[email protected]

Локаль

Язык

  • English
  • русский

Валюта

  • CNY-¥
  • RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
Классификация Марка Марка О Anli Запрос цены
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
[email protected]
Изображение Тип Марка Объяснение Установленная цена Количество RoHS Mounting Type Package / Case Supplier Device Package Brand Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Current-Collector (Ic) (Max) DC Collector/Base Gain hfe Min DC Current Gain hFE Max Emitter- Base Voltage VEBO Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity Gain Bandwidth Product fT Gi IO(mA) Manufacturer Maximum DC Collector Current Maximum Operating Temperature Mfr Minimum Operating Temperature Mounting Styles Package Part # Aliases Pd - Power Dissipation Product Status Qualification R1(KΩ) RoHS Transistor Polarity VCC(V) VO(on)(V) Operating Temperature Packaging Series Subcategory Technology Polarity Configuration Power - Max Product Type Transistor Type DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce Current - Collector Cutoff (Max) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) Frequency - Transition Collector Base Voltage (VCBO) Continuous Collector Current Product Category
Microchip Technology JANTXV2N5794UC/TR
Mfr. Тип
JANTXV2N5794UC/TR
Anlielectronics Тип

Microchip Technology
TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
Сборник данных Сравнение
    Min.:1
    Mult.:1
    		 Surface Mount 6-SMD, No Lead 6-SMD Microchip / Microsemi - - 600mA - - - 1 - - - Microchip - - Microchip Technology - - Tape & Reel (TR) - - Active - - N - - - -65°C ~ 200°C (TJ) Bulk Military, MIL-PRF-19500/495 Transistors - - - 600mW BJTs - Bipolar Transistors 2 NPN (Dual) 100 @ 150mA, 10V 10μA (ICBO) 900mV @ 30mA, 300mA 40V - - - Bipolar Transistors - BJT
    JANTXV2N5794UC/TR
    JANTXV2N5794UC/TR

    Microchip Technology
    RoHS :
    Инкапсуляция : -
    Есть складские запасы : -
    1 : -
    Microchip Technology JANKCA2N3810
    Mfr. Тип
    JANKCA2N3810
    Anlielectronics Тип

    		Microchip Technology
    TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
    Сборник данных Сравнение
      Min.:1
      Mult.:1
      		 Through Hole TO-78-6 Metal Can TO-78-6 Microchip / Microsemi - - 30mA - - - 1 - - - Microchip - - Microchip Technology - - Tape & Reel (TR) - - Active - - N - - - -65°C ~ 200°C (TJ) Bulk Military, MIL-PRF-19500/336 Transistors - - - 350mW BJTs - Bipolar Transistors 2 NPN (Dual) 150 @ 1mA, 5V 10μA (ICBO) 250mV @ 100μA, 1mA 60V - - - Bipolar Transistors - BJT
      JANKCA2N3810
      JANKCA2N3810

      Microchip Technology
      RoHS :
      Инкапсуляция : -
      Есть складские запасы : -
      1 : -
      Microchip Technology JANTXV2N2945AUB/TR
      Mfr. Тип
      JANTXV2N2945AUB/TR
      Anlielectronics Тип

      		Microchip Technology
      TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
      Сборник данных Сравнение
        Min.:1
        Mult.:1
        		 Surface Mount 4-SMD, No Lead UB Microchip / Microsemi - - - - - - 1 - - - Microchip - - Microchip Technology - - Tape & Reel (TR) - - Active - - N - - - -65°C ~ 200°C (TJ) Bulk Military, MIL-PRF-19500/382 Transistors Si - - - BJTs - Bipolar Transistors PNP 70 @ 1mA, 500mV 10μA (ICBO) - - - - - Bipolar Transistors - BJT
        JANTXV2N2945AUB/TR
        JANTXV2N2945AUB/TR

