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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Lifecycle Status | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Material | Transistor Element Material | AEC Qualified Number | Breakdown Voltage / V | Channel Mode | ECCN (US) | Ihs Manufacturer | Lead Shape | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Maximum Continuous Drain Current (A) | Maximum Drain Source Voltage (V) | Maximum Frequency (MHz) | Maximum Gate Source Voltage (V) | Maximum Operating Temperature (°C) | Maximum Power Dissipation (mW) | Military | Minimum Operating Temperature (°C) | Moisture Sensitivity Levels | Mounting | Number of Elements | Number of Elements per Chip | Operating Temperature (Max.) | Operating Temperature-Max | Package Height | Package Length | Package Width | Part Life Cycle Code | PCB changed | Risk Rank | Rohs Code | Standard Package Name | Supplier Package | Tab | Typical Forward Transconductance (S) | Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | Typical Power Gain (dB) | Usage Level | Voltage Rated | Packaging | Published | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Subcategory | Voltage - Rated DC | Current Rating (Amps) | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Supply Voltage | Configuration | Element Configuration | Operating Mode | Power Dissipation | Case Connection | Current - Test | Transistor Application | Halogen Free | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Continuous Drain Current (ID) | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | Max Frequency | Max Output Power | Drain Current-Max (Abs) (ID) | Drain to Source Breakdown Voltage | Input Capacitance | DS Breakdown Voltage-Min | Channel Type | Power - Output | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Noise Figure | Voltage - Test | Feedback Cap-Max (Crss) | Height | Length | Width | Radiation Hardening | REACH SVHC | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипBF244AAnlielectronics Тип | ON Semiconductor |
IC AMP RF N-CH 30V TO-92
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | 3 | - | - | - | - | 30V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | 2000 | e0 | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | TIN LEAD | 150°C | -55°C | - | 8541.21.00.75 | - | 30V | - | 350mW | BOTTOM | - | NOT SPECIFIED | - | 50mA | 100MHz | NOT SPECIFIED | BF244 | 3 | - | Not Qualified | - | - | Single | DEPLETION MODE | 350mW | - | - | AMPLIFIER | - | 15V | - | N-Channel JFET | 6.5mA | 30V | - | - | - | 0.1A | - | 3pF | - | - | - | JUNCTION | - | 1.5dB | 15V | - | 5.33mm | 5.2mm | 4.19mm | - | No SVHC | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| BF244A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF1211,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | TO-253-4, TO-253AA | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 6V | Tape & Reel (TR) | 2003 | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | Tin (Sn) | - | - | LOW NOISE | 8541.21.00.75 | - | - | 30mA | - | - | GULL WING | 260 | unknown | - | 400MHz | 40 | BF1211 | 4 | R-PDSO-G4 | Not Qualified | - | COMPLEX | - | DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 15mA | AMPLIFIER | - | - | - | N-Channel Dual Gate | - | - | 29dB | - | - | 0.03A | - | - | 6V | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 0.18W | 0.9dB | 5V | 0.03 pF | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF1211,215 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBF1212,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | TO-253-4, TO-253AA | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 6V | Tape & Reel (TR) | 2003 | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | Tin (Sn) | - | - | LOW NOISE | 8541.21.00.75 | - | - | 30mA | - | - | GULL WING | 260 | - | - | 400MHz | 40 | BF1212 | 4 | R-PDSO-G4 | Not Qualified | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 12mA | AMPLIFIER | - | - | - | N-Channel Dual Gate | - | - | 30dB | - | - | 0.03A | - | - | 6V | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 0.18W | 0.9dB | 5V | 0.03 pF | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF1212,215 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMMRF1009HR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans MOSFET N-CH 110V 2-Pin NI-780H T/R
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | SOT-957A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 110V | Tape & Reel (TR) | 2014 | - | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 1.03GHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 200mA | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 19.7dB | - | - | - | - | - | - | - | 500W | - | - | - | 50V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MMRF1009HR5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF8S18260HSR6Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 9-Pin Case 375J-02 T/R
