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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Lifecycle Status | Contact Plating | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Number of Terminals | Transistor Element Material | AEC Qualified | Channel Mode | Drain Current-Max (ID) | ECCN (US) | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Maximum Continuous Drain Current (A) | Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | Maximum Drain Source Voltage (V) | Maximum Frequency (MHz) | Maximum Gate Source Voltage (V) | Maximum Operating Temperature (°C) | Maximum VSWR | Mfr | Military | Minimum Frequency (MHz) | Minimum Operating Temperature (°C) | Mounting | Number of Elements | Number of Elements per Chip | Operating Temperature (Max.) | Operating Temperature-Max | Output Power (W) | Package | Package Body Material | Package Description | Package Height | Package Length | Package Shape | Package Style | Package Width | Part Life Cycle Code | PCB changed | Process Technology | Product Status | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | RoHS | Rohs Code | Supplier Package | Typical Drain Efficiency (%) | Typical Forward Transconductance (S) | Typical Power Gain (dB) | Voltage Rated | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Subcategory | Voltage - Rated DC | Current Rating (Amps) | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | Reference Standard | JESD-30 Code | Qualification Status | Polarity | Configuration | Element Configuration | Operating Mode | Power Dissipation | Case Connection | Current - Test | Transistor Application | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Collector Emitter Voltage (VCEO) | Max Collector Current | Continuous Drain Current (ID) | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | Max Output Power | Drain Current-Max (Abs) (ID) | Transition Frequency | RF/Microwave Device Type | Drain to Source Breakdown Voltage | DS Breakdown Voltage-Min | Channel Type | Power - Output | FET Technology | Collector Base Voltage (VCBO) | Power Dissipation-Max (Abs) | Emitter Base Voltage (VEBO) | Noise Figure | Voltage - Test | Highest Frequency Band | Mode of Operation | Power Gain | Radiation Hardening | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. Тип3LN01SP-ACAnlielectronics Тип | onsemi |
NCH 1.5V DRIVE SERIES
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | onsemi | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | Non-Compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 3LN01SP-AC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2SJ636-TL-EAnlielectronics Тип | onsemi |
PCH 4V DRIVE SERIES
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | onsemi | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | Non-Compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2SJ636-TL-E | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2SJ651-THAnlielectronics Тип | onsemi |
PCH 4V DRIVE SERIES
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | onsemi | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2SJ651-TH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6S21060NR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | TO-270AB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 68V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 2.12GHz | NOT SPECIFIED | MRF6S21060 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 610mA | - | - | - | LDMOS | - | - | - | - | 15.5dB | - | - | - | - | - | - | - | 14W | - | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6S21060NR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF256AAnlielectronics Тип | ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 7MA TO92
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| Min.:1 Mult.:1 | - | OBSOLETE (Last Updated: 3 days ago) | - | - | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | NO | 3 | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | 2009 | - | e0 | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | 8541.21.00.75 | - | -30V | - | 350mW | BOTTOM | THROUGH-HOLE | 240 | not_compliant | 7mA | 800MHz | 30 | BF256 | 3 | - | - | Not Qualified | - | - | Single | DEPLETION MODE | 350mW | - | - | - | - | - | N-Channel JFET | - | - | 3mA | -30V | 11dB | - | - | - | - | 30V | - | - | - | JUNCTION | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-RoHS Compliant | Contains Lead | ||
| BF256A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипUF2820PAnlielectronics Тип | M/A-Com Technology Solutions |
MOSFET 20W 28V 100-500MHZ
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| Min.:1 Mult.:1 | 20 Weeks | - | - | Screw | - | - | 5 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tray | 2009 | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | 200°C | -55°C | - | - | - | - | - | - | DUAL | FLAT | - | - | 2.8A | 100MHz~500MHz | - | - | - | - | R-CDFM-F4 | - | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 200mA | AMPLIFIER | - | - | N-Channel | - | - | 2.8A | 20V | 10dB | - | - | - | - | - | - | - | 20W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | 28V | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| UF2820P | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTFA192401FV4XWSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 37260 Tray
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tray | 2009 | - | - | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | 200°C | -40°C | HIGH RELIABILITY | - | - | - | - | 761W | DUAL | - | NOT SPECIFIED | unknown | 10μA | 1.96GHz | NOT SPECIFIED | PTFA192401 | 2 | - | R-CDFP-F2 | Not Qualified | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 1.6A | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | - | - | 16dB | - | - | - | - | - | 65V | - | 50W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | 30V | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| PTFA192401FV4XWSA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPD55035-EAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tube | - | - | e3 | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 2 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 165°C | -65°C | HIGH RELIABILITY | - | - | - | - | 95W | DUAL | GULL WING | 250 | - | 7A | 500MHz | 30 | PD55035 | 10 | - | R-PDSO-G2 | - | - | - | Single | ENHANCEMENT MODE | 95W | SOURCE | 200mA | AMPLIFIER | 40V | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 7A | 20V | - | 35W | 7A | - | - | 40V | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | 12.5V | - | - | 16.9dB | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| PD55035-E | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF888A,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A
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| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | - | SOT539A | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 110V | Tray | 2011 | - | - | - | Not For New Designs | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 860MHz | NOT SPECIFIED | BLF888 | - | IEC-60134 | R-CDFM-F4 | - | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | 1.3A | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual), Common Source | - | - | - | - | 21dB | - | - | - | - | - | 110V | - | 600W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | 50V | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLF888A,112 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипAFT23S160W02SR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.3-4GHz 45W
