[email protected]

Локаль

Язык

  • English
  • русский

Валюта

  • CNY-¥
  • RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
Классификация Марка Марка О Anli Запрос цены
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
[email protected]
Изображение Тип Марка Объяснение Установленная цена Количество RoHS Surface Mount Material Number of Terminals Transistor Element Material Exterior Housing Material Development Kit Drain Current-Max (ID) Factory Pack Quantity Ihs Manufacturer Maximum current Maximum Drain Gate Voltage Maximum Operating Frequency Maximum Operating Temperature Minimum Operating Frequency Minimum Operating Temperature Moisture Sensitivity Levels Mounting Styles Name Nominal voltage Number of Elements Operating Temperature-Max Operating Temperature-Min Package Body Material Package Description Package Shape Package Style Part Life Cycle Code Pd - Power Dissipation RoHS Rohs Code Wire cross-section Packaging Series ECCN Code Type Color Additional Feature HTS Code Terminal Position Terminal Form Peak Reflow Temperature (Cel) Reach Compliance Code Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) JESD-30 Code Qualification Status Configuration Operating Mode Case Connection Output Power Transistor Application Polarity/Channel Type JEDEC-95 Code Gain Drain-source On Resistance-Max Pulsed Drain Current-Max (IDM) DS Breakdown Voltage-Min Avalanche Energy Rating (Eas) FET Technology Power Dissipation-Max (Abs) Feedback Cap-Max (Crss) Highest Frequency Band Power Dissipation Ambient-Max Power Gain-Min (Gp)
Qorvo UJ3C120080K3S
Mfr. Тип
UJ3C120080K3S
Anlielectronics Тип

Qorvo
Description: Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction Cascode FET, TO-247,
Сборник данных Сравнение
    Min.:1
    Mult.:1
    		 NO housing - PA66, UL94V-2/UL94V-0 3 SILICON CARBIDE 1 - 33 A - QORVO INC 24 A - - - - - - - Clamp-terminal 2x2 pass-through branch on 2 poles (AC) 250 V - 175 °C -55 °C PLASTIC/EPOXY - RECTANGULAR FLANGE MOUNT Active - - Yes 0.08...2.5 (4.0 for multi-strand wire) mm2 - - EAR99 - markings: red/blue - - SINGLE THROUGH-HOLE NOT SPECIFIED compliant NOT SPECIFIED R-PSFM-T3 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DEPLETION MODE DRAIN - SWITCHING N-CHANNEL TO-247 - 0.1 Ω 77 A 1200 V 58.5 mJ JUNCTION CASCODE 254.2 W 2.1 pF - - -
    UJ3C120080K3S
    UJ3C120080K3S

    Qorvo
    RoHS :
    Инкапсуляция : -
    Есть складские запасы : -
    1 : -
    Qorvo PD25025F
    Mfr. Тип
    PD25025F
    Anlielectronics Тип

    		Qorvo
    RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
    Сборник данных Сравнение
      Min.:1
      Mult.:1
      		 YES - 2 SILICON - - 4.25 A - QORVO INC - - - - - - - - - - 1 - - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 RECTANGULAR FLANGE MOUNT Obsolete - - No - - - EAR99 - - - - DUAL FLAT NOT SPECIFIED compliant NOT SPECIFIED R-CDFM-F2 Not Qualified SINGLE ENHANCEMENT MODE SOURCE - AMPLIFIER N-CHANNEL - - - - 65 V - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - - S BAND - -
      PD25025F
      PD25025F

      Qorvo
      RoHS :
      Инкапсуляция : -
      Есть складские запасы : -
      1 : -
      Qorvo FPD2250SOT89
      Mfr. Тип
      FPD2250SOT89
      Anlielectronics Тип

      		Qorvo
      RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, SOT-89, 3 PIN
      Сборник данных Сравнение
        Min.:1
        Mult.:1
        		 YES - 3 SILICON - - - - QORVO INC - - - - - - 1 - - - 1 175 °C - PLASTIC/EPOXY SOT-89, 3 PIN RECTANGULAR SMALL OUTLINE Active - - No - - - EAR99 - - - 8541.29.00.95 SINGLE FLAT - compliant - R-PSSO-F3 Not Qualified SINGLE DEPLETION MODE SOURCE - AMPLIFIER N-CHANNEL - - - - 8 V - HIGH ELECTRON MOBILITY - - - 2.5 W -
        FPD2250SOT89
        FPD2250SOT89

