| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Lifecycle Status | Contact Plating | Mount | Mounting Type | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Number of Terminals | Access Time-Max | Clock Frequency-Max (fCLK) | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Memory Types | Number of Words | Number of Words Code | Operating Temperature-Max | Operating Temperature-Min | Package Body Material | Package Code | Package Description | Package Equivalence Code | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Part Package Code | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | RoHS | Rohs Code | Supply Voltage-Nom (Vsup) | Usage Level | Operating Temperature | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Type | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Subcategory | Technology | Voltage - Supply | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Number of Functions | Supply Voltage | Terminal Pitch | Reach Compliance Code | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Supply Voltage | Supply Voltage-Max (Vsup) | Power Supplies | Temperature Grade | Supply Voltage-Min (Vsup) | Voltage | Interface | Max Supply Voltage | Min Supply Voltage | Memory Size | Number of Ports | Nominal Supply Current | Operating Mode | Clock Frequency | Supply Current-Max | Access Time | Memory Format | Memory Interface | Organization | Seated Height-Max | Memory Width | Write Cycle Time - Word, Page | Address Bus Width | Density | Standby Current-Max | Memory Density | Screening Level | Access Time (Max) | Parallel/Serial | Sync/Async | Word Size | Memory IC Type | Programming Voltage | Serial Bus Type | Endurance | Write Cycle Time-Max (tWC) | Data Retention Time-Min | Write Protection | Alternate Memory Width | Data Polling | Toggle Bit | Command User Interface | Number of Sectors/Size | Sector Size | Page Size | Ready/Busy | Boot Block | Common Flash Interface | Access Mode | Nominal Supply Voltage (DC) | Height Seated (Max) | Length | Width | Radiation Hardening | RoHS Status |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Mfr. ТипMT28EW512ABA1LPN-0SITAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 512M PARALLEL 56VFBGA
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 7 Weeks | - | - | - | Surface Mount | 56-VFBGA | YES | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2016 | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 56 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.7V~3.6V | BOTTOM | - | NOT SPECIFIED | 1 | 3V | 0.8mm | - | NOT SPECIFIED | - | - | R-PBGA-B56 | - | - | 3.6V | - | - | 2.7V | - | - | - | - | 512Mb 64M x 8 32M x 16 | - | - | ASYNCHRONOUS | - | - | 95ns | FLASH | Parallel | 32MX16 | - | 16 | 60ns | - | - | - | 536870912 bit | - | - | - | - | - | - | 3V | - | - | - | - | - | 8 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1mm | 9mm | 7mm | - | ROHS3 Compliant | ||
| MT28EW512ABA1LPN-0SIT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMTFC16GAPALBH-AITAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 128G MMC
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | - | - | - | Surface Mount | 153-TFBGA | YES | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | - | e•MMC™ | e1 | - | Active | - | 153 | - | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - | - | - | - | - | 1.7V~1.9V | BOTTOM | - | 260 | 1 | - | 0.5mm | compliant | 30 | - | - | R-PBGA-B153 | - | - | 3.6V | - | - | 2.7V | - | - | - | - | 128Gb 16G x 8 | - | - | SYNCHRONOUS | - | - | - | FLASH | MMC | 16GX8 | - | 8 | - | - | - | - | 137438953472 bit | - | - | PARALLEL | - | - | - | 2.7V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 13mm | 11.5mm | - | RoHS Compliant | ||
| MTFC16GAPALBH-AIT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипN25Q032A13ESF40FAnlielectronics Тип | Micron |
Flash, 8MX4, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP2-16
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | YES | - | 16 | - | 108 MHz | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | N25Q032A13ESF40F | - | 8388608 words | 8000000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | SOP | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP2-16 | SOP16,.4 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Obsolete | - | 30 | 8 | - | Yes | 3 V | - | - | - | - | - | - | Yes | - | - | - | - | NOR TYPE | - | - | - | ALSO CAN BE ORGANISED AS 32M X 1 | - | Flash Memories | CMOS | - | DUAL | GULL WING | 260 | 1 | - | 1.27 mm | compliant | - | - | - | R-PDSO-G16 | Not Qualified | - | 3.6 V | 3/3.3 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | - | - | - | - | - | - | - | SYNCHRONOUS | - | 0.02 mA | - | - | - | 8MX4 | 2.65 mm | 4 | - | - | - | 0.0001 A | 33554432 bit | - | - | SERIAL | - | - | FLASH | 2.7 V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | - | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 10.3 mm | 7.5 mm | - | - | ||
| N25Q032A13ESF40F | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипM25P80-VMN6TPBAAnlielectronics Тип | Micron |
