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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Number of Terminals | Transistor Element Material | Brand | Channel Mode | Collector-Emitter Breakdown Voltage | Continuous Drain Current | Drain Current-Max (ID) | Drain-Source On-Volt | Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity | Fall Time | Gate-Source Voltage (Max) | Id - Continuous Drain Current | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Maximum Operating Temperature | Minimum Operating Temperature | Mounting | Mounting Styles | Number of Elements | Operating Temp Range | Operating Temperature Classification | Package Body Material | Package Description | Package Shape | Package Style | Package Type | Part Life Cycle Code | Part Package Code | Pd - Power Dissipation | Qg - Gate Charge | Rad Hardened | Rds On - Drain-Source Resistance | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | RoHS | Rohs Code | Transistor Polarity | Typical Turn-Off Delay Time | Typical Turn-On Delay Time | Unit Weight | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Vgs - Gate-Source Voltage | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Series | JESD-609 Code | ECCN Code | Type | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Additional Feature | Subcategory | Max Power Dissipation | Technology | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Polarity | Configuration | Number of Channels | Operating Mode | Power Dissipation | Case Connection | Transistor Application | Rise Time | Polarity/Channel Type | Product Type | Transistor Type | Collector Emitter Voltage (VCEO) | JEDEC-95 Code | Transition Frequency | DS Breakdown Voltage-Min | FET Technology | Product | Product Category | Height | Length | Width | REACH SVHC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипIRFY240Anlielectronics Тип | Semelab |
MOSFET MOSFET TO220 METAL
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N-Channel | - | - | - | - | - | - | IRFY | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | 1 Channel | - | - | - | - | - | - | - | 1 N-Channel | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IRFY240 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипVP1008CSM4Anlielectronics Тип | Semelab |
MOSFET POWER
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | LCC-3 | - | - | - | - | - | Enhancement | - | - | - | - | 50 | 56 ns | - | 300 mA | - | - | - | + 150 C | - 55 C | - | SMD/SMT | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 400 mW | - | - | 5 Ohms | - | - | - | - | P-Channel | - | - | - | 100 V | - 30 V, + 30 V | - | VP1008 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | 1 Channel | - | - | - | - | 52 ns | - | - | 1 P-Channel | - | - | - | - | - | - | - | 1.65 mm | 3.81 mm | 5.59 mm | - | ||
| VP1008CSM4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBUZ900PAnlielectronics Тип | Semelab |
8A, 160V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NO | - | 3 | SILICON | - | - | - | - | 8 A | - | - | - | - | - | SEMELAB LTD | TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited | BUZ900P | - | - | - | - | 1 | - | - | PLASTIC/EPOXY | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | - | Obsolete | - | - | - | - | - | - | 5.79 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE | THROUGH-HOLE | - | compliant | - | R-PSFM-T3 | Not Qualified | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | ISOLATED | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | - | - | - | TO-247 | - | 160 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | ||
| BUZ900P | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипALF08N16VAnlielectronics Тип | Semelab |
8A, 160V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, PLASTIC PACKAGE-3
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NO | - | 3 | SILICON | - | - | - | - | 8 A | - | - | - | - | - | SEMELAB LTD | TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited | ALF08N16V | - | - | - | - | 1 | - | - | PLASTIC/EPOXY | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | - | Obsolete | TO-247 | - | - | - | - | - | 5.81 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | HIGH VOLTAGE | - | - | - | SINGLE | THROUGH-HOLE | - | compliant | 3 | R-PSFM-T3 | Not Qualified | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | - | - | - | TO-247 | - | 160 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | ||
| ALF08N16V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2N6798Anlielectronics Тип | Semelab |
MOSFET TRANS POWER
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | TO-39-3 | - | - | - | - | - | Enhancement | - | - | - | - | 30 | 30 ns | - | 5.5 A | - | - | - | + 150 C | - 55 C | - | Through Hole | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 25 W | - | - | 400 mOhms | - | - | Details | - | N-Channel | 12 ns | 8 ns | 0.039133 oz | 200 V | - 20 V, + 20 V | 4 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | 1 Channel | - | - | - | - | 42 ns | - | - | 1 N-Channel | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2N6798 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIRF140Anlielectronics Тип | Seme LAB |
MOSFET POWER
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | Semelab / TT Electronics | - | - | - | - | - | 10 | - | - | - | - | TT Electronics | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-Compliant | - | N-Channel | - | - | 1 oz | - | - | - | IRF | - | - | - | - | - | - | MOSFETs | - | Si | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | 1 Channel | - | - | - | - | - | - | MOSFET | 1 N-Channel | - | - | - | - | - | - | MOSFET | - | - | - | - | ||
| IRF140 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBUP52Anlielectronics Тип | Seme LAB |
Bipolar Power Transistor
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NPN | - | - | - | 300 W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BUP52 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBD955.Anlielectronics Тип | Seme LAB |
TRANSISTOR, NPN, TO-220; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:...
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | 3 | - | - | - | - | 120 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150 °C | - | - | 40 W | - | - | - | - | - | - | - | - | NPN | - | - | - | 40 W | - | - | - | - | - | - | 120 V | - | 3 MHz | - | - | - | - | - | - | - | No SVHC | ||
| BD955. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBUZ901CDPAnlielectronics Тип | Seme LAB |
BUZ901DP Transistor
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BUZ901CDP | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBDX67CAnlielectronics Тип | Seme LAB |
TRANSISTOR, DARLINGTON TO-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 120V; Transistor Case...