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | SOT-1110B | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Military grade | 65V | Tape & Reel (TR) | 2012 | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | FLAT | 260 | - | - | 1.81GHz | 40 | MRF8S18260 | - | R-CDFP-F8 | Not Qualified | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 1.6A | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual) | - | - | 17.9dB | - | - | - | - | - | 65V | - | 74W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 30V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF8S18260HSR6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипLET9120Anlielectronics Тип | STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors RF Power LdmoST 120W 18 dB 860MHz
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 32 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | Screw | M246 | - | 246 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tray | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | 150°C | -65°C | - | - | - | - | - | 200W | - | FLAT | NOT SPECIFIED | - | 18A | 860MHz | NOT SPECIFIED | LET9120 | 4 | R-PDFM-F4 | Not Qualified | - | - | Dual | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 400mA | AMPLIFIER | - | 80V | N-CHANNEL | LDMOS | 18A | 15V | 18dB | - | - | - | - | - | - | - | 150W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 32V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| LET9120 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF7S21110HSR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780S T/R
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NI-780S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2011 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.17GHz | - | MRF7S21110 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.1A | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 17.3dB | - | - | - | - | - | - | - | 33W | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF7S21110HSR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF 2040W E6814Anlielectronics Тип | Infineon Technologies AG |
Trans RF FET N-CH 8V 0.04A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-343 T/R
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | YES | - | - | Si | - | AEC-Q101 | - | Depletion | EAR99 | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Gull-wing | Infineon Technologies AG | BF2040W-E6814 | 0.04 | 8 | 1000 | 6 | 150 | 200 | No | -55 | 1 | Surface Mount | - | 1 | - | 150 °C | 0.9(Max) | 2 | 1.25 | Obsolete | 3 | 5.84 | Yes | SOT-343 | SOT-343 | Tab | 0.042 | 2.9@5V@Gate 1 | 23 | - | - | Tape and Reel | - | - | - | Obsolete | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | FET General Purpose Power | - | - | - | - | - | - | compliant | - | - | - | - | 4 | - | - | - | Single Dual Gate | - | DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE | - | - | - | - | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | - | - | 0.04 A | - | - | - | N | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 0.2 W | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| BF 2040W E6814 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTFA091201FV4XWSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | - | 3 | H-37248-2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | 200°C | -40°C | - | - | - | - | 10μA | 427W | - | - | - | - | 10μA | 960MHz | - | PTFA091201 | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | 750mA | - | Halogen Free | - | - | LDMOS | - | - | 19dB | 960MHz | 50W | - | - | - | - | - | 110W | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| PTFA091201FV4XWSA1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF998R,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
DUAL N CH RF MOSFET, 12V, 30MA, 4-SOT-143R - More Details
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | SOT-143R | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 12V | Tape & Reel (TR) | 1996 | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | Tin (Sn) | - | - | LOW NOISE | 8541.21.00.75 | - | - | 30mA | - | - | GULL WING | 260 | - | - | 200MHz | 40 | BF998 | 4 | R-PDSO-G4 | Not Qualified | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | DUAL GATE, DEPLETION MODE | - | SOURCE | 10mA | AMPLIFIER | - | - | - | N-Channel Dual Gate | - | - | - | - | - | 0.03A | - | - | 12V | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 0.2W | 0.6dB | 8V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF998R,215 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMMRF1314GSR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | NI-1230-4S GW | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 105V | Tape & Reel (TR) | 2016 | - | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 1.4GHz | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100mA | - | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | 17.7dB | - | - | - | - | - | - | - | 1000W | - | - | - | 50V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MMRF1314GSR5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMMRF1314HSR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors BL RF
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | NI-1230-4S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 105V | Tape & Reel (TR) | 2016 | - | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 1.4GHz | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 500mA | - | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | 17.7dB | - | - | - | - | - | - | - | 1000W | - | - | - | 50V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MMRF1314HSR5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMRF7S27130HR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | SOT-957A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | - | unknown | - | 2.7GHz | - | MRF7S27130 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.5A | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 16.5dB | - | - | - | - | - | - | - | 23W | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF7S27130HR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипSD2902Anlielectronics Тип | STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 4-Pin Case M-113