Flash, 8MX1, PDSO8, ROHS COMPLIANT, PACKAGE
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | YES | - | 8 | - | 75 MHz | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | M25P80-VMN6TPBA | - | 8388608 words | 8000000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | SOP | SOP, SOP8,.25 | SOP8,.25 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Obsolete | SON | NOT SPECIFIED | 7.59 | - | Yes | - | Automotive grade | - | - | - | - | - | Yes | - | - | - | EAR99 | NOR TYPE | - | - | - | - | 8542.32.00.51 | Flash Memories | CMOS | - | DUAL | GULL WING | NOT SPECIFIED | 1 | - | 1.27 mm | compliant | - | - | 8 | R-PDSO-G8 | Not Qualified | - | 3.6 V | 3/3.3 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | - | - | - | - | - | - | - | SYNCHRONOUS | - | 0.015 mA | - | - | - | 8MX1 | 1.75 mm | 1 | - | - | - | 0.00001 A | 8388608 bit | AEC-Q100 | - | SERIAL | - | - | FLASH | 2.7 V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 15 ms | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4.9 mm | 3.9 mm | - | - | ||
| M25P80-VMN6TPBA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипM29W128GL70N3EAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8/8M x 16 70ns Automotive 56-Pin TSOP Tray
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | Surface Mount | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 56 | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~125°C TA | Tray | 2008 | - | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 56 | - | - | MATTE TIN | - | - | - | - | - | - | 2.7V~3.6V | DUAL | - | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | - | 30 | M29W128 | 56 | - | - | - | - | 3/3.3V | - | - | 2.7V | - | - | - | 128Mb 16M x 8 8M x 16 | - | 10mA | - | - | - | - | FLASH | Parallel | 8KX16 | - | 16 | 70ns | - | 128 Mb | 0.0001A | - | - | 70 ns | - | Asynchronous | - | - | - | - | - | - | - | - | 8 | YES | YES | YES | 128 | 128K | 8/16words | YES | - | YES | - | - | 1.2mm | 18.4mm | 14mm | No | ROHS3 Compliant | ||
| M29W128GL70N3E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипN25Q064A13E1241EAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
NOR Flash Serial 3.3V 64M-bit 64M/32M/16M x 1/2-bit/4-bit Tray
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | Surface Mount | 24-TBGA | YES | 24 | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2011 | - | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 24 | - | - | TIN SILVER COPPER | - | - | - | - | - | - | 2.7V~3.6V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 1.8V | 1mm | - | 30 | N25Q064 | - | - | - | 3.3V | - | - | - | - | 2.7V | SPI, Serial | - | - | 64Mb 16M x 4 | - | - | - | 108MHz | - | - | FLASH | SPI | 64MX1 | - | 1 | 8ms, 5ms | - | 64 Mb | - | - | - | - | - | Synchronous | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 8mm | 6mm | - | ROHS3 Compliant | ||
| N25Q064A13E1241E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипJS28F00AP33TFAAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | Surface Mount | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 56 | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2013 | - | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 56 | - | - | MATTE TIN | - | - | - | - | - | - | 2.3V~3.6V | DUAL | - | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | - | 30 | 28F00AP33 | 56 | - | - | - | - | - | - | - | 2.3V | Parallel, Serial | - | - | 1Gb 64M x 16 | - | 31mA | - | 40MHz | - | - | FLASH | Parallel | 64MX16 | - | 16 | 105ns | 26b | 1 Gb | - | - | - | 105 ns | - | Asynchronous | 16b | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 18.4mm | - | No | ROHS3 Compliant | ||
| JS28F00AP33TFA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипM29W128GH60ZA6EAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8/8M x 16 60ns 64-Pin TBGA Tray
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | Surface Mount | 64-TBGA | YES | 64 | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2015 | - | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 64 | 3A991.B.1.A | - | TIN SILVER COPPER | - | - | - | 8542.32.00.51 | - | - | 2.7V~3.6V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 3V | 1mm | - | 30 | M29W128 | 64 | - | - | - | - | 3/3.3V | - | - | 2.7V | - | - | - | 128Mb 16M x 8 8M x 16 | - | 10mA | - | - | - | - | FLASH | Parallel | 8KX16 | - | 16 | 60ns | - | 128 Mb | 0.0001A | - | - | 60 ns | - | Asynchronous | - | - | - | - | - | - | - | - | 8 | YES | YES | YES | 128 | 128K | 8/16words | YES | - | YES | - | - | 1.2mm | 13mm | 10mm | No | ROHS3 Compliant | ||
| M29W128GH60ZA6E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипN25Q128A11ESF40FAnlielectronics Тип | Micron |
Flash, 128MX1, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOP2-16
