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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Lifecycle Status | Contact Plating | Mount | Mounting Type | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Material | Weight | Number of Terminals | Transistor Element Material | Automotive | Base Product Number | Brand | Development Kit | ECCN (US) | Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity | Id - Continuous Drain Current | Ihs Manufacturer | Lead Shape | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Maximum Drain Gate Voltage | Maximum Drain Gate Voltage (V) | Maximum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature (°C) | Maximum Power Dissipation (mW) | Mfr | Military | Minimum Drain Saturation Current (mA) | Minimum Operating Temperature | Minimum Operating Temperature (°C) | Moisture Sensitive | Moisture Sensitivity Levels | Mounting | Mounting Styles | Number of Elements | Operating Temperature (Max.) | Operating Temperature (Min.) | Operating Temperature-Max | Package | Package Body Material | Package Description | Package Height | Package Length | Package Shape | Package Style | Package Width | Part # Aliases | Part Life Cycle Code | Part Package Code | PCB changed | Pd - Power Dissipation | Product Status | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | RoHS | Rohs Code | Shipping Restrictions | Standard Package Name | Supplier Package | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | Operating Temperature | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Type | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Subcategory | Voltage - Rated DC | Max Power Dissipation | Technology | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Frequency | Configuration | Element Configuration | Operating Mode | Power Dissipation | Output Power | Power - Max | FET Type | Transistor Application | Halogen Free | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Product Type | Transistor Type | Operating Temperature Range | Continuous Drain Current (ID) | JEDEC-95 Code | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | Drain-source On Resistance-Max | Drain to Source Breakdown Voltage | Input Capacitance | DS Breakdown Voltage-Min | Channel Type | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Drain to Source Resistance | Feedback Cap-Max (Crss) | Highest Frequency Band | Product | Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | Resistance - RDS(On) | Current Drain (Id) - Max | Product Category | Height | Length | Width | Radiation Hardening | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. Тип2SK209-GRAnlielectronics Тип | Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | YES | - | - | Si | - | 3 | SILICON | No | - | - | - | EAR99 | - | - | TOSHIBA CORP | Gull-wing | Toshiba America Electronic Components | 2SK209-GR | - | -50 | - | 125 | 150 | - | No | 2.6 | - | -55 | - | - | Surface Mount | - | 1 | - | - | 125 °C | - | PLASTIC/EPOXY | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 1.1 | 2.9 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | 1.5 | - | Active | SOT-23 | 3 | - | - | - | 5.24 | - | - | - | S-MINI | S-Mini | - | - | - | - | - | - | - | e0 | - | Obsolete | - | - | - | - | TIN LEAD | - | - | LOW NOISE | 8541.21.00.95 | Other Transistors | - | - | - | DUAL | GULL WING | - | unknown | - | - | - | 3 | R-PDSO-G3 | Not Qualified | - | Single | - | DEPLETION MODE | - | - | - | - | AMPLIFIER | - | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | TO-236 | - | - | - | - | - | - | N | JUNCTION | 0.15 W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Supplier Unconfirmed | - | ||
| 2SK209-GR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTF202THC-5-TL-HAnlielectronics Тип | ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 1mA Si Automotive 3-Pin VTFP T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Tin | Surface Mount | Surface Mount | 3-SMD, Flat Lead | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2016 | - | - | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100mW | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | - | N-Channel | - | - | 3.5pF @ 5V | 5V | - | - | - | - | 1mA | - | -20V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 210μA @ 5V | 200mV @ 1μA | - | - | - | - | - | - | - | No | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| TF202THC-5-TL-H | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPMBFJ177,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
PMBFJ174 Series 30 V 20 mA P-Ch silicon Field-effect Transistor - SOT-23-3
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | - | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | YES | - | - | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1997 | - | e3 | - | Not For New Designs | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | - | Tin (Sn) | - | - | - | 8541.21.00.95 | - | - | - | - | DUAL | GULL WING | 260 | - | - | 40 | MBFJ177 | 3 | R-PDSO-G3 | Not Qualified | - | SINGLE | - | DEPLETION MODE | - | - | 300mW | P-Channel | SWITCHING | - | 8pF @ 10V VGS | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 300Ohm | - | - | 30V | - | JUNCTION | 0.3W | - | - | - | - | 1.5mA @ 15V | 800mV @ 10nA | 30V | 300Ohm | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PMBFJ177,215 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTGF2929-HMAnlielectronics Тип | Qorvo |
RF JFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | NI-360 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | TGF2929-HM EVB1 | - | 25 | 7.2 A | - | - | - | - | - | - | + 85 C | - | - | - | - | - | - 40 C | - | Yes | - | - | SMD/SMT | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | TGF2929 1135635 | - | - | - | 140 W | - | - | - | Details | - | - | - | - | N-Channel | 50 V | - 2.8 V | - | Waffle | - | TGF2929 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | DC to 3.5 GHz | Single | - | - | - | 132 W | - | - | - | - | - | - | - | - | HEMT | - 40 C to + 85 C | - | - | - | 17.4 dB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| TGF2929-HM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2N4392UBAnlielectronics Тип | Microchip Technology |