        Microchip Technology
        RoHS :
        Инкапсуляция : -
        Есть складские запасы : -
        1 : -
        onsemi NST4617MX2T5G
        Mfr. Тип
        NST4617MX2T5G
        Anlielectronics Тип

        		onsemi
        SS SOT883 GP XSTR 120V
        Сборник данных Сравнение
          Min.:1
          Mult.:1
          		 - X2DFN-3 - onsemi 50 V 80 mV - 120 - 5 V 8000 112 MHz - - onsemi 100 mA + 150 C onsemi - 55 C SMD/SMT Tape & Reel (TR) - 166 mW Active - - Details NPN - - - MouseReel * Transistors Si - Single - BJTs - Bipolar Transistors - - - - - - 50 V - Bipolar Transistors - BJT
          NST4617MX2T5G
          NST4617MX2T5G

          onsemi
          RoHS :
          Инкапсуляция : -
          Есть складские запасы : -
          1 : -
          Microchip Technology MNS2N3810UP/TR
          Mfr. Тип
          MNS2N3810UP/TR
          Anlielectronics Тип

          		Microchip Technology
          DUAL SMALL-SIGNAL BJT
          Сборник данных Сравнение
            Min.:1
            Mult.:1
            		 Through Hole TO-78-6 Metal Can TO-78-6 Microchip Technology - - 50mA - - - 1 - - - Microchip - - Microchip Technology - - Bulk - - Active - - - - - - -65°C ~ 200°C (TJ) - Military, MIL-PRF-19500/336 Transistors - - - 350mW BJTs - Bipolar Transistors 2 PNP (Dual) 150 @ 1mA, 5V 10μA (ICBO) 250mV @ 100μA, 1mA 60V - - - Bipolar Transistors - BJT
            MNS2N3810UP/TR
            MNS2N3810UP/TR

            Microchip Technology
            RoHS :
            Инкапсуляция : -
            Есть складские запасы : -
            1 : -
            onsemi NSV60101DMR6T2G
            Mfr. Тип
            NSV60101DMR6T2G
            Anlielectronics Тип

            		onsemi
            60V 1A DUAL NPN LOW VCE(SAT) IN
            Сборник данных Сравнение
              Min.:1
              Mult.:1
              		 Surface Mount SC-74, SOT-457 SC-74 onsemi - - 1A - - - 3000 - - - onsemi - - onsemi - - Tape & Reel (TR) - - Active AEC-Q101 - - - - - -55°C ~ 150°C (TJ) Cut Tape Automotive, AEC-Q101 Transistors - - - 400mW BJTs - Bipolar Transistors 2 NPN (Dual) 250 @ 100mA, 5V 100nA (ICBO) 250mV @ 50mA, 1A 60V 200MHz - - Bipolar Transistors - BJT
              NSV60101DMR6T2G
              NSV60101DMR6T2G

              onsemi
              RoHS :
              Инкапсуляция : -
              Есть складские запасы : -
              1 : -
              Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-Y,LXHF
              Mfr. Тип
              HN1B04FU-Y,LXHF
              Anlielectronics Тип

              		Toshiba Semiconductor and Storage
              AUTO AEC-Q PNP NPN TR VCEO:-50
              Сборник данных Сравнение
                Min.:1
                Mult.:1
                		 Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 US6 Toshiba 50 V 100 mV 150mA 120 at 2 mA, 6 V 400 at 2 mA, 6 V 5 V, 60 V 3000 120 MHz, 150 MHz - - Toshiba - - Toshiba Semiconductor and Storage - SMD/SMT - HN1B04FU-Y,LXHF(B 200 mW Active AEC-Q200 - Details NPN, PNP - - - MouseReel - Transistors Si - Dual 200mW BJTs - Bipolar Transistors NPN, PNP 120 @ 2mA, 6V 100nA (ICBO) 250mV @ 10mA, 100mA, 300mV @ 10mA, 100mA 50V 150MHz, 120MHz 50 V 150 mA Bipolar Transistors - BJT
                HN1B04FU-Y,LXHF
                HN1B04FU-Y,LXHF

                Toshiba Semiconductor and Storage
                RoHS :
                Инкапсуляция : -
                Есть складские запасы : -
                1 : -
                Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-GR,LXHF
                Mfr. Тип
                HN1B04FE-GR,LXHF
                Anlielectronics Тип