        Qorvo
        RoHS :
        Инкапсуляция : -
        Есть складские запасы : -
        1 : -
        Qorvo TGF2023-01
        Mfr. Тип
        TGF2023-01
        Anlielectronics Тип

        		Qorvo
        Transistor
        Сборник данных Сравнение
          Min.:1
          Mult.:1
          		 - - - - - - - - QORVO INC - - - - - - - - - - - - - - - - - Obsolete - - - - - - EAR99 - - - - - - - unknown - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
          TGF2023-01
          TGF2023-01

          Qorvo
          RoHS :
          Инкапсуляция : -
          Есть складские запасы : -
          1 : -
          Qorvo SP2030
          Mfr. Тип
          SP2030
          Anlielectronics Тип

          		Qorvo
          Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
          Сборник данных Сравнение
            Min.:1
            Mult.:1
            		 - - - - - - - - QORVO INC - - - - - - - - - - 1 200 °C - - , - - Active - - - - - - EAR99 - - - - - - - compliant - - - SINGLE - - - - N-CHANNEL - - - - - - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - - - - -
            SP2030
            SP2030

            Qorvo
            RoHS :
            Инкапсуляция : -
            Есть складские запасы : -
            1 : -
            Qorvo TGF2120
            Mfr. Тип
            TGF2120
            Anlielectronics Тип

            		Qorvo
            RF Small Signal Field-Effect Transistor,
            Сборник данных Сравнение
              Min.:1
              Mult.:1
              		 - - - - - - - - QORVO INC - - - - - - - - - - - - - - - - - Obsolete - - Yes - - - EAR99 - - - - - - 260 compliant 30 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
              TGF2120
              TGF2120

              Qorvo
              RoHS :
              Инкапсуляция : -
              Есть складские запасы : -
              1 : -
              Qorvo TGF2957
              Mfr. Тип
              TGF2957
              Anlielectronics Тип

              		Qorvo
              RF Power Field-Effect Transistor
              Сборник данных Сравнение
                Min.:1
                Mult.:1
                		 - - - - - - - - QORVO INC - - - - - - - - - - - - - - , - - Obsolete - - Yes - - - 3A001.B.3.B.2 - - - - - - 260 compliant 30 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
                TGF2957
                TGF2957

                Qorvo
                RoHS :
                Инкапсуляция : -
                Есть складские запасы : -
                1 : -
                Qorvo UF4C120070B7S
                Mfr. Тип
                UF4C120070B7S
                Anlielectronics Тип

                		Qorvo
                1200V, Sic Fet
                Сборник данных Сравнение
                  Min.:1
                  Mult.:1
                  		 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
                  UF4C120070B7S
                  UF4C120070B7S

                  Qorvo
                  RoHS :
                  Инкапсуляция : -
                  Есть складские запасы : -
                  1 : -
                  Qorvo QPD1035L
                  Mfr. Тип
                  QPD1035L
                  Anlielectronics Тип

                  		Qorvo
                  GaN FETs 30W, DC - 6GHz, Flanged
                  Сборник данных Сравнение
                    Min.:1
                    Mult.:1
                    		 - - - - - QPD1035EVB0- 50V, QPD1035LEVB0-50V - 50 - - 145 V 6 GHz + 85 C DC - 40 C - Flanged - - - - - - - - - - 50.4 W RoHS Compliant - - Reel QPD1035L - Power Transistor - - - - - - - - - - - - - 50 W - - - 12.1 dB - - - - - - - - - -
                    QPD1035L
                    QPD1035L

                    Qorvo
                    RoHS :
                    Инкапсуляция : -
                    Есть складские запасы : -
                    1 : -
                    Qorvo QPD1035
                    Mfr. Тип
                    QPD1035
                    Anlielectronics Тип

                    		Qorvo
                    GaN FETs 30W, DC - 6GHz
                    Сборник данных Сравнение
                      Min.:1
                      Mult.:1
                      		 - - - - - QPD1035EVB0- 50V, QPD1035LEVB0-50V - 50 - - 145 V 6 GHz + 85 C DC - 40 C - Flanged - - - - - - - - - - 50.4 W RoHS Compliant - - Reel QPD1035 - Power Transistor - - - - - - - - - - - - - 50 W - - - 12.1 dB - - - - - - - - - -
                      QPD1035
                      QPD1035

