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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Lifecycle Status | Contact Plating | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Transistor Element Material | Mfr | Number of Elements | Operating Temperature (Max.) | Package | Product Status | Voltage Rated | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Voltage - Rated DC | Current Rating (Amps) | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | Reference Standard | JESD-30 Code | Qualification Status | Configuration | Element Configuration | Nominal Supply Current | Operating Mode | Power Dissipation | Case Connection | Current - Test | Transistor Application | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Continuous Drain Current (ID) | JEDEC-95 Code | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | Max Output Power | Drain Current-Max (Abs) (ID) | Drain to Source Breakdown Voltage | Input Capacitance | DS Breakdown Voltage-Min | Power - Output | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Noise Figure | Voltage - Test | Feedback Cap-Max (Crss) | Highest Frequency Band | REACH SVHC | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипPD20010TR-EAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 25 Weeks | - | - | Surface Mount | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | - | 3 | - | - | - | 1 | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | - | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 2 | EAR99 | - | 150°C | -65°C | ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY | - | - | - | 59W | DUAL | GULL WING | NOT SPECIFIED | - | 5A | 2GHz | NOT SPECIFIED | PD20010 | 10 | - | R-PDSO-G2 | Not Qualified | - | Single | - | ENHANCEMENT MODE | 59W | SOURCE | 150mA | AMPLIFIER | 40V | N-CHANNEL | LDMOS | 5A | - | 15V | 11dB | 15W | 5A | 40V | - | - | 10W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 13.6V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PD20010TR-E | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипUPA509TA-T2-AAnlielectronics Тип | Renesas Electronics America Inc |
SMALL SIGNAL FET
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Renesas Electronics America Inc | - | - | Bulk | Active | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| UPA509TA-T2-A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипA2I25H060NR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGRATED POWER AMPLIFIER 2300-2690 MH , 10.5 W AVG., 28 V
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | TO-270-17 Variant, Flat Leads | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | - | yes | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.59GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 26mA | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | - | 26.1dB | - | - | - | - | - | 10.5W | - | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| A2I25H060NR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF5P21180HR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Transistors RF MOSFET Power HV5 38W WCDMA NI1230H
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | NI-1230 | - | - | NI-1230 | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.16GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.6A | - | - | - | LDMOS | - | - | - | 14dB | - | - | - | - | - | 38W | - | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF5P21180HR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6V12500HSR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors VHV6 500W 50V NI780HS
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | NI-780S | YES | - | - | SILICON | - | 1 | 225°C | - | - | 110V | Tape & Reel (TR) | 2010 | - | - | - | Active | Not Applicable | 2 | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | DUAL | FLAT | 260 | - | - | 1.03GHz | 40 | MRF6V12500 | - | - | R-CDFP-F2 | Not Qualified | SINGLE | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 200mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | - | 19.7dB | - | - | - | - | 110V | 500W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 50V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6V12500HSR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF642,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT467C
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| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | - | SOT467C | YES | - | - | SILICON | - | 1 | - | - | - | 65V | Tray | 2011 | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 1.3GHz | NOT SPECIFIED | - | - | IEC-60134 | R-CDFM-F2 | - | SINGLE | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 200mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | - | 19dB | - | - | - | - | 65V | 35W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 32V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLF642,112 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF545C,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
JFET N-CH 30V 25MA SOT23
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | - | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | YES | - | - | SILICON | - | 1 | 150°C | - | - | 30V | Tape & Reel (TR) | 2001 | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | - | Tin (Sn) | - | - | - | 8541.21.00.75 | - | 25mA | - | DUAL | GULL WING | 260 | - | - | - | 40 | BF545 | 3 | - | R-PDSO-G3 | Not Qualified | SINGLE | - | - | DEPLETION MODE | - | - | - | AMPLIFIER | - | - | N-Channel JFET | - | TO-236AB | - | - | - | - | - | - | 30V | - | JUNCTION | 0.25W | - | - | - | VERY HIGH FREQUENCY B | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF545C,215 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMRF8VP13350GNR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors BL RF
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | OM-780G-4L | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | Tin (Sn) | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 1.3GHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100mA | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | - | 19.2dB | - | - | - | - | - | 350W | - | - | - | 50V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF8VP13350GNR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF2425M7L250P,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539A
