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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Lifecycle Status | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Transistor Element Material | Channel Mode | ECCN (US) | HTS | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | Maximum Drain Source Voltage (V) | Maximum Frequency (MHz) | Maximum Gate Source Voltage (V) | Maximum Operating Temperature (°C) | Maximum VSWR | Mfr | Minimum Frequency (MHz) | Minimum Operating Temperature (°C) | Mounting | Number of Elements | Number of Elements per Chip | Operating Temperature (Max.) | Output Power (W) | Package | Package Description | Package Height | Package Length | Package Width | Part Life Cycle Code | PCB changed | Process Technology | Product Status | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | Rohs Code | Supplier Package | Typical Drain Efficiency (%) | Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | Typical Power Gain (dB) | Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | Usage Level | Voltage Rated | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | HTS Code | Voltage - Rated DC | Current Rating (Amps) | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | Reference Standard | JESD-30 Code | Qualification Status | Configuration | Element Configuration | Operating Mode | Power Dissipation | Case Connection | Current - Test | Transistor Application | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Continuous Drain Current (ID) | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | Max Output Power | Drain Current-Max (Abs) (ID) | Drain to Source Breakdown Voltage | Input Capacitance | DS Breakdown Voltage-Min | Channel Type | Power - Output | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Noise Figure | Voltage - Test | Feedback Cap-Max (Crss) | Highest Frequency Band | Mode of Operation | Radiation Hardening | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипFTD2019S-TL-EAnlielectronics Тип | onsemi |
NCH NCH 2.5V DRIVE SERIES
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | onsemi | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| FTD2019S-TL-E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2SK2617ALS-CB11Anlielectronics Тип | onsemi |
NCH 15V DRIVE SERIES
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | onsemi | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2SK2617ALS-CB11 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF7S27130HSR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.7GHZ NI-780S
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NI-780S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.7GHz | - | MRF7S27130 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.5A | - | - | - | LDMOS | - | - | 16.5dB | - | - | - | - | - | - | 23W | - | - | - | 28V | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF7S27130HSR5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMCH6644-C-TL-EAnlielectronics Тип | onsemi |
PCH NCH 4V DRIVE SERIES
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | onsemi | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| MCH6644-C-TL-E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2SK2010-CTV-YA14Anlielectronics Тип | onsemi |
NCH 10V DRIVE SERIES
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | onsemi | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2SK2010-CTV-YA14 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMCH3415-TL-EAnlielectronics Тип | onsemi |
NCH 4V DRIVE SERIES
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | onsemi | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| MCH3415-TL-E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMCH3414-EBM-TL-EAnlielectronics Тип | onsemi |
NCH 4V DRIVE SERIES
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | onsemi | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| MCH3414-EBM-TL-E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF871,112Anlielectronics Тип | NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 89V 3-Pin LDMOST Bulk
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | Enhancement | EAR99 | 8541.29.00.75 | AMPLEON NETHERLANDS B V | Ampleon | BLF871,112 | 210(Typ)@6.15V | 89 | 1000 | 13 | 200 | 10 | - | 1 | -65 | Screw | - | 1 | - | 100(Typ) | - | , | 4.67(Max) | 20.45(Max) | 5.97(Max) | Obsolete | 3 | LDMOS | - | NOT SPECIFIED | 8.49 | Yes | LDMOST | 60 | 95@40V | 30@40V | 21|21|21|21|21|21|22 | 1@40V | - | - | Bulk | - | - | - | - | Obsolete | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | unknown | - | - | - | - | 3 | - | - | - | Single | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N | - | - | - | - | - | - | - | CW Class-AB|DVB-T|2-Tone Class-AB | - | RoHS Compliant | - | ||
| BLF871,112 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF21030LR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Transistors RF MOSFET 30W 2.2GHZ LDMOS NI400L
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NI-400 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2011 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.14GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 250mA | - | - | - | LDMOS | - | - | 13dB | - | - | - | - | - | - | 30W | - | - | - | 28V | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF21030LR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипCLF1G0035S-100PUAnlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | SOT-1228B | YES | - | GALLIUM NITRIDE | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150V | Tray | 2011 | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | FLAT | - | unknown | - | 3GHz | - | CLF1G0035 | - | IEC-60134 | R-CDFP-F4 | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | DEPLETION MODE | - | SOURCE | 100mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | HEMT | - | - | 14dB | - | - | - | - | 150V | - | 100W | HIGH ELECTRON MOBILITY | - | - | 50V | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| CLF1G0035S-100PU | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипA2T18H100-25SR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans MOSFET N-CH -0.5V/65V 8-Pin NI-780S T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | NI-780-4S4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 1.81GHz | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 230mA | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | 18.1dB | - | - | - | - | - | - | 18W | - | - | - | 28V | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| A2T18H100-25SR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF8P20140WHR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors HV8 2GHZ 24W NI780-4