                		Toshiba Semiconductor and Storage
                AUTO AEC-Q PNP NPN TR VCEO:-50
                Сборник данных Сравнение
                  Min.:1
                  Mult.:1
                  		 Surface Mount SOT-563, SOT-666 ES6 Toshiba 50 V 100 mV 150mA 120 at 2 mA, 6 V 400 at 2 mA, 6 V 5 V 4000 80 MHz - - Toshiba - + 150 C Toshiba Semiconductor and Storage - SMD/SMT - HN1B04FE-GR,LXHF(B 100 mW Active AEC-Q200 - Details NPN, PNP - - 150°C (TJ) MouseReel - Transistors Si - Dual 100mW BJTs - Bipolar Transistors NPN, PNP 200 @ 2mA, 6V 100nA (ICBO) 250mV @ 10mA, 100mA, 300mV @ 10mA, 100mA 50V 80MHz 50 V 150 mA Bipolar Transistors - BJT
                  HN1B04FE-GR,LXHF
                  HN1B04FE-GR,LXHF

                  Toshiba Semiconductor and Storage
                  RoHS :
                  Инкапсуляция : -
                  Есть складские запасы : -
                  1 : -
                  Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-Y,LXHF
                  Mfr. Тип
                  HN1C01FU-Y,LXHF
                  Anlielectronics Тип

                  		Toshiba Semiconductor and Storage
                  AUTO AEC-Q NPN NPN TR VCEO:50V
                  Сборник данных Сравнение
                    Min.:1
                    Mult.:1
                    		 Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 US6 Toshiba 50 V 100 mV 150mA 120 at 2 mA, 6 V 400 at 2 mA, 6 V 5 V 3000 80 MHz - - Toshiba - + 125 C Toshiba Semiconductor and Storage - SMD/SMT - HN1C01FU-Y,LXHF(B 200 mW Active AEC-Q200 - Details NPN - - - MouseReel - Transistors Si - Dual 200mW BJTs - Bipolar Transistors 2 NPN (Dual) 120 @ 2mA, 6V 100nA (ICBO) 250mV @ 10mA, 100mA 50V 80MHz 60 V 150 mA Bipolar Transistors - BJT
                    HN1C01FU-Y,LXHF
                    HN1C01FU-Y,LXHF

                    Toshiba Semiconductor and Storage
                    RoHS :
                    Инкапсуляция : -
                    Есть складские запасы : -
                    1 : -
                    Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-GR,LXHF
                    Mfr. Тип
                    HN1B04FU-GR,LXHF
                    Anlielectronics Тип

                    		Toshiba Semiconductor and Storage
                    AUTO AEC-Q PNP NPN TR VCEO:-50
                    Сборник данных Сравнение
                      Min.:1
                      Mult.:1
                      		 Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 US6 Toshiba 50 V 100 mV 150mA 120 at 2 mA, 6 V 400 at 2 mA, 6 V 5 V, 60 V 3000 120 MHz, 150 MHz - - Toshiba - - Toshiba Semiconductor and Storage - SMD/SMT - HN1B04FU-GR,LXHF(B 200 mW Active AEC-Q200 - Details NPN, PNP - - - MouseReel - Transistors Si - Dual 200mW BJTs - Bipolar Transistors NPN, PNP 200 @ 2mA, 6V 100nA (ICBO) 250mV @ 10mA, 100mA, 300mV @ 10mA, 100mA 50V 150MHz, 120MHz 50 V 150 mA Bipolar Transistors - BJT
                      HN1B04FU-GR,LXHF
                      HN1B04FU-GR,LXHF

                      Toshiba Semiconductor and Storage
                      RoHS :
                      Инкапсуляция : -
                      Есть складские запасы : -
                      1 : -
                      onsemi SST45011MW6T1G
                      Mfr. Тип
                      SST45011MW6T1G
                      Anlielectronics Тип

                      		onsemi
                      DUAL MATCHED NPN XSTR 45V
                      Сборник данных Сравнение
                        Min.:1
                        Mult.:1
                        		 - - - - - - - - - - - - - - - - - onsemi - - - - - Active - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
                        SST45011MW6T1G
                        SST45011MW6T1G

                        onsemi
                        RoHS :
                        Инкапсуляция : -
                        Есть складские запасы : -
                        1 : -
                        Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-GR,LXHF
                        Mfr. Тип
                        HN1C01FE-GR,LXHF
                        Anlielectronics Тип

