laser Diode, 405nm Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	ROUND	-	-	-	-	-	-	-	-	-	SANYO ELECTRIC CO LTD	-	-	-	75 °C	-	20 mW	-	Obsolete	-	-	-	-	-	-	-	-	-	1	unknown	-	-	SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE	LASER DIODE	3.55 mm	-	-	-	-	405 nm	-	-	-	50 mA
DL-4146-101S SANYO Electric Co Ltd RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип BXP3N1KF Anlielectronics Тип	Bridgelux Inc	- Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BXP3N1KF Bridgelux Inc RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип SPLBG94-2S Anlielectronics Тип	OSRAM GmbH	932 nm, LASER DIODE, ROHS COMPLIANT PACKAGE Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH	-	-	-	-	-	60000 mW	ROHS COMPLIANT PACKAGE	Obsolete	-	-	-	-	-	-	-	HIGH RELIABILITY	-	1	unknown	-	-	SINGLE	LASER DIODE	-	-	-	-	-	932 nm	-	-	-	15000 mA
SPLBG94-2S OSRAM GmbH RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип RLD2WMFR1 Anlielectronics Тип	ROHM Semiconductor	Laser Diode Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	ROHM CO LTD	-	-	-	-	-	-	-	Obsolete	-	Yes	-	-	-	-	-	-	-	-	compliant	-	-	-	LASER DIODE	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
RLD2WMFR1 ROHM Semiconductor RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип SLD105VL Anlielectronics Тип	Sony Semiconductor	Laser Diode, 790nm, M-260, 3 PIN Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	NO	THROUGH HOLE MOUNT	ROUND	GaAlAs	-	-	-	-	-	-	-	-	SONY CORP	-	-	-	60 °C	-10 °C	2.5 mW	M-260, 3 PIN	Obsolete	-	-	-	-	-	-	-	-	-	1	unknown	-	-	SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE	LASER DIODE	3.7 mm	-	0.044 A	-	2.5 V	790 nm	-	-	-	41 mA
SLD105VL Sony Semiconductor RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -

Optoelectronics

Laser Diodes, Modules definition: Laser Diodes, Modules Product Listing: RLD-65MC,DL-3149-057,SG2003,SG2003,SG2004.Optoelectronics type:Accessories(212224),Panel Indicators, Pilot Lights(91868),Lamps - Incandescents, Neons(89745),LED Lighting - White(77700),LEDs - Lamp Replacements(55360) .Laser Diodes, Modules has 1104 pieces of spot stock price information, you can click the "RFQ" button to confirm the inventory and price with the Anli.

Индекс :

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

Локаль

Язык

Валюта

Здравствуйте, добро пожаловать в ANLI

Anlielectronics

Локаль

Язык

Валюта

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Optoelectronics