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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Lifecycle Status | Contact Plating | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Transistor Element Material | Base Product Number | Brand | Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity | Forward Transconductance - Min | Id - Continuous Drain Current | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Package Code | Manufacturer Part Number | Maximum Operating Temperature | Mfr | Minimum Operating Temperature | Mounting Styles | NF - Noise Figure | Number of Elements | OIP3 - Third Order Intercept | Operating Temperature (Max.) | P1dB - Compression Point | Package | Package Description | Part Life Cycle Code | Part Package Code | Pd - Power Dissipation | Product Status | Rds On - Drain-Source Resistance | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | RoHS | Rohs Code | Transistor Polarity | Unit Weight | Usage Level | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Vgs - Gate-Source Voltage | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Voltage Rated | Voltage, Rating | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Type | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Subcategory | Voltage - Rated DC | Current Rating (Amps) | Max Power Dissipation | Technology | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | Reference Standard | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Frequency | Brand Name | Operating Supply Voltage | Configuration | Number of Channels | Test Frequency | Operating Supply Current | Element Configuration | Operating Mode | Power Dissipation | Case Connection | Output Power | Current - Test | Transistor Application | Halogen Free | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Product Type | Transistor Type | Continuous Drain Current (ID) | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | Max Frequency | Max Output Power | Drain Current-Max (Abs) (ID) | Drain to Source Breakdown Voltage | DS Breakdown Voltage-Min | Power - Output | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Noise Figure | Voltage - Test | Feedback Cap-Max (Crss) | Highest Frequency Band | Test Voltage | Min Breakdown Voltage | Product Category | Radiation Hardening | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипBLF573S,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | - | SOT-502B | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 110V | - | Tray | 2010 | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | 42A | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 225MHz | NOT SPECIFIED | - | - | IEC-60134 | R-CDFP-F2 | - | - | - | - | SINGLE | - | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 900mA | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | - | LDMOS | - | - | 27.2dB | - | - | 42A | - | 110V | 300W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 50V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLF573S,112 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF2040E6814HTSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.04A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-143 T/R
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| Min.:1 Mult.:1 | 4 Weeks | - | Tin | Surface Mount | TO-253-4, TO-253AA | - | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Military grade | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | e3 | - | Not For New Designs | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | - | 150°C | -55°C | LOW NOISE | - | - | 8V | - | 200mW | - | DUAL | GULL WING | NOT SPECIFIED | - | 40mA | 800MHz | NOT SPECIFIED | BF2040 | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE | - | - | - | - | DUAL GATE, DEPLETION MODE | - | SOURCE | - | 15mA | AMPLIFIER | Not Halogen Free | 8V | - | - | N-Channel | 40mA | 15V | 23dB | - | - | - | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 1.6dB | 5V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| BF2040E6814HTSA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6V2300NR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin TO-270 W T/R
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | TO-270AB | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | 225°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 110V | - | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | e3 | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 4 | EAR99 | - | Tin (Sn) | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | DUAL | FLAT | 260 | not_compliant | - | 220MHz | 40 | MRF6V2300 | - | - | R-PDFM-F4 | Not Qualified | - | - | - | SINGLE | - | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 900mA | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | - | LDMOS | - | - | 25.5dB | - | - | - | - | 110V | 300W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 50V | - | - | - | - | - | - | Non-RoHS Compliant | - | ||
| MRF6V2300NR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипUPA608T(0)-T1-AAnlielectronics Тип | Renesas Electronics America Inc |
SMALL SIGNAL FET
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Renesas Electronics America Inc | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| UPA608T(0)-T1-A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRFE6VP5600HSR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230HS