                        		Toshiba Semiconductor and Storage
                        AUTO AEC-Q NPN NPN TR VCEO:50V
                        Сборник данных Сравнение
                          Min.:1
                          Mult.:1
                          		 Surface Mount SOT-563, SOT-666 ES6 Toshiba 50 V 100 mV 150mA 120 at 2 mA, 6 V 400 at 2 mA, 6 V 5 V 4000 80 MHz - - Toshiba - + 150 C Toshiba Semiconductor and Storage - SMD/SMT - HN1C01FE-GR,LXHF(B 100 mW Active AEC-Q200 - Details NPN - - 150°C (TJ) MouseReel Automotive, AEC-Q101 Transistors Si - Single 100mW BJTs - Bipolar Transistors 2 NPN (Dual) 200 @ 2mA, 6V 100nA (ICBO) 250mV @ 10mA, 100mA 50V 80MHz 60 V 150 mA Bipolar Transistors - BJT
                          HN1C01FE-GR,LXHF
                          HN1C01FE-GR,LXHF

                          Toshiba Semiconductor and Storage
                          RoHS :
                          Инкапсуляция : -
                          Есть складские запасы : -
                          1 : -
                          Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE-Y,LXHF
                          Mfr. Тип
                          HN1A01FE-Y,LXHF
                          Anlielectronics Тип

                          		Toshiba Semiconductor and Storage
                          AUTO AEC-Q PNP PNP TR VCEO:-50
                          Сборник данных Сравнение
                            Min.:1
                            Mult.:1
                            		 Surface Mount SOT-563, SOT-666 ES6 Toshiba 50 V 100 mV 150mA 120 at -2 mA, - 6 V 400 at -2 mA, - 6 V 5 V 4000 80 MHz - - Toshiba - + 150 C Toshiba Semiconductor and Storage - SMD/SMT - HN1A01FE-Y,LXHF(B 100 mW Active AEC-Q200 - Details PNP - - 150°C (TJ) MouseReel Automotive, AEC-Q101 Transistors Si - Dual 100mW BJTs - Bipolar Transistors 2 PNP (Dual) 120 @ 2mA, 6V 100nA (ICBO) 300mV @ 10mA, 100mA 50V 80MHz 50 V 150 mA Bipolar Transistors - BJT
                            HN1A01FE-Y,LXHF
                            HN1A01FE-Y,LXHF

                            Toshiba Semiconductor and Storage
                            RoHS :
                            Инкапсуляция : -
                            Есть складские запасы : -
                            1 : -
                            Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-Y,LXHF
                            Mfr. Тип
                            HN1C01FE-Y,LXHF
                            Anlielectronics Тип

                            		Toshiba Semiconductor and Storage
                            AUTO AEC-Q NPN NPN TR VCEO:50V
                            Сборник данных Сравнение
                              Min.:1
                              Mult.:1
                              		 Surface Mount SOT-563, SOT-666 ES6 Toshiba 50 V 100 mV 150mA 120 at 2 mA, 6 V 400 at 2 mA, 6 V 5 V 4000 80 MHz - - Toshiba - + 150 C Toshiba Semiconductor and Storage - SMD/SMT - HN1C01FE-Y,LXHF(B 100 mW Active AEC-Q200 - Details NPN - - 150°C (TJ) MouseReel Automotive, AEC-Q101 Transistors Si - Single 100mW BJTs - Bipolar Transistors 2 NPN (Dual) 120 @ 2mA, 6V 100nA (ICBO) 250mV @ 10mA, 100mA 50V 80MHz 60 V 150 mA Bipolar Transistors - BJT
                              HN1C01FE-Y,LXHF
                              HN1C01FE-Y,LXHF

                              Toshiba Semiconductor and Storage
                              RoHS :
                              Инкапсуляция : -
                              Есть складские запасы : -
                              1 : -
                              JSCJ UMH15N
                              Mfr. Тип
                              UMH15N
                              Anlielectronics Тип