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | YES | - | 16 | - | 108 MHz | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | N25Q128A11ESF40F | - | 134217728 words | 128000000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | SOP | SOP, SOP16,.4 | SOP16,.4 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Obsolete | - | 30 | 5.59 | - | Yes | 1.8 V | - | - | - | - | - | - | Yes | - | - | - | - | NOR TYPE | - | - | - | - | - | Flash Memories | CMOS | - | DUAL | GULL WING | 260 | 1 | - | 1.27 mm | compliant | - | - | - | R-PDSO-G16 | Not Qualified | - | 2 V | 1.8 V | INDUSTRIAL | 1.7 V | - | - | - | - | - | - | - | SYNCHRONOUS | - | 0.02 mA | - | - | - | 128MX1 | 2.65 mm | 1 | - | - | - | 0.00001 A | 134217728 bit | - | - | SERIAL | - | - | FLASH | 1.8 V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | - | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 10.3 mm | 7.5 mm | - | - | ||
| N25Q128A11ESF40F | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMT53D512M32D2DS-046 AUT:DAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC DRAM 16G 2133MHZ
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 6 Weeks | - | - | - | Surface Mount | 200-WFBGA | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~125°C TC | Tray | - | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.1V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 16Gb 512M x 32 | - | - | - | 2133MHz | - | - | DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | ||
| MT53D512M32D2DS-046 AUT:D | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMT29F32G08CBABAWP:BAnlielectronics Тип | Micron |
Flash, 4GX8, 20ns, PDSO48
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Obsolete (Last Updated: 2 years ago) | - | Surface Mount | - | - | YES | 48 | 48 | 20 ns | - | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | MT29F32G08CBABAWP:B | NAND | 4294967296 words | 4000000000 | 70 °C | - | PLASTIC/EPOXY | TSSOP | - | TSSOP48,.8,20 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | Obsolete | - | - | 8.6 | Compliant | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | MLC NAND TYPE | - | 70 °C | 0 °C | - | - | Flash Memories | CMOS | - | DUAL | GULL WING | - | - | - | 0.5 mm | unknown | - | - | - | R-PDSO-G48 | Not Qualified | 3.3 V | - | 3/3.3 V | COMMERCIAL | - | - | Parallel, Serial | 3.6 V | 2.7 V | 3.7 GB | - | - | - | - | 0.05 mA | - | - | - | 4GX8 | - | 8 | - | 22 b | 32 Gb | 0.00005 A | 34359738368 bit | - | - | PARALLEL | Asynchronous | 8 b | FLASH | - | - | - | - | - | - | - | NO | NO | YES | 4K | 1M | 4K words | YES | - | - | - | 3.3 V | - | - | - | - | - | ||
| MT29F32G08CBABAWP:B | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMT29F2G08ABDHC:DAnlielectronics Тип | Micron |
Flash, 256MX8, 25ns, PBGA63
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | YES | - | 63 | 25 ns | - | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | MT29F2G08ABDHC:D | - | 268435456 words | 256000000 | 70 °C | - | PLASTIC/EPOXY | FBGA | - | BGA63,10X12,32 | RECTANGULAR | GRID ARRAY, FINE PITCH | Obsolete | - | - | 5.81 | - | Yes | 1.8 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SLC NAND TYPE | - | - | - | - | - | Flash Memories | CMOS | - | BOTTOM | BALL | - | - | - | 0.8 mm | unknown | - | - | - | R-PBGA-B63 | Not Qualified | - | - | 1.8 V | COMMERCIAL | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0.02 mA | - | - | - | 256MX8 | - | 8 | - | - | - | 0.00005 A | 2147483648 bit | - | - | PARALLEL | - | - | FLASH | - | - | - | - | - | - | - | NO | NO | YES | 2K | 128K | 2K words | YES | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| MT29F2G08ABDHC:D | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMT25QL512ABB8E12-0AUT TRAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 5 Weeks | - | - | - | Surface Mount | 24-TBGA | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | - | Automotive, AEC-Q100 | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.7V~3.6V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 512Mb 64M x 8 | - | - | - | 133MHz | - | - | FLASH | SPI | - | - | - | 8ms, 2.8ms | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | ||
| MT25QL512ABB8E12-0AUT TR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипRC28F256P33BFEAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 256M PARALLEL 64EASYBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | Surface Mount | 64-TBGA | YES | 64 | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TC | Tray | 2009 | Axcell™ | e1 | no | Obsolete | 3 (168 Hours) | 64 | 3A991.B.1.A | - | TIN SILVER COPPER | - | - | - | 8542.32.00.51 | - | - | 2.3V~3.6V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 3V | 1mm | - | 30 | 28F256P33 | 64 | - | - | - | - | 2.5/3.3V | - | - | 2.3V | Parallel, Serial | - | - | 256Mb 16M x 16 | - | 31mA | - | 52MHz | - | - | FLASH | Parallel | 16MX16 | - | 16 | 95ns | 24b | 256 Mb | 0.00021A | - | - | 95 ns | - | Asynchronous | 16b | - | - | - | - | - | - | - | - | NO | NO | - | 4255 | - | - | - | BOTTOM | - | - | - | 1.2mm | 13mm | - | No | Non-RoHS Compliant | ||
| RC28F256P33BFE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипM29F200FT5AN6E2Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
NOR Flash Parallel 5V 2M-bit 256K x 8/128K x 16 55ns Automotive 48-Pin TSOP Tray