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Screw | M113 | - | 113 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | 150°C | -65°C | - | - | - | 65V | - | 58.3W | RADIAL | FLAT | NOT SPECIFIED | - | 2.5A | 400MHz | NOT SPECIFIED | SD2902 | 4 | O-PRFM-F4 | Not Qualified | - | - | Single | ENHANCEMENT MODE | 58.3W | - | 25mA | AMPLIFIER | - | 65V | - | N-Channel | 2.5A | 20V | 13.5dB | - | 15W | - | 65V | 23pF | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| SD2902 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF7S19100NBR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin TO-272 WB EP T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | TO-272BB | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | 225°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2009 | e3 | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 4 | EAR99 | MATTE TIN | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | DUAL | FLAT | 260 | - | - | 1.93GHz~1.99GHz | 40 | - | - | R-PDFM-F4 | Not Qualified | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 1A | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 17.5dB | - | - | - | - | - | 65V | - | 29W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF7S19100NBR1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF174Anlielectronics Тип | M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 65V 150MHZ 211-11
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 20 Weeks | - | Screw | 211-11, Style 2 | - | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tray | 2009 | - | yes | Active | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | 200°C | -65°C | - | - | - | - | - | 270W | RADIAL | FLAT | - | - | 13A | 150MHz | - | - | 4 | - | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 2A | AMPLIFIER | - | - | - | N-Channel | 13A | 40V | 11.8dB | - | - | - | - | - | 65V | - | 125W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 3dB | 28V | - | - | - | - | No | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF174 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTFA211801EV5XWSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | - | Screw | 2-Flatpack, Fin Leads | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2011 | - | yes | Discontinued | 1 (Unlimited) | 2 | - | - | 200°C | -40°C | HIGH RELIABILITY | - | - | - | - | 565W | DUAL | - | - | - | - | 2.14GHz | - | PTFA211801 | - | R-CDFM-F2 | - | 28V | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 1.2A | AMPLIFIER | Halogen Free | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 15.5dB | - | - | - | - | - | 65V | - | 140W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| PTFA211801EV5XWSA1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. Тип2SK3475TE12LFAnlielectronics Тип | Toshiba Semiconductor and Storage |
Trans RF MOSFET N-CH 20V 1A 4-Pin(3 Tab) PW-Mini T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | TO-243AA | - | - | SC-62 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 20V | Cut Tape (CT) | 2007 | - | - | Discontinued | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1A | - | - | - | - | - | - | 520MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 50mA | - | - | - | - | N-Channel | - | - | 14.9dB | - | - | - | - | - | - | - | 630mW | - | - | - | 7.2V | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| 2SK3475TE12LF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRFG35003ANT1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans JFET 15V GaAs pHEMT 3-Pin PLD-1.5 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | PLD-1.5 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 15V | Tape & Reel (TR) | 2009 | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | Matte Tin (Sn) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | not_compliant | - | 3.55GHz | - | MRFG35003 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 55mA | - | - | - | - | pHEMT FET | - | - | 10.8dB | - | - | - | - | - | - | - | 3W | - | - | - | 12V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRFG35003ANT1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPD85015TR-EAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 25 Weeks | - | Surface Mount | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 2 | EAR99 | - | 165°C | -65°C | HIGH RELIABILITY | - | - | - | - | 59W | DUAL | GULL WING | NOT SPECIFIED | - | 5A | 870MHz | NOT SPECIFIED | PD85015 | 10 | R-PDSO-G2 | Not Qualified | - | - | Single | ENHANCEMENT MODE | 59W | SOURCE | 150mA | AMPLIFIER | - | 40V | N-CHANNEL | LDMOS | 5A | 15V | 16dB | - | 20W | 5A | 40V | - | - | - | 15W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 13.6V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PD85015TR-E |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