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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Lifecycle Status | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Number of Terminals | Transistor Element Material | Drain Current-Max (ID) | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Mfr | Number of Elements | Operating Temperature (Max.) | Package | Package Body Material | Package Description | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Part Package Code | Product Status | Risk Rank | Usage Level | Voltage Rated | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Current Rating (Amps) | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | Reference Standard | JESD-30 Code | Qualification Status | Configuration | Element Configuration | Operating Mode | Power Dissipation | Case Connection | Current - Test | Transistor Application | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Continuous Drain Current (ID) | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | Max Output Power | Drain Current-Max (Abs) (ID) | Drain to Source Breakdown Voltage | Input Capacitance | DS Breakdown Voltage-Min | Power - Output | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Noise Figure | Voltage - Test | Source Url Status Check Date | Highest Frequency Band | Min Breakdown Voltage | Power Gain-Min (Gp) | Height | Length | Width | Radiation Hardening | REACH SVHC | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипPD57045-EAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 25 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | Surface Mount | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tube | - | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | 2 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 165°C | -65°C | - | - | - | 73W | DUAL | GULL WING | - | - | 5A | 945MHz | - | PD57045 | 10 | - | R-PDSO-G2 | - | - | Single | ENHANCEMENT MODE | 73W | SOURCE | 250mA | AMPLIFIER | 65V | N-CHANNEL | LDMOS | 5A | 20V | 14.5dB | 45W | 5A | 65V | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | No | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PD57045-E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6S23140HR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-880 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NI-880 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 68V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 2.39GHz | NOT SPECIFIED | MRF6S23140 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.3A | - | - | - | LDMOS | - | - | 15.2dB | - | - | - | - | - | 28W | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6S23140HR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипAFT31150NR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 32V OM-780-2
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | OM-780-2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Cut Tape (CT) | 2017 | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | - | - | - | - | - | 10μA | - | - | - | 260 | - | - | 2.7GHz~3.1GHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100mA | - | - | - | LDMOS | - | - | 17.2dB | - | - | - | - | - | 150W | - | - | - | 32V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFT31150NR5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. Тип2SK1215IGETL-EAnlielectronics Тип | Renesas Electronics America Inc |
RF N-CHANNEL MOSFET
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 1 Week | - | - | SC-70, SOT-323 | YES | - | 3-CMPAK | 3 | SILICON | 0.03 A | RENESAS ELECTRONICS CORP | Renesas Electronics Corporation | 2SK1215IGETL-E | Renesas Electronics America Inc | 1 | - | Bulk | PLASTIC/EPOXY | SC-70, CMPAK-3 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Active | SC-70 | Active | 5.02 | - | 20 V | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.21.00.95 | - | - | DUAL | GULL WING | - | compliant | - | - | - | - | 3 | - | R-PDSO-G3 | Not Qualified | SINGLE | - | DEPLETION MODE | - | - | - | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | - | - | - | 24dB | - | - | - | - | 20 V | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 3dB @ 1MHz | - | - | VERY HIGH FREQUENCY BAND | - | 24 dB | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2SK1215IGETL-E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF862,235Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
JFET N-CH 20V 25MA SOT23
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 20V | Tape & Reel (TR) | 1999 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | 25mA | - | - | - | - | - | - | - | - | BF862 | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N-Channel JFET | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2013-06-14 00:00:00 | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF862,235 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTFA192001EV4R250XTMA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | 2-Flatpack, Fin Leads | YES | 3 | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | 1 | 200°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | - | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | - | - | unknown | 10μA | 1.99GHz | - | PTFA192001 | - | - | R-CDFM-F2 | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 1.8A | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 15.9dB | - | - | - | - | 65V | 50W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 30V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| PTFA192001EV4R250XTMA1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF8S19260HSR6Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 9-Pin Case 375J-02 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | SOT-1110B | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | 2 | 225°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2012 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | QUAD | FLAT | 260 | - | - | 1.99GHz | 40 | MRF8S19260 | - | - | R-CQFP-F8 | Not Qualified | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | 1.6A | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual) | - | - | 18.2dB | - | - | - | - | 65V | 74W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 30V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF8S19260HSR6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6P21190HR6Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Transistors RF MOSFET Power HV6 44W W/CDMA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NI-1230 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 68V | Tape & Reel (TR) | 2005 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.12GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.9A | - | - | - | LDMOS | - | - | 15.5dB | - | - | - | - | - | 44W | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6P21190HR6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF377HR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 17A 5-Pin NI-860C3 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NI-860C3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | 17A | - | - | - | - | - | - | 860MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2A | - | - | - | LDMOS | - | - | 18.2dB | - | - | - | - | - | 45W | - | - | - | 32V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF377HR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF1205C,115Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors TAPE-7 MOS-RFSS