N CHANNEL JFET
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | TO-18-3 | - | - | - | - | - | - | - | - | 2N4392 | Microchip Technology | - | - | 1 | - | - | - | Microchip | - | - | - | - | - | - | Microchip Technology | - | - | - | - | - | - | - | Through Hole | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | N | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | JFET | - | - | - | - | - | Transistors | - | - | Si | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | JFETs | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | JFET | - | - | - | - | - | - | ||
| 2N4392UB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипNTE2910Anlielectronics Тип | NTE Electronics, Inc |
JFET N CHANNEL SWITCH
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | Through Hole | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | - | - | TO-18 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NTE ELECTRONICS INC | - | NTE Electronics | NTE2910 | - | - | - | - | - | NTE Electronics, Inc | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bag | - | , | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | Active | NOT SPECIFIED | 5.75 | - | Yes | - | - | - | - | - | - | -55°C ~ 200°C (TJ) | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | unknown | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N-Channel | - | - | 14pF @ 20V | 40 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 5 mA @ 20 V | 500 mV @ 1 nA | 40 V | 100 Ohms | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| NTE2910 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипNTE2938Anlielectronics Тип | NTE Electronics, Inc |
JFET P-CHANNEL 30V TO-92
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | - | TO-92 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NTE Electronics | NTE2938 | - | - | - | - | - | NTE Electronics, Inc | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bag | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 350 mW | P-Channel | - | - | - | 30 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.5 mA @ 15 V | 800 mV @ 10 nA | 30 V | 300 Ohms | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| NTE2938 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипJ111Anlielectronics Тип | Vishay |
-
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| J111 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипJ212Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, PLASTIC, SC-43, 3 PIN, FET RF Small Signal
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | NO | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SILICONIX INC | - | Vishay Siliconix | J212 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 125 °C | - | - | , | - | - | - | - | - | - | Transferred | TO-92 | - | - | - | - | 7.56 | - | No | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e0 | - | - | - | - | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | - | Other Transistors | - | - | - | - | - | - | unknown | - | - | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | JUNCTION | 0.35 W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| J212 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипTGF2023-2-20Anlielectronics Тип | Qorvo |
RF JFET Transistors DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | Die | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | TGF2023 1099955 | - | - | - | - | - | - | - | Details | - | This product may require additional documentation to export from the United States. | - | - | N-Channel | - | - | - | Gel Pack | - | TGF2023 | - | - | - | - | - | - | GaN SiC HEMT | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | HEMT | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RF JFET | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| TGF2023-2-20 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипFJX597JCTFAnlielectronics Тип | ON Semiconductor |
JFET N-CH 20V 0.1W SOT323
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | Surface Mount | SC-70, SOT-323 | - | 3 | SC-70 (SOT323) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2004 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | 150°C | -55°C | - | - | - | 20V | 100mW | - | - | - | - | - | 1mA | - | - | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | 100mW | N-Channel | - | - | 3.5pF @ 5V | 20V | - | - | - | - | 1mA | - | -20V | - | - | - | 3.5pF | - | - | - | - | - | - | - | - | 210μA @ 5V | 600mV @ 1μA | 20V | - | 1mA | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| FJX597JCTF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипJ174-E3Anlielectronics Тип | Vishay |
-
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | NO | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | - | Vishay Intertechnologies | J174-E3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | 150 °C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Obsolete | - | - | - | - | - | 5.83 | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e3 | - | - | - | - | EAR99 | - | Matte Tin (Sn) | - | - | - | - | FET General Purpose Small Signal | - | - | - | - | - | - | unknown | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | P-CHANNEL | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | JUNCTION | 0.35 W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| J174-E3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMMBF5484LT1Anlielectronics Тип | ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 0.225W SOT23
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | - | Surface Mount | - | SOT-23-3 | - | 3 | - | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | 150°C | -55°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Cut Tape (CT) | 2006 | - | e0 | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | - | - | 25V | 225mW | - | DUAL | GULL WING | 240 | not_compliant | 10mA | 30 | - | 3 | - | Not Qualified | - | - | Single | DEPLETION MODE | 200mW | - | - | - | AMPLIFIER | - | - | 25V | N-CHANNEL | - | - | - | - | - | 25V | - | - | - | 5pF | - | - | JUNCTION | - | - | 1 pF | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-RoHS Compliant | Contains Lead | ||