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | NI-1230-4S | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | 225°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 130V | - | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | - | Active | Not Applicable | 4 | EAR99 | - | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | FLAT | 260 | - | - | 230MHz | 40 | MRFE6VP5600 | - | - | R-CDFP-F4 | Not Qualified | - | - | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 100mA | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | - | LDMOS (Dual) | - | - | 25dB | - | - | - | - | 130V | 600W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 1670W | - | 50V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRFE6VP5600HSR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF513,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans JFET N-CH 20V 30mA Si 3-Pin TO-236AB T/R
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | - | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 20V | - | Tape & Reel (TR) | 1997 | - | e3 | - | Not For New Designs | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | - | Tin (Sn) | - | - | LOW NOISE | 8541.21.00.75 | - | - | 30mA | - | - | DUAL | GULL WING | 260 | - | - | 100MHz | NOT SPECIFIED | - | 3 | - | R-PDSO-G3 | Not Qualified | - | - | - | SINGLE | - | - | - | - | DEPLETION MODE | - | - | - | 5mA | AMPLIFIER | - | - | - | - | N-Channel JFET | - | - | - | - | - | 0.03A | - | 20V | - | JUNCTION | 0.25W | 1.5dB | 10V | 0.4 pF | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF513,215 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипSD2931Anlielectronics Тип | STMicroelectronics |
IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M244
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Screw | M244 | - | 174 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tray | - | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 4 | EAR99 | - | - | 200°C | -65°C | - | - | - | - | - | 292W | - | RADIAL | FLAT | NOT SPECIFIED | - | 20A | 175MHz | NOT SPECIFIED | SD2931 | - | - | O-PRFM-F4 | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | ENHANCEMENT MODE | 292W | - | - | 250mA | - | - | 125V | - | - | N-Channel | 20A | 20V | 15dB | - | 150W | - | 125V | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 50V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| SD2931 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипTAV-541Anlielectronics Тип | Mini-Circuits |
RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | 4-SMD, No Lead | - | - | FG873 | - | - | Mini-Circuits | 500 | - | - | - | Mini-Circuits | - | - | + 85 C | Mini-Circuits | - 40 C | SMD/SMT | 0.4 dB | - | 35.9 dBm | - | 21.1 dBm | - | - | - | - | 550 mW | Active | - | - | - | Details | - | - | - | - | - | - | - | 5 V | - | MouseReel | - | - | - | - | - | - | - | - | Low Noise Amplifiers | - | - | - | - | - | Wireless & RF Integrated Circuits | - | - | - | Si | - | - | - | - | - | 450MHz ~ 6GHz | - | - | - | - | - | - | 450 MHz to 6 GHz | - | 4 V | - | 1 Channel | 2 GHz | 60 mA | - | - | - | - | - | 60 mA | - | - | - | - | RF Amplifier | E-pHEMT | - | - | 23.8dB | - | - | - | - | - | 21.1dB | - | - | 1.8dB @ 5.8GHz | 3 V | - | - | - | - | RF Amplifier | - | - | - | ||
| TAV-541 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипAFT26H250-24SR6Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans MOSFET N-CH 65V 6-Pin NI-1230S T/R
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | NI-1230-4LS2L | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 225°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | - | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | - | 8541.29.00.40 | - | - | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 2.5GHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | - | - | - | - | - | 700mA | - | - | - | N-CHANNEL | - | LDMOS | - | - | 14.1dB | - | - | - | - | - | 50W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFT26H250-24SR6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF157Anlielectronics Тип | M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 125V 80MHZ 368-03 1=1PC
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 20 Weeks | - | - | Screw | 368-03 | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Military grade | - | - | - | - | - | Tray | 2001 | - | - | yes | Active | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | - | 150°C | -65°C | - | - | - | - | - | 1.35kW | - | DUAL | FLAT | - | - | 60A | 80MHz | - | - | 2 | - | R-XDFM-F2 | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 800mA | AMPLIFIER | - | 125V | - | - | N-Channel | 60A | 40V | 21dB | - | - | - | - | - | 600W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 50V | - | - | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MRF157 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF1K50GNR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | OM-1230G-4L | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | - | yes | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 1.8MHz~500MHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 23dB | - | - | - | - | - | 1500W | - | - | - | 50V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF1K50GNR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF7S38075HSR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780S T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | NI-780S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | - | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | EAR99 | - | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3.4GHz~3.6GHz | - | MRF7S38075 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 900mA | - | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 14dB | - | - | - | - | - | 12W | - | - | - | 30V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF7S38075HSR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF7P20040HSR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin NI-780S T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | NI-780S-4 | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | 225°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | - | Tape & Reel (TR) | 2010 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 4 | EAR99 | - | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | FLAT | 260 | - | - | 2.03GHz | 40 | MRF7P20040 | - | - | R-CDFP-F4 | Not Qualified | - | - | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 150mA | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | - | LDMOS (Dual) | - | - | 18.2dB | - | - | - | - | 65V | 10W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 32V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF7P20040HSR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2SK853A-T1-AAnlielectronics Тип | Renesas Electronics America Inc |
SMALL SIGNAL FET
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 1 Week | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RENESAS ELECTRONICS CORP | Renesas Electronics Corporation | PTSP0003JA-A3 | 2SK853A-T1-A | - | Renesas Electronics America Inc | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | , | Obsolete | SSP | - | Obsolete | - | NOT SPECIFIED | 5.82 | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | compliant | - | - | - | - | 3 | - | - | - | - | Renesas | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2SK853A-T1-A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипARF461BGAnlielectronics Тип | Microchip Technology |
RF MOSFET Transistors FG, MOSFET, 1000V, TO-247, RoHSView in Development Tools Selector
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Production (Last Updated: 2 months ago) | - | Through Hole | TO-247-3 | - | - | TO-247 | - | ARF461 | - | 1 | 3 mS | 6.5 A | - | - | - | - | + 150 C | Microchip Technology | - 55 C | Through Hole | - | 1 | - | - | - | Bulk | - | - | - | 250 W | Active | - | - | - | Details | - | N-Channel | 0.434480 oz | - | 1 kV | 30 V | 5 V | 1000 V | 1 kV | Tube | - | - | - | - | - | - | - | - | RF Power MOSFET | - | 150 °C | -55 °C | - | - | - | - | 25µA | 250 W | - | - | - | - | - | 6.5 A | 65MHz | - | - | - | - | - | - | 65 MHz | - | - | N-Channel | 1 Channel | - | - | - | - | - | - | 150 W | - | - | - | - | - | - | - | 6.5 A | - | 13 dB | 65 MHz | - | - | - | - | 150W | - | - | - | 50 V | - | - | 250 V | 1 kV | - | No | - | Contains Lead | ||
| ARF461BG | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF1108R,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
IC RF SWITCH SOT-143R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | - | SOT-143R | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3V | - | Tape & Reel (TR) | 1995 | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | Tin (Sn) | - | - | - | 8541.21.00.75 | - | - | 10mA | - | - | DUAL | GULL WING | 260 | - | - | - | 40 | BF1108 | 4 | - | R-PDSO-G4 | Not Qualified | - | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | - | DEPLETION MODE | - | GATE | - | - | SWITCHING | - | - | - | - | N-Channel | - | - | - | - | - | 0.01A | - | 3V | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | ULTRA HIGH FREQUENCY B | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF1108R,215 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипARF461AGAnlielectronics Тип | Microchip Technology |
RF MOSFET Transistors FG, MOSFET, 1000V, TO-247, ROHSView in Development Tools Selector
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | TO-247-3 | - | - | TO-247 | - | ARF461 | - | 1 | - | 6.5 A | - | - | - | - | + 150 C | Microchip Technology | - 55 C | Through Hole | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | Active | - | - | - | Details | - | N-Channel | 1.340411 oz | - | 1 kV | - | - | 1000 V | - | Tube | - | - | - | - | - | - | - | - | RF Power MOSFET | - | - | - | - | - | - | - | 25µA | - | - | - | - | - | - | - | 65MHz | - | - | - | - | - | - | 65 MHz | - | - | N-Channel | - | - | - | - | - | - | - | 150 W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 15dB | - | - | - | - | - | 150W | - | - | - | 50 V | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| ARF461AG | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипNSTHS5404T1GAnlielectronics Тип | onsemi |
NFET CHIPFET 20V 7.2A 3
Сборник данных
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| NSTHS5404T1G | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2SK2406-TL-EAnlielectronics Тип | onsemi |
NCH 10V DRIVE SERIES
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | onsemi | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2SK2406-TL-E | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2SJ646-EAnlielectronics Тип | onsemi |
PCH 4V DRIVE SERIES
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | onsemi | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2SJ646-E |
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