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | NI780-4 | YES | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | 125°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | - | Active | Not Applicable | 4 | EAR99 | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | FLAT | 260 | - | - | 1.88GHz~1.91GHz | 40 | MRF8P20140 | - | - | R-CDFM-F4 | Not Qualified | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 500mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual) | - | - | 16dB | - | - | - | - | 65V | - | 24W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF8P20140WHR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипSD56120Anlielectronics Тип | STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 60V 14A 5-Pin Case M-246 Tube
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | NRND (Last Updated: 8 months ago) | Screw | M246 | - | 5 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | 200°C | -65°C | - | 65V | - | 217W | - | FLAT | - | - | 14A | 860MHz | - | SD56120 | 4 | - | R-PDFM-F4 | - | - | Dual | ENHANCEMENT MODE | 217W | SOURCE | 400mA | AMPLIFIER | 65V | N-CHANNEL | LDMOS | 14A | 20V | 16dB | 100W | - | 65V | 82pF | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| SD56120 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипAFT09S282NR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 70V 3-Pin OM-780 EP T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | OM-780-2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 70V | Tape & Reel (TR) | 2012 | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | Matte Tin (Sn) | - | - | 8541.29.00.40 | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 960MHz | 40 | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | - | 1.4A | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 20dB | - | - | - | - | - | - | 80W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFT09S282NR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF1105R,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.03A 4-Pin(3 Tab) SOT-143R T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | SOT-143R | YES | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 7V | Tape & Reel (TR) | 1997 | - | e3 | - | Not For New Designs | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | Tin (Sn) | - | - | 8541.21.00.75 | - | 30mA | - | - | GULL WING | 260 | - | - | 800MHz | NOT SPECIFIED | BF1105 | 4 | - | R-PDSO-G4 | Not Qualified | SINGLE | - | DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | AMPLIFIER | - | - | N-Channel Dual Gate | - | - | 20dB | - | 0.03A | - | - | 7V | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 1.7dB | 5V | 0.04 pF | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF1105R,215 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLP8G10S-45PGYAnlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | 4-BESOP (0.173, 4.40mm Width) | YES | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 4 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | GULL WING | NOT SPECIFIED | unknown | - | 952.5MHz~957.5MHz | NOT SPECIFIED | BLP8G10 | - | IEC-60134 | R-PDSO-G4 | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | 224mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual), Common Source | - | - | 20.8dB | - | - | - | - | 65V | - | 2.5W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLP8G10S-45PGY | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипJ211-D74ZAnlielectronics Тип | ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 20MA TO92
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 38 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | - | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | NO | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Military grade | 25V | Tape & Box (TB) | 2012 | - | - | yes | Active | 1 (Unlimited) | 3 | - | - | - | - | - | - | 20mA | - | BOTTOM | THROUGH-HOLE | - | - | - | - | - | - | - | - | O-PBCY-T3 | Not Qualified | SINGLE | - | DEPLETION MODE | - | - | - | AMPLIFIER | - | - | N-Channel JFET | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | JUNCTION | 0.35W | - | - | - | VERY HIGH FREQUENCY B | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| J211-D74Z | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипNE3510M04-07-T2-AAnlielectronics Тип | Renesas Electronics America Inc |
RF SMALL SIGNAL FET
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Renesas Electronics America Inc | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| NE3510M04-07-T2-A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипAFT18H357-24NR6Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors 1805-1995 MHz, 63 W AVG., 28 V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | OM-1230-4L2L | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2005 | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | TIN | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 1.81GHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 800mA | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | 17.5dB | - | - | - | - | - | - | 63W | - | - | - | 28V | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFT18H357-24NR6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF7G22LS-200,118Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | SOT-502B | YES | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2010 | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 2.11GHz~2.17GHz | NOT SPECIFIED | BLF7G22 | - | IEC-60134 | R-CDFP-F2 | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 1.62A | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 18.5dB | - | - | - | - | 65V | - | 55W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLF7G22LS-200,118 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