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | 2 | - | - | - | - | 120 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 200 °C | - | - | 150 W | - | - | - | - | - | - | - | - | NPN | - | - | - | 150 W | - | - | - | - | - | - | 120 V | - | 50 kHz | - | - | - | - | - | - | - | No SVHC | ||
| BDX67C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBC179Anlielectronics Тип | Seme LAB |
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -20V TO-18; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage Max: 20V; Continuous...
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | 3 | - | - | - | - | 20 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 175 °C | - | - | 300 mW | - | - | - | - | - | - | - | - | PNP | - | - | - | 300 mW | - | - | - | - | - | - | 20 V | - | 200 MHz | - | - | - | - | - | - | - | No SVHC | ||
| BC179 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBDX66CAnlielectronics Тип | Seme LAB |
French Electronic Distributor since 1988
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | Through Hole | - | - | 2 | - | - | - | - | -120 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 200 °C | - | - | 150 W | - | - | - | - | - | - | - | - | PNP | - | - | - | 150 W | - | - | - | - | - | - | -120 V | - | 7 MHz | - | - | - | - | - | - | - | No SVHC | ||
| BDX66C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипVN10KEAnlielectronics Тип | Seme LAB |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin TO-18
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | Semelab / TT Electronics | Enhancement | - | 0.17(A) | - | 60(V) | - | - | 15(V) | - | - | TT Electronics | - | - | - | Through Hole | - | 1 | -55C to 150C | Military | - | - | - | - | TO-18 | - | - | - | - | No | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Small Signal | - | - | - | MOSFETs | - | Si | - | - | - | - | 3 | - | - | N | - | - | - | 0.3125(W) | - | - | - | - | MOSFET | - | - | - | - | - | - | - | MOSFET | - | - | - | - | ||
| VN10KE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2N7002CSMAnlielectronics Тип | Semelab |
MOSFET TRANS POWER
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N-Channel | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | 1 Channel | - | - | - | - | - | - | - | 1 N-Channel | - | - | - | - | - | MOSFET Small Signal | - | - | - | - | - | ||
| 2N7002CSM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIRF150Anlielectronics Тип | Semelab |
MOSFET POWER
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | Enhancement | - | - | - | - | 30 | - | - | 38 A | - | - | - | + 150 C | - 55 C | - | Through Hole | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150 W | 125 nC | - | 55 mOhms | - | - | - | - | N-Channel | - | - | 0.802306 oz | 100 V | - 20 V, + 20 V | 4 V | IRF | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | 1 Channel | - | - | - | - | - | - | - | 1 N-Channel | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IRF150 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2N6660Anlielectronics Тип | Semelab |
MOSFET N-CHANNEL TO39
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 30 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N-Channel | - | - | - | - | - 20 V, + 20 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | 1 Channel | - | - | - | - | - | - | - | 1 N-Channel | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2N6660 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипVN10KG4Anlielectronics Тип | Seme LAB |
MOSFET
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | Amphenol Positronic | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | Positronic | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | D-Sub Connectors | - | Si | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Mixed Contact D-Sub Connectors | - | - | - | - | - | - | - | D-Sub Mixed Contact Connectors | - | - | - | - | ||
| VN10KG4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипVP0104-TO18-QR-EBAnlielectronics Тип | Seme LAB |
MOSFET POWER
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | Semelab / TT Electronics | - | - | - | - | - | 30 | - | - | - | - | TT Electronics | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | MOSFETs | - | Si | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | MOSFET | - | - | - | - | - | - | - | MOSFET | - | - | - | - | ||
| VP0104-TO18-QR-EB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIRF230Anlielectronics Тип | Seme LAB |
MOSFET POWER
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | TO-3 | - | - | - | - | Semelab / TT Electronics | Enhancement | - | - | - | - | 10 | - | - | 9 A | - | TT Electronics | - | + 150 C | - 55 C | - | Through Hole | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 75 W | - | - | 400 mOhms | - | - | Non-Compliant | - | N-Channel | 60 ns | 35 ns | - | 200 V | - 20 V, + 20 V | - | IRF | - | - | - | - | - | - | MOSFETs | - | Si | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | 1 Channel | - | - | - | - | 80 ns | - | MOSFET | 1 N-Channel | - | - | - | - | - | - | MOSFET | - | - | - | - | ||
| IRF230 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипALF16P16WAnlielectronics Тип | Semelab |
16A, 160V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA, PLASTIC, TO-264, 3 PIN
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NO | - | 3 | SILICON | - | - | - | - | 16 A | - | - | - | - | - | SEMELAB LTD | TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited | ALF16P16W | - | - | - | - | 1 | - | - | PLASTIC/EPOXY | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | - | Obsolete | TO-264AA | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | 5.82 | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | e1 | EAR99 | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | HIGH VOLTAGE | - | - | - | SINGLE | THROUGH-HOLE | NOT SPECIFIED | compliant | 3 | R-PSFM-T3 | Not Qualified | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | AMPLIFIER | - | P-CHANNEL | - | - | - | TO-264AA | - | 160 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | ||
| ALF16P16W |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