                              		JSCJ
                              -
                              Сборник данных Сравнение
                                Min.:1
                                Mult.:1
                                		 - - - - - - - - - - - - 100 100 - - - - - - SOT-363 - - - - 47+ - - 50 0.3 - - - - - NPN - - - - - - - - - - - -
                                UMH15N
                                UMH15N

                                JSCJ
                                RoHS :
                                Инкапсуляция : -
                                Есть складские запасы : -
                                1 : -
                                JSCJ EMB4
                                Mfr. Тип
                                EMB4
                                Anlielectronics Тип

                                		JSCJ
                                -
                                Сборник данных Сравнение
                                  Min.:1
                                  Mult.:1
                                  		 - - - - - - - - - - - - 100 100 - - - - - - SOT-563 - - - - 10+ - - 50 0.3 - - - - - PNP - - - - - - - - - - - -
                                  EMB4
                                  EMB4

                                  JSCJ
                                  RoHS :
                                  Инкапсуляция : -
                                  Есть складские запасы : -
                                  1 : -
                                  JSCJ EMD3
                                  Mfr. Тип
                                  EMD3
                                  Anlielectronics Тип

                                  		JSCJ
                                  -
                                  Сборник данных Сравнение
                                    Min.:1
                                    Mult.:1
                                    		 - - - - - - - - - - - - 3030 100100 - - - - - - SOT-563 - - - - 10+10+ - - 5050 0.30.3 - - - - - PNPNPN - - - - - - - - - - - -
                                    EMD3
                                    EMD3

                                    JSCJ
                                    RoHS :
                                    Инкапсуляция : -
                                    Есть складские запасы : -
                                    1 : -
                                    JSCJ EMD6
                                    Mfr. Тип
                                    EMD6
                                    Anlielectronics Тип

                                    		JSCJ
                                    -
                                    Сборник данных Сравнение
                                      Min.:1
                                      Mult.:1
                                      		 - - - - - - - - - - - - 100100 100100 - - - - - - SOT-563 - - - - 4.7+4.7+ - - 5050 0.30.3 - - - - - PNPNPN - - - - - - - - - - - -
                                      EMD6
                                      EMD6

                                      JSCJ
                                      RoHS :
                                      Инкапсуляция : -
                                      Есть складские запасы : -
                                      1 : -
                                      JSCJ EMD12
                                      Mfr. Тип
                                      EMD12
                                      Anlielectronics Тип

                                      		JSCJ
                                      -
                                      Сборник данных Сравнение
                                        Min.:1
                                        Mult.:1
                                        		 - - - - - - - - - - - - 6868 100100 - - - - - - SOT-563 - - - - 47+47+ - - 5050 0.30.3 - - - - - NPNPNP - - - - - - - - - - - -
                                        EMD12
                                        EMD12

                                        JSCJ
                                        RoHS :
                                        Инкапсуляция : -
                                        Есть складские запасы : -
                                        1 : -
                                        JSCJ EMD22
                                        Mfr. Тип
                                        EMD22
                                        Anlielectronics Тип

                                        		JSCJ
                                        -
                                        Сборник данных Сравнение
                                          Min.:1
                                          Mult.:1
                                          		 - - - - - - - - - - - - 8080 100100 - - - - - - SOT-563 - - - - 4.7+4.7+ - - 5050 0.30.3 - - - - - NPNPNP - - - - - - - - - - - -
                                          EMD22
                                          EMD22

                                          JSCJ
                                          RoHS :
                                          Инкапсуляция : -
                                          Есть складские запасы : -
                                          1 : -

                                          Discrete Semiconductor Products

                                          Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays definition: A bipolar junction transistor (bipolar transistor or BJT) is a type of transistor that uses both electrons and holes as charge carriers. Uni... Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays Product Listing: JANTXV2N5794UC/TR,JANKCA2N3810,JANTXV2N2945AUB/TR,NST4617MX2T5G,MNS2N3810UP/TR.Discrete Semiconductor Products type:Diodes - Zener - Single(113610),Diodes - Rectifiers - Single(97769),Transistors - FETs, MOSFETs - Single(61202),Transistors - Bipolar (BJT) - Single(34518),Diodes - Rectifiers - Arrays(17034) .Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays has 2537 pieces of spot stock price information, you can click the "RFQ" button to confirm the inventory and price with the Anli.