                      Qorvo
                      RoHS :
                      Инкапсуляция : -
                      Есть складские запасы : -
                      1 : -
                      Qorvo UJ3C065030K3S
                      Mfr. Тип
                      UJ3C065030K3S
                      Anlielectronics Тип

                      		Qorvo
                      TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
                      Сборник данных Сравнение
                        Min.:1
                        Mult.:1
                        		 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
                        UJ3C065030K3S
                        UJ3C065030K3S

                        Qorvo
                        RoHS :
                        Инкапсуляция : -
                        Есть складские запасы : -
                        1 : -
                        Qorvo CLY2
                        Mfr. Тип
                        CLY2
                        Anlielectronics Тип

                        		Qorvo
                        RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, ROHS COMPLIANT, MW6, 6 PIN
                        Сборник данных Сравнение
                          Min.:1
                          Mult.:1
                          		 YES - 6 GALLIUM ARSENIDE - - 0.6 A - QORVO INC - - - - - - - - - - 1 - - PLASTIC/EPOXY SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 RECTANGULAR SMALL OUTLINE Obsolete - - Yes - - - 5A991.B - - LOW NOISE - DUAL GULL WING 260 compliant 30 R-PDSO-G6 Not Qualified SINGLE DEPLETION MODE SOURCE - AMPLIFIER N-CHANNEL - - - - 9 V - JUNCTION - - S BAND - 14.5 dB
                          CLY2
                          CLY2

                          Qorvo
                          RoHS :
                          Инкапсуляция : -
                          Есть складские запасы : -
                          1 : -
                          Qorvo TGF2952
                          Mfr. Тип
                          TGF2952
                          Anlielectronics Тип

                          		Qorvo
                          Description: RF Small Signal Field-Effect Transistor
                          Сборник данных Сравнение
                            Min.:1
                            Mult.:1
                            		 - - - - - - - - QORVO INC - - - - - - - - - - - - - - , - - Obsolete - - Yes - - - EAR99 - - - - - - 260 compliant 30 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
                            TGF2952
                            TGF2952

                            Qorvo
                            RoHS :
                            Инкапсуляция : -
                            Есть складские запасы : -
                            1 : -
                            Qorvo TGF2953
                            Mfr. Тип
                            TGF2953
                            Anlielectronics Тип

                            		Qorvo
                            RF Power Field-Effect Transistor
                            Сборник данных Сравнение
                              Min.:1
                              Mult.:1
                              		 - - - - - - - - QORVO INC - - - - - - - - - - - - - - , - - Obsolete - - Yes - - - EAR99 - - - - - - 260 compliant 30 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
                              TGF2953
                              TGF2953

                              Qorvo
                              RoHS :
                              Инкапсуляция : -
                              Есть складские запасы : -
                              1 : -
                              Qorvo FPD3000
                              Mfr. Тип
                              FPD3000
                              Anlielectronics Тип

                              		Qorvo
                              RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE
                              Сборник данных Сравнение
                                Min.:1
                                Mult.:1
                                		 YES - - SILICON - - - - QORVO INC - - - - - - - - - - 1 175 °C - UNSPECIFIED DIE RECTANGULAR UNCASED CHIP Active - - - - - - EAR99 - - - 8541.29.00.40 UPPER NO LEAD - compliant - R-XUUC-N Not Qualified - DEPLETION MODE - - AMPLIFIER N-CHANNEL - - - - 10 V - HIGH ELECTRON MOBILITY - - X BAND 7.3 W -
                                FPD3000
                                FPD3000

                                Qorvo
                                RoHS :
                                Инкапсуляция : -
                                Есть складские запасы : -
                                1 : -
                                Qorvo FPD1500SOT89
                                Mfr. Тип
                                FPD1500SOT89
                                Anlielectronics Тип

