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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Contact Plating | Mount | Mounting Type | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Material | Weight | Number of Terminals | Transistor Element Material | Exterior Housing Material | Cable cross-section | Capacitors series | Case - inch | Case - mm | Collector-Emitter Breakdown Voltage | Connector | Connector pinout layout | Contacts pitch | Date Of Intro | Deviation | Drain Current-Max (ID) | Electrical mounting | Enhanced Relative Importance at 35°C | Equivalent | Force | Gross Weight | hFEMin | Ihs Manufacturer | Kind of capacitor | Kind of connector | Long-term Frequency Instability (Aging) | Mounting | Nominal voltage | Number of Elements | Number of Mate/Unmate Cycles | Operating Temperature-Max | Operating Temperature-Min | Package | Package Body Material | Package Description | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Rohs Code | Row pitch | Soldering Temperature | Spatial orientation | Tested for One Minute | Transition Frequency-Nom (fT) | Transport Package Size/Quantity | Type of capacitor | Type of connector | Packaging | Published | Tolerance | JESD-609 Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | Termination | ECCN Code | Type | Resistance | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Composition | Applications | Additional Feature | HTS Code | Capacitance | Voltage - Rated DC | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Frequency Stability | Base Part Number | Reference Standard | JESD-30 Code | Qualification Status | Dielectric | Polarity | Configuration | Insulation Resistance | Voltage | Element Configuration | Operating Mode | Power Dissipation | Case Connection | Transistor Application | Halogen Free | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Collector Emitter Voltage (VCEO) | Max Collector Current | Operating Temperature Range | JEDEC-95 Code | Drain-source On Resistance-Max | Transition Frequency | Design | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | DS Breakdown Voltage-Min | Avalanche Energy Rating (Eas) | FET Technology | Collector Base Voltage (VCBO) | Power Dissipation-Max (Abs) | Emitter Base Voltage (VEBO) | Load Current | Collector Current-Max (IC) | DC Current Gain-Min (hFE) | Feedback Cap-Max (Crss) | Profile | Power Dissipation Ambient-Max | Saturation Current | Diameter | Height | Length | Width | Radiation Hardening | REACH SVHC | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипBCV61CE6327HTSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
TRANSISTOR NPN DOUBLE SOT-143
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 4 Weeks | Tin | Surface Mount | Surface Mount | TO-253-4, TO-253AA | - | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 30V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 110 | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | 2005 | - | e3 | Last Time Buy | 1 (Unlimited) | 4 | SMD/SMT | EAR99 | - | - | - | 150°C | -65°C | - | Current Mirror | - | - | - | 30V | 300mW | - | GULL WING | - | - | 100mA | 250MHz | - | - | BCV61 | AEC-Q101 | - | - | - | NPN | - | - | - | Dual | - | 300mW | - | - | Not Halogen Free | - | 2 NPN, Base Collector Junction | 600mV | 100mA | - | - | - | 250MHz | - | - | - | - | - | 30V | - | 6V | - | - | 420 | - | - | - | - | - | - | - | 2.9mm | No | No SVHC | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| BCV61CE6327HTSA1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBCV61BE6327HTSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143 T/R
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 4 Weeks | - | Surface Mount | Surface Mount | TO-253-4, TO-253AA | - | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | 2005 | - | e3 | Last Time Buy | 1 (Unlimited) | 4 | - | EAR99 | - | - | Tin (Sn) | 150°C | -65°C | - | Current Mirror | - | - | - | 30V | 300mW | DUAL | GULL WING | - | - | 100mA | 250MHz | - | - | BCV61 | AEC-Q101 | - | - | - | NPN | - | - | - | - | - | 300mW | - | - | Not Halogen Free | - | 2 NPN, Base Collector Junction | 5V | 100mA | - | - | - | 250MHz | - | - | - | - | - | 30V | - | 6V | - | - | 200 | - | - | - | - | - | 900μm | 2.9mm | 1.3mm | No | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| BCV61BE6327HTSA1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIRFZ24NSAnlielectronics Тип | Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | YES | - | - | - | 2 | SILICON | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 17 A | - | - | - | - | - | - | INFINEON TECHNOLOGIES AG | - | - | - | - | - | - | - | 175 °C | - | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC, D2PAK-3 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Obsolete | No | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e0 | - | - | - | - | EAR99 | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | - | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY | 8541.29.00.95 | - | - | - | SINGLE | GULL WING | NOT SPECIFIED | not_compliant | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | R-PSSO-G2 | Not Qualified | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | DRAIN | SWITCHING | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | TO-263AB | 0.07 Ω | - | - | 68 A | 55 V | 71 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | - | - | 45 W | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IRFZ24NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIRFL014NAnlielectronics Тип | Infineon Technologies AG |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | YES | - | - | - | 3 | SILICON | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.9 A | - | 95% | - | 1 - 30 N | 2.22 | - | INFINEON TECHNOLOGIES AG | - | - | - | - | - | - | 500 | 150 °C | -55 °C | - | PLASTIC/EPOXY | - | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Active | No | - | - | - | ~ 500V | - | 42*28*18.5/2000 | - | - | - | - | - | e0 | - | - | - | - | EAR99 | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | - | AVALANCHE RATED | - | - | - | - | SINGLE | GULL WING | NOT SPECIFIED | not_compliant | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | R-PSSO-G3 | Not Qualified | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 100 MOhm Min | ~ 50V | - | ENHANCEMENT MODE | - | DRAIN | SWITCHING | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | TO-261AA | 0.16 Ω | - | - | - | 55 V | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 0.3 A | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IRFL014N | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIRFR3704ZAnlielectronics Тип | Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | through hole | - | YES | - | - | - | 2 | SILICON | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ± 30 ppm temperature characteristic (-20…+70 °C) | 30 A | - | - | - | - | 0.59 | - | INFINEON TECHNOLOGIES AG | - | - | max. ± 5 ppm/ year | - | - | - | - | - | - | miniature - US size | PLASTIC/EPOXY | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Obsolete | Yes | - | - | - | - | - | 42*28*18.5/5000 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | HC49 Quartz Resonator | ESR max - 50 Ohm | - | - | - | - | - | - | - | 16 pF | - | - | SINGLE | GULL WING | NOT SPECIFIED | compliant | - | 6 MHz | NOT SPECIFIED | ± 20 (at T=25 °C) ppm | - | - | R-PSSO-G2 | - | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 500 (at Uappl.dc=100 V) MOhm min | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | DRAIN | SWITCHING | - | N-CHANNEL | - | - | - | -20…+70 °C | TO-252AA | 0.0084 Ω | - | - | 240 A | 20 V | 41 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IRFR3704Z | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIRFR24N15DAnlielectronics Тип | Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 150V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | YES | - | connector housing - PVC-45P | - | 2 | SILICON | 1 | 3 x 0.75 (42 strands x 0.15 mm) mm2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 24 A | - | - | - | - | - | - | INFINEON TECHNOLOGIES AG | - | - | - | - | 250 V | - | - | - | - | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC, DPAK-3 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Active | No | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e0 | - | - | - | - | EAR99 | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE | GULL WING | 240 | not_compliant | - | - | 30 | - | - | - | R-PSSO-G2 | Not Qualified | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | DRAIN | SWITCHING | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | TO-252AA | 0.095 Ω | - | - | 96 A | 150 V | 170 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | sheath - 6.5 ... 6.8 mm | - | 5000 mm | - | - | - | - | - | ||
| IRFR24N15D | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBC856WAnlielectronics Тип | Infineon Technologies AG |
Transistor,
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | YES | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | INFINEON TECHNOLOGIES AG | - | - | - | - | - | - | - | 150 °C | - | - | - | - | - | - | Obsolete | - | - | - | - | - | 100 MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE | - | - | - | - | - | - | - | - | PNP | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0.2 W | - | - | 0.1 A | 125 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BC856W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIPT60R055CFD7Anlielectronics Тип | Infineon Technologies AG |