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | NI-780S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 125°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2013 | - | - | - | Not For New Designs | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.40 | - | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 2.4GHz | 40 | - | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | - | 1.1A | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | - | - | 17.9dB | - | - | - | - | - | - | - | 45W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFT23S160W02SR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6P9220HR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 68V 880MHZ NI-860C3
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | NI-860C3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 68V | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 880MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.6A | - | - | - | LDMOS | - | - | - | - | 20dB | - | - | - | - | - | - | - | 47W | - | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6P9220HR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF888H6327XTSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 4V 0.03A 4-Pin(3 Tab) SOT-343 T/R
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 4 Weeks | - | Tin | Surface Mount | SOT-343 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | 2010 | - | - | yes | Active | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | 150°C | -55°C | LOW NOISE | - | - | - | - | 160mW | DUAL | GULL WING | NOT SPECIFIED | - | - | 47GHz | NOT SPECIFIED | - | - | - | R-PDSO-G4 | - | NPN | SINGLE | - | - | 160mW | EMITTER | - | SWITCHING | - | - | - | 4V | 30mA | - | - | - | - | - | 47000MHz | - | - | - | - | - | - | 13V | - | 1.2V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF888H6327XTSA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMMRF2010GNR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
TRANS RF LDMOS 250W 50V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | TO-270-14 Variant, Gull Wing | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100V | Tape & Reel (TR) | 2013 | - | - | yes | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.09GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 80mA | - | - | - | LDMOS | - | - | - | - | 32.1dB | - | - | - | NARROW BAND HIGH POWER | - | - | - | 250W | - | - | - | - | - | 50V | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MMRF2010GNR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMMRF1310HR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors BL RF
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | NI780-4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 133V | Tape & Reel (TR) | 2013 | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 230MHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100mA | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | - | - | 26.5dB | - | - | - | - | - | - | - | 300W | - | - | - | - | - | 50V | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MMRF1310HR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF1210,115Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 6V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | - | - | - | 8541.21.00.75 | - | - | 30mA | - | - | GULL WING | 260 | - | - | 400MHz | 40 | - | 6 | - | R-PDSO-G6 | Not Qualified | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE | - | - | 19mA | AMPLIFIER | - | - | N-Channel Dual Gate | - | - | - | - | 31dB | - | 0.03A | - | - | - | 6V | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 0.18W | - | 0.9dB | 5V | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF1210,115 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF881S,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467B
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | - | SOT467B | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 104V | Tray | 2010 | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 860MHz | NOT SPECIFIED | - | - | IEC-60134 | R-CDFP-F2 | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 500mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | - | - | 21dB | - | - | - | - | - | 104V | - | 140W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | 50V | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLF881S,112 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипSD3933Anlielectronics Тип | STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors POWER R.F.
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 32 Weeks | - | - | Screw | M177 | - | 5 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tray | - | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | 200°C | -65°C | - | - | - | - | - | 648W | RADIAL | FLAT | - | - | 20A | 30MHz | - | SD3933 | 4 | - | O-PRFM-F4 | - | - | - | Single | ENHANCEMENT MODE | 648W | SOURCE | 250mA | - | 250V | - | N-Channel | - | - | 20A | 20V | 29dB | 350W | - | - | - | 250V | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | 100V | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| SD3933 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF8S7170NR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 70V 3-Pin Case 2021-03 T/R
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | OM-780-2 | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | 225°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 70V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | e3 | - | Last Time Buy | 3 (168 Hours) | 2 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | DUAL | FLAT | 260 | - | - | 748MHz | 40 | - | - | - | R-PDFP-F2 | Not Qualified | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 1.2A | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | - | - | 19.5dB | - | - | - | - | - | 70V | - | 50W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF8S7170NR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF6G20-45Anlielectronics Тип | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 13A 3-Pin CDFM
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | YES | - | 2 | SILICON | Unknown | Enhancement | 13 A | EAR99 | NXP SEMICONDUCTORS | NXP Semiconductors | BLF6G20-45 | 13 | 200(Typ)@6.15V | 65 | 2000 | 13 | 225 | 10 | - | No | 1805 | -65 | Screw | 1 | 1 | - | 150 °C | 2.5(Typ) | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 | 4.62(Max) | 20.45(Max) | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | 10.29(Max) | Obsolete | 3 | LDMOS | - | NOT SPECIFIED | 5.68 | - | Yes | CDFM | 14 | 5 | 19.2 | - | - | - | - | - | Yes | Obsolete | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | FET General Purpose Power | - | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | - | - | - | 3 | - | R-CDFM-F2 | Not Qualified | - | Single | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65 V | N | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | L BAND | 2-Carrier W-CDMA | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| BLF6G20-45 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипAFT21S230SR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin NI-780S T/R
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | NI-780S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | - | Not For New Designs | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.40 | - | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 2.11GHz | 40 | - | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | - | 1.5A | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | - | - | 16.7dB | - | - | - | - | - | - | - | 50W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 161W | - | - | 28V | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFT21S230SR3 |
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