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| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | - | SOT539A | YES | - | - | SILICON | - | 2 | - | - | - | 65V | Tray | 2007 | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | FLAT | NOT SPECIFIED | - | - | 2.45GHz | NOT SPECIFIED | BLF2425 | - | IEC-60134 | R-CDFM-F4 | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | 20mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual), Common Source | - | - | - | 15dB | - | - | - | - | 65V | 250W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLF2425M7L250P,112 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипSTAC1011-350Anlielectronics Тип | STMicroelectronics |
FET RF 80V 1.09GHZ STAC265B
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| Min.:1 Mult.:1 | 32 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | - | - | STAC265B | YES | - | - | SILICON | - | 1 | - | - | - | 80V | Tube | - | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | - | - | 1.03GHz~1.09GHz | NOT SPECIFIED | STAC101 | 2 | - | R-PDFM-F2 | - | SINGLE | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 150mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | - | 15dB | - | - | - | - | 80V | 350W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 36V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| STAC1011-350 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипATF-36077-STRAnlielectronics Тип | Broadcom Limited |
AVAGO TECHNOLOGIES ATF-36077-STR RF FET Transistor, 1.5 V, 25 mA, 180 mW, 2 GHz, 18 GHz
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Gold | Surface Mount | 4-SMD (77 Pack) | - | 4 | - | - | - | 1 | - | - | - | - | Bulk | 1999 | - | e4 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | 150°C | -65°C | LOW NOISE | - | 3V | - | 180mW | RADIAL | FLAT | 260 | unknown | 45mA | 12GHz | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | Not Qualified | SINGLE | - | 10mA | DEPLETION MODE | - | SOURCE | - | AMPLIFIER | 1.5V | N-CHANNEL | pHEMT FET | 25mA | - | -3V | 12dB | - | - | - | - | 3V | 5dBm | HIGH ELECTRON MOBILITY | - | 0.5dB | 1.5V | - | - | No SVHC | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| ATF-36077-STR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRFE8VP8600HSR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | NI-1230-4S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 115V | Tape & Reel (TR) | 2014 | - | - | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | 20μA | - | - | - | 260 | - | - | 860MHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.4A | - | - | - | LDMOS | - | - | - | 21dB | - | - | - | - | - | 140W | - | - | - | 50V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRFE8VP8600HSR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6V2150NBR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 110V 220MHZ TO272-4
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | TO-272BB | YES | - | - | SILICON | - | 1 | 225°C | - | - | 110V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | e3 | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 4 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | DUAL | FLAT | 260 | - | - | 220MHz | 40 | MRF6V2150 | - | - | R-PDFM-F4 | Not Qualified | SINGLE | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 450mA | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | TO-270AA | - | 25dB | - | - | - | - | 110V | 150W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 50V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6V2150NBR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBFL4037-SAnlielectronics Тип | onsemi |
NCH 10V DRIVE SERIES
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | onsemi | - | - | Bulk | Active | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BFL4037-S | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF1206,115Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors TAPE-7 MOS-RFSS
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | YES | - | - | SILICON | - | 2 | 150°C | - | - | 6V | Tape & Reel (TR) | 2003 | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | Tin (Sn) | - | - | - | 8541.21.00.75 | - | 30mA | - | - | GULL WING | 260 | unknown | - | 400MHz | 40 | - | 6 | - | R-PDSO-G6 | Not Qualified | COMPLEX | - | - | DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE | - | - | 18mA | AMPLIFIER | - | - | N-Channel Dual Gate | - | - | - | 30dB | - | 0.03A | - | - | 6V | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 0.18W | 1.3dB | 5V | 0.03 pF | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF1206,115 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMRF5S21045NBR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Transistors RF MOSFET 2170MHZ 10W
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | TO-272BB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 68V | Tape & Reel (TR) | 2005 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 2.12GHz | NOT SPECIFIED | MRF5S21045 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 500mA | - | - | - | LDMOS | - | - | - | 14.5dB | - | - | - | - | - | 10W | - | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF5S21045NBR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6S27085HR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-780 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | SOT-957A | - | - | NI-780H-2L | - | - | - | - | - | - | 68V | Tape & Reel (TR) | 2005 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.66GHz | - | MRF6S27085 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 900mA | - | - | - | LDMOS | - | - | - | 15.5dB | - | - | - | - | - | 20W | - | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6S27085HR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипSD2904Anlielectronics Тип | STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5A 4-Pin Case M-113
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Screw | M113 | - | 4 | - | - | - | 1 | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | 200°C | -65°C | - | - | 65V | - | 100W | RADIAL | FLAT | NOT SPECIFIED | - | 5A | 400MHz | NOT SPECIFIED | SD2904 | 4 | - | - | Not Qualified | SINGLE | - | - | ENHANCEMENT MODE | 100W | - | 50mA | AMPLIFIER | 