Description: Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2020-06-23 | - | - | - | - | - | - | - | - | INFINEON TECHNOLOGIES AG | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | , | - | - | Active | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e3 | - | - | - | - | EAR99 | - | - | TIN | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 260 | unknown | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IPT60R055CFD7 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIMW65R048M1HAnlielectronics Тип | Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | NO | - | - | - | 3 | SILICON CARBIDE | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | 2019-12-16 | - | 39 A | - | - | - | - | - | - | INFINEON TECHNOLOGIES AG | - | - | - | - | - | - | - | 150 °C | -55 °C | - | PLASTIC/EPOXY | - | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | Active | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e3 | - | - | - | - | EAR99 | - | - | Tin (Sn) | - | - | - | - | HIGH RELIABILITY | - | - | - | - | SINGLE | THROUGH-HOLE | NOT SPECIFIED | compliant | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | R-PSFM-T3 | - | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | DRAIN | SWITCHING | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | TO-247 | 0.064 Ω | - | - | 100 A | 650 V | 171 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 125 W | - | - | - | - | 13 pF | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IMW65R048M1H | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIMW120R060M1HAnlielectronics Тип | Infineon Technologies AG |
Description: Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | NO | - | - | - | 3 | SILICON CARBIDE | 1 | - | - | - | - | - | socket | 2x32 | 2.54mm | - | - | 36 A | THT | - | - | - | - | - | INFINEON TECHNOLOGIES AG | - | female | - | - | - | - | - | 175 °C | -55 °C | - | PLASTIC/EPOXY | - | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | Active | Yes | 2.54mm | - | straight | - | - | - | - | pin strips | - | - | - | e3 | - | - | - | - | EAR99 | - | - | TIN | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE | THROUGH-HOLE | 260 | compliant | - | - | 10 | - | - | - | R-PSFM-T3 | - | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | SWITCHING | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | TO-247 | 0.106 Ω | - | - | 76 A | 1200 V | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 150 W | - | - | - | - | 6.5 pF | beryllium copper | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IMW120R060M1H | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIPW65R041CFD7Anlielectronics Тип | Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | NO | - | - | - | 3 | SILICON | 1 | - | - | - | - | - | socket | 1x43 | 2.54mm | 2020-06-23 | - | 50 A | THT | - | - | - | - | - | INFINEON TECHNOLOGIES AG | - | female | - | - | - | - | - | 150 °C | -55 °C | - | PLASTIC/EPOXY | , | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | Active | - | - | - | straight | - | - | - | - | pin strips | - | - | - | e3 | - | - | - | - | EAR99 | - | - | TIN | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE | THROUGH-HOLE | - | unknown | - | - | - | - | - | - | R-PSFM-T3 | - | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | SWITCHING | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | TO-247 | 0.041 Ω | - | - | 211 A | 650 V | 248 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 227 W | - | - | - | - | - | beryllium copper | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IPW65R041CFD7 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBSZ0702LSAnlielectronics Тип | Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | YES | - | - | - | 8 | SILICON | 1 | - | - | - | - | - | socket | 1x11 | 2.54mm | - | - | 40 A | SMT | - | - | - | - | - | INFINEON TECHNOLOGIES AG | - | female | - | - | - | - | - | 150 °C | -55 °C | - | PLASTIC/EPOXY | - | SQUARE | SMALL OUTLINE | Obsolete | Yes | - | - | straight | - | - | - | - | pin strips | - | - | - | e3 | - | - | - | - | EAR99 | - | - | TIN | - | - | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | NO LEAD | - | unknown | - | - | - | - | - | IEC-61249-2-21; IEC-68-1 | S-PDSO-N8 | - | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | DRAIN | SWITCHING | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | - | 0.004 Ω | - | - | 160 A | 60 V | 117 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 69 W | - | - | - | - | 44 pF | beryllium copper | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BSZ0702LS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIAUC24N10S5L300Anlielectronics Тип | Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | socket | 2x31 | 2.54mm | - | - | - | THT | - | - | - | - | - | INFINEON TECHNOLOGIES AG | - | female | - | - | - | - | - | - | - | - | - | , | - | - | Active | Yes | 2.54mm | - | straight | - | - | - | - | pin strips | - | - | - | e3 | - | - | - | - | EAR99 | - | - | Tin (Sn) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | compliant | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | beryllium copper | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IAUC24N10S5L300 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIPW65R029CFD7Anlielectronics Тип | Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | NO | - | - | - | 3 | SILICON | 1 | - | - | - | - | - | socket | 2x15 | 2.54mm | 2020-06-19 | - | 69 A | SMT | - | - | - | - | - | INFINEON TECHNOLOGIES AG | - | female | - | - | - | - | - | 150 °C | -55 °C | - | PLASTIC/EPOXY | , | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | Active | - | 2.54mm | - | straight | - | - | - | - | pin strips | - | - | - | e3 | - | - | - | - | EAR99 | - | - | TIN | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE | THROUGH-HOLE | - | unknown | - | - | - | - | - | - | R-PSFM-T3 | - | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | SWITCHING | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | TO-247 | 0.029 Ω | - | - | 304 A | 650 V | 358 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 305 W | - | - | - | - | - | beryllium copper | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IPW65R029CFD7 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIPD80R450P7Anlielectronics Тип | Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | socket | 1x23 | 2.54mm | - | - | - | THT | - | - | - | - | - | INFINEON TECHNOLOGIES AG | - | female | - | - | - | - | - | - | - | - | - | , | - | - | Active | Yes | - | - | straight | - | - | - | - | pin strips | - | - | - | e3 | - | - | - | - | EAR99 | - | - | Tin (Sn) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | compliant | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | beryllium copper | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IPD80R450P7 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIMBG120R140M1HAnlielectronics Тип | Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | socket | 2x30 | 2.54mm | 2020-09-17 | - | - | THT | - | - | - | - | - | INFINEON TECHNOLOGIES AG | - | female | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | Yes | 2.54mm | - | straight | - | - | - | - | pin strips | - | - | - | e3 | - | - | - | - | EAR99 | - | - | TIN | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | unknown | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | beryllium copper | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IMBG120R140M1H | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIAUC120N06S5N017Anlielectronics Тип | Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2020-05-04 | - | - | - | - | - | - | - | - | INFINEON TECHNOLOGIES AG | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | , | - | - | Active | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e3 | - | - | - | - | EAR99 | - | - | TIN | - | - | - | - | - | 8541.29.00.95 | - | - | - | - | - | 260 | unknown | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IAUC120N06S5N017 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBC160Anlielectronics Тип | Infineon Technologies AG |
Description: Transistor
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | NO | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | INFINEON TECHNOLOGIES AG | - | - | - | - | - | - | - | 175 °C | - | - | - | - | - | - | Obsolete | No | - | - | - | - | 50 MHz | - | - | - | - | - | - | e0 | - | - | - | - | EAR99 | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | unknown | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE | - | - | - | - | - | - | - | - | PNP | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3.7 W | - | - | 1 A | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BC160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIRF7301TRAnlielectronics Тип | Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA,
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | YES | - | - | 0.2 kg | 8 | SILICON | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4.3 A | - | - | POS40 | - | 215.00 | - | INFINEON TECHNOLOGIES AG | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | PLASTIC/EPOXY | - | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Obsolete | No | - | 285...330 °C | - | - | - | - | - | - | coil | - | - | e3 | - | - | - | - | EAR99 | Soft Tin-Lead Solder Sn/Pb | - | MATTE TIN | - | - | tin - 40%; lead - 60% | - | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | - | - | - | - | DUAL | GULL WING | - | unknown | - | - | - | - | - | - | R-PDSO-G8 | Not Qualified | - | - | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | MS-012AA | 0.05 Ω | - | wire | - | 20 V | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | 2 mm | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IRF7301TR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIRFR9120NAnlielectronics Тип | Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 100V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | YES | - | - | - | 2 | SILICON | 1 | - | KAM | 0805 | 2012 | - | - | - | - | - | - | 6.6 A | - | - | - | - | - | - | INFINEON TECHNOLOGIES AG | MLCC | - | - | SMD | - | - | - | 150 °C | - | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC, DPAK-3 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Active | No | - | - | - | - | - | - | ceramic | - | - | - | ±1% | e0 | - | - | - | - | EAR99 | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | - | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE | - | 1nF | - | - | SINGLE | GULL WING | 240 | compliant | - | - | 30 | - | - | - | R-PSSO-G2 | Not Qualified | C0G (NP0) | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | DRAIN | SWITCHING | - | P-CHANNEL | - | - | - | - | TO-252AA | 0.48 Ω | - | - | 26 A | 100 V | 100 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IRFR9120N |
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