| MMBF5484LT1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипJ112-D27ZAnlielectronics Тип | ON Semiconductor |
JFET N-CH 35V 625MW TO92
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 6 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | - | Through Hole | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | - | 3 | - | - | 201mg | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | yes | Active | 1 (Unlimited) | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | 35V | 625mW | - | BOTTOM | - | NOT SPECIFIED | - | 50mA | NOT SPECIFIED | J112 | - | - | Not Qualified | - | - | Single | DEPLETION MODE | 625mW | - | - | N-Channel | SWITCHING | - | - | 35V | - | - | - | - | 5mA | - | -35V | - | - | - | - | - | - | JUNCTION | - | 50Ohm | 5 pF | - | - | 5mA @ 15V | 1V @ 1μA | - | 50Ohm | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| J112-D27Z | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипPMBFJ108,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
JFET N-CH 25V 250MW SOT23
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | - | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | YES | - | - | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2001 | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | - | Tin (Sn) | - | - | - | 8541.21.00.95 | - | - | - | - | DUAL | GULL WING | 260 | - | - | 40 | MBFJ108 | 3 | R-PDSO-G3 | Not Qualified | - | SINGLE | - | DEPLETION MODE | - | - | 250mW | N-Channel | SWITCHING | - | 30pF @ 10V VGS | - | - | - | - | - | - | TO-236AB | - | - | 8Ohm | - | - | 25V | - | JUNCTION | 0.25W | - | 15 pF | - | - | 80mA @ 15V | 10V @ 1μA | 25V | 8Ohm | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PMBFJ108,215 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMCH3914-8-TL-HAnlielectronics Тип | ON Semiconductor |
N-Channel JFET, 15V, 16 to 50mA, 29mS, MCPH3
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 7 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) | - | - | Surface Mount | SC-70, SOT-323 | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | - | e6 | yes | Active | 1 (Unlimited) | - | EAR99 | - | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | - | - | - | - | - | - | 300mW | - | - | - | - | - | - | - | - | 3 | - | - | - | - | Single | - | 300mW | - | - | N-Channel | - | Halogen Free | 4.9pF @ 5V | 15V | - | - | - | - | 50mA | - | - | - | - | 15V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 25mA @ 5V | 600mV @ 10μA | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MCH3914-8-TL-H | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTF252-4-TL-HAnlielectronics Тип | ON Semiconductor |
JFET N-CH 1MA 30MW USFP
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | Surface Mount | 3-SMD, Flat Lead | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | e6 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | EAR99 | - | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | - | - | - | - | - | - | 30mW | - | - | - | - | - | - | - | TF252 | 3 | - | - | - | - | Single | - | - | - | - | N-Channel | - | Halogen Free | 3.1pF @ 2V | - | - | - | - | - | 1mA | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 140μA @ 2V | 100mV @ 1μA | - | - | - | - | 270μm | 600μm | 800μm | - | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| TF252-4-TL-H | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипCMPF4416AAnlielectronics Тип | Central Semiconductor |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, SOT-23, 3 PIN
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | YES | - | - | - | - | 3 | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP | - | Central Semiconductor Corp | CMPF4416A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | 150 °C | - | PLASTIC/EPOXY | SOT-23, 3 PIN | - | - | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | - | - | Active | SOT-23 | - | - | - | NOT SPECIFIED | 5.04 | - | No | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e0 | No | - | - | - | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | 8541.21.00.95 | Other Transistors | - | - | - | DUAL | GULL WING | NOT SPECIFIED | unknown | - | - | - | 3 | R-PDSO-G3 | Not Qualified | - | SINGLE | - | DEPLETION MODE | - | - | - | - | AMPLIFIER | - | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 35 V | - | JUNCTION | - | - | 1.2 pF | VERY HIGH FREQUENCY BAND | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| CMPF4416A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипPMBFJ109,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
JFET N-CH 25V 250MW SOT23
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | - | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | YES | - | - | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2001 | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | - | TIN | - | - | - | 8541.21.00.95 | - | - | - | - | DUAL | GULL WING | 260 | - | - | NOT SPECIFIED | MBFJ109 | 3 | R-PDSO-G3 | Not Qualified | - | SINGLE | - | DEPLETION MODE | - | - | 250mW | N-Channel | SWITCHING | - | 30pF @ 10V VGS | - | - | - | - | - | - | TO-236AB | - | - | 12Ohm | - | - | 25V | - | JUNCTION | 0.25W | - | 15 pF | - | - | 40mA @ 15V | 6V @ 1μA | 25V | 12Ohm | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PMBFJ109,215 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипTGF2819-FSAnlielectronics Тип | Qorvo |
RF JFET Transistors DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | NI-360 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | TGF2819-FS/FL, EVAL BOARD | - | 25 | 7.32 A | - | - | - | - | 145 V | - | + 85 C | - | - | - | - | - | - 40 C | - | Yes | - | - | SMD/SMT | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1118705 1118705 | - | - | - | 86 W | - | - | - | Details | - | This product may require additional documentation to export from the United States. | - | - | N-Channel | 32 V | - 2.9 V | - | Tray | - | TGF2819 | - | - | - | - | - | - | GaN SiC HEMT | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3.5 GHz | Single | - | - | - | 100 W | - | - | - | - | - | - | - | - | HEMT | - 40 C to + 85 C | - | - | - | 14 dB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| TGF2819-FS |
Индекс :
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