                                		Qorvo
                                RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, SOT-89, 3 PIN
                                Сборник данных Сравнение
                                  Min.:1
                                  Mult.:1
                                  		 YES - 3 SILICON - - 0.55 A - QORVO INC - - - - - - 1 - - - 1 150 °C - PLASTIC/EPOXY SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 RECTANGULAR SMALL OUTLINE Obsolete - - No - - - EAR99 - - - 8541.29.00.95 SINGLE FLAT - compliant - R-PSSO-F3 Not Qualified SINGLE DEPLETION MODE SOURCE - AMPLIFIER N-CHANNEL - - - - 8 V - HIGH ELECTRON MOBILITY - - - 2.3 W -
                                  FPD1500SOT89
                                  FPD1500SOT89

                                  Qorvo
                                  RoHS :
                                  Инкапсуляция : -
                                  Есть складские запасы : -
                                  1 : -
                                  Qorvo FPD750SOT343E
                                  Mfr. Тип
                                  FPD750SOT343E
                                  Anlielectronics Тип

                                  		Qorvo
                                  Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-4
                                  Сборник данных Сравнение
                                    Min.:1
                                    Mult.:1
                                    		 YES - 4 GALLIUM ARSENIDE - - - - QORVO INC - - - - - - - - - - 1 - - PLASTIC/EPOXY SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 RECTANGULAR SMALL OUTLINE Obsolete - - Yes - - - EAR99 - - - - DUAL GULL WING 260 unknown 30 R-PDSO-G4 Not Qualified SINGLE DEPLETION MODE SOURCE - AMPLIFIER N-CHANNEL - - - - 6 V - HIGH ELECTRON MOBILITY - - S BAND - -
                                    FPD750SOT343E
                                    FPD750SOT343E

                                    Qorvo
                                    RoHS :
                                    Инкапсуляция : -
                                    Есть складские запасы : -
                                    1 : -
                                    Qorvo T1G3000532-SM
                                    Mfr. Тип
                                    T1G3000532-SM
                                    Anlielectronics Тип

                                    		Qorvo
                                    RF Power Field-Effect Transistor,
                                    Сборник данных Сравнение
                                      Min.:1
                                      Mult.:1
                                      		 - - - - - - - - QORVO INC - - - - - - - - - - - - - - , - - Obsolete - - Yes - - - EAR99 - - - - - - 260 compliant 30 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
                                      T1G3000532-SM
                                      T1G3000532-SM

                                      Qorvo
                                      RoHS :
                                      Инкапсуляция : -
                                      Есть складские запасы : -
                                      1 : -
                                      Qorvo UJ4C075033L8S
                                      Mfr. Тип
                                      UJ4C075033L8S
                                      Anlielectronics Тип

                                      		Qorvo
                                      -
                                      Сборник данных Сравнение
                                        Min.:1
                                        Mult.:1
                                        		 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
                                        UJ4C075033L8S
                                        UJ4C075033L8S

                                        Qorvo
                                        RoHS :
                                        Инкапсуляция : -
                                        Есть складские запасы : -
                                        1 : -
                                        Qorvo FPD1050
                                        Mfr. Тип
                                        FPD1050
                                        Anlielectronics Тип

                                        		Qorvo
                                        RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE
                                        Сборник данных Сравнение
                                          Min.:1
                                          Mult.:1
                                          		 YES - - SILICON - - - - QORVO INC - - - - - - - - - - 1 175 °C - UNSPECIFIED DIE RECTANGULAR UNCASED CHIP Active - - - - - - EAR99 - - - 8541.29.00.40 UPPER NO LEAD - compliant - R-XUUC-N Not Qualified SINGLE DEPLETION MODE - - AMPLIFIER N-CHANNEL - - - - 10 V - HIGH ELECTRON MOBILITY - - X BAND 3.4 W -
                                          FPD1050
                                          FPD1050

                                          Qorvo
                                          RoHS :
                                          Инкапсуляция : -
                                          Есть складские запасы : -
                                          1 : -

                                          Discrete Semiconductor Products

                                          Transistors - Special Purpose definition: Transistors - Special Purpose Product Listing: UJ3C120080K3S,PD25025F,FPD2250SOT89,TGF2023-01,SP2030.Discrete Semiconductor Products type:Diodes - Zener - Single(113610),Diodes - Rectifiers - Single(97769),Transistors - FETs, MOSFETs - Single(61202),Transistors - Bipolar (BJT) - Single(34518),Diodes - Rectifiers - Arrays(17034) .Transistors - Special Purpose has 29 pieces of spot stock price information, you can click the "RFQ" button to confirm the inventory and price with the Anli.