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | Surface Mount | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 48 | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | -40°C~85°C TA | Tray | 2014 | - | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | - | MATTE TIN | - | - | TOP BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | - | - | 4.5V~5.5V | DUAL | - | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | - | 30 | M29F200 | 48 | - | - | 5V | - | 5V | - | - | 4.5V | - | - | - | 2Mb 256K x 8 128K x 16 | - | 20mA | - | - | - | - | FLASH | Parallel | 128KX16 | - | 16 | 55ns | - | 2 Mb | 0.00012A | - | AEC-Q100 | 55 ns | - | Asynchronous | - | - | - | - | - | - | - | - | 8 | YES | YES | YES | 1213 | 16K8K32K64K | - | YES | TOP | YES | - | - | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | No | ROHS3 Compliant | ||
| M29F200FT5AN6E2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипM29W800DB45ZE6EAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 8M PARALLEL 48TFBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Copper, Silver, Tin | - | Surface Mount | 48-TFBGA | YES | 48 | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2009 | - | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | - | TIN SILVER COPPER | - | - | BOTTOM BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | - | - | 2.7V~3.6V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | 30 | M29W800 | 48 | - | - | - | - | 3.3V | - | - | 2.7V | - | - | - | 8Mb 1M x 8 512K x 16 | - | 10mA | - | - | - | - | FLASH | Parallel | 512KX16 | - | 16 | 45ns | - | 8 Mb | 0.0001A | - | - | 45 ns | - | Asynchronous | - | - | - | - | - | - | - | - | 8 | YES | YES | YES | 12115 | 16K8K32K64K | - | YES | BOTTOM | YES | - | - | 1.2mm | 8mm | 6mm | No | ROHS3 Compliant | ||
| M29W800DB45ZE6E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипEDFB164A1MA-JD-F-DAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC DRAM 32G PARALLEL 933MHZ
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| Min.:1 Mult.:1 | 9 Weeks | - | - | - | - | FBGA | YES | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -30°C~85°C TA | Bulk | 2015 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 253 | EAR99 | - | - | - | - | AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM | - | - | - | 1.14V~1.95V | BOTTOM | - | - | 1 | 1.2V | 0.5mm | - | - | - | - | S-PBGA-B253 | - | - | 1.3V | - | - | 1.14V | - | - | - | - | 32Gb 512M x 64 | 1 | - | SYNCHRONOUS | 933MHz | - | - | DRAM | Parallel | 512MX64 | - | 64 | - | - | - | - | 34359738368 bit | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | DUAL BANK PAGE BURST | - | 0.95mm | 12.5mm | 12.5mm | - | ROHS3 Compliant | ||
| EDFB164A1MA-JD-F-D | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMT53D512M32D2DS-046 AAT:DAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC DRAM 16G 2133MHZ
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | Surface Mount | 200-WFBGA | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~105°C TA | Tray | - | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.1V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 16Gb 512M x 32 | - | - | - | 2133MHz | - | - | DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | ||
| MT53D512M32D2DS-046 AAT:D | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипN25Q128A13E1240FAnlielectronics Тип | Micron |
Flash, 128MX1, PBGA24, TBGA-24
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | YES | - | 24 | - | 108 MHz | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | N25Q128A13E1240F | - | 134217728 words | 128000000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | TBGA | TBGA, BGA24,5X5,40 | BGA24,5X5,40 | RECTANGULAR | GRID ARRAY, THIN PROFILE | Obsolete | - | 30 | 5.73 | - | Yes | 3 V | - | - | - | - | - | e1 | Yes | - | - | - | - | NOR TYPE | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - | - | - | Flash Memories | CMOS | - | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | - | 1 mm | compliant | - | - | - | R-PBGA-B24 | Not Qualified | - | 3.6 V | 3/3.3 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | - | - | - | - | - | - | - | SYNCHRONOUS | - | 0.02 mA | - | - | - | 128MX1 | 1.2 mm | 1 | - | - | - | 0.0001 A | 134217728 bit | - | - | SERIAL | - | - | FLASH | 3 V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | - | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8 mm | 6 mm | - | - | ||
| N25Q128A13E1240F | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипEDB4064B4PB-1DIT-F-DAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
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| Min.:1 Mult.:1 | 9 Weeks | - | - | - | Surface Mount | 216-WFBGA | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TC | Tray | - | - | - | - | Last Time Buy | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.14V~1.95V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4Gb 64M x 64 | - | - | - | 533MHz | - | - | DRAM | Parallel | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | ||
| EDB4064B4PB-1DIT-F-D |
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