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | 2 | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 6V | Tape & Reel (TR) | 2012 | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | - | - | - | - | 30mA | - | - | GULL WING | 260 | - | - | 400MHz | 40 | BF1205 | 6 | - | R-PDSO-G6 | Not Qualified | COMPLEX | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | 19mA | SWITCHING | - | - | N-Channel Dual Gate | - | - | 30dB | - | 0.03A | - | - | 6V | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 0.18W | 1.3dB | 5V | 2013-06-14 00:00:00 | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF1205C,115 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF154Anlielectronics Тип | M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 125V 100MHZ 368-03
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 20 Weeks | - | Screw | 368-03 | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tray | 2009 | - | - | yes | Active | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | 150°C | -65°C | - | - | - | 1.35kW | DUAL | FLAT | - | - | 60A | 2MHz~100MHz | - | - | 2 | - | S-CDFM-F2 | - | - | Single | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 800mA | AMPLIFIER | 125V | - | N-Channel | 60A | 40V | 17dB | - | - | - | - | - | 600W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 50V | - | - | - | - | - | - | - | No | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF154 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTFB212507SHV1R250XTMA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin Case 34288G T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 26 Weeks | - | - | - | YES | 5 | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | 1 | 200°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | - | - | - | yes | Active | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | QUAD | UNSPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | R-CQSO-X4 | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | S B | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PTFB212507SHV1R250XTMA1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF8G27LS-140V,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | SOT-1120B | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Military grade | 65V | Tray | 2011 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | QUAD | UNSPECIFIED | NOT SPECIFIED | unknown | - | 2.63GHz~2.69GHz | NOT SPECIFIED | BLF8G27 | - | IEC-60134 | R-CQFP-X6 | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 1.3A | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 17.4dB | - | - | - | - | 65V | 45W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 32V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-RoHS Compliant | - | ||
| BLF8G27LS-140V,112 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипSTAC3932BAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
TRANS RF PWR N-CH 580W STAC244B
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 32 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | Screw, Surface Mount | STAC244B | - | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tray | - | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | 200°C | -65°C | - | - | - | 625W | DUAL | FLAT | - | - | 20A | 123MHz | - | STAC393 | 4 | - | - | - | - | Single | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 250mA | - | 250V | - | N-Channel | 20A | 20V | 24.6 dB | 900W | - | - | 492pF | - | 580W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 100V | - | - | - | - | 5.33mm | 34.04mm | 9.78mm | No | No SVHC | ROHS3 Compliant | - | ||
| STAC3932B | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPD55015STR-EAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 25 Weeks | - | Surface Mount | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | - | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | 2 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 165°C | -65°C | HIGH RELIABILITY | - | - | 73W | DUAL | FLAT | 250 | not_compliant | 5A | 500MHz | 30 | PD55015 | 10 | - | R-PDSO-F2 | Not Qualified | - | Single | ENHANCEMENT MODE | 73W | SOURCE | 150mA | AMPLIFIER | 40V | N-CHANNEL | LDMOS | 5A | 20V | 14dB | 15W | 7A | 40V | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 12.5V | - | - | 40V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| PD55015STR-E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTFA092201FV4R250XTMA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 14 Weeks | - | Surface Mount | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2008 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | 200°C | -40°C | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | 10μA | 960MHz | NOT SPECIFIED | PTFA092201 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.85A | - | - | - | LDMOS | - | 12V | 18.5dB | - | - | - | - | - | 220W | - | - | - | 30V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| PTFA092201FV4R250XTMA1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF8S9100HSR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 70V 3-Pin NI-780S T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | NI-780S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 70V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | - | Obsolete | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | - | 920MHz | - | MRF8S9100 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 500mA | - | - | - | LDMOS | - | - | 19.3dB | - | - | - | - | - | 72W | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF8S9100HSR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF282ZR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-200Z T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 15 Weeks | - | - | NI-200Z | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2011 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2GHz | - | MRF282 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 75mA | - | - | - | LDMOS | - | - | 11.5dB | - | - | - | - | - | 10W | - | - | - | 26V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF282ZR1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF8P20100HSR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors HV8 2GHZ 100W NI780HS-4
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | NI-780S-4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | - | Obsolete | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | - | 2.03GHz | - | MRF8P20100 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 400mA | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | 16dB | - | - | - | - | - | 20W | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF8P20100HSR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипCLF1G0035-100,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET HEMT 150V 12DB SOT467C
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | SOT467C | YES | - | - | - | GALLIUM NITRIDE | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150V | Tray | 2011 | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 3GHz | NOT SPECIFIED | CLF1G0035 | - | IEC-60134 | R-CDFM-F2 | - | SINGLE | - | DEPLETION MODE | - | SOURCE | 330mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | HEMT | - | - | 12dB | - | - | - | - | 150V | 100W | HIGH ELECTRON MOBILITY | - | - | 50V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| CLF1G0035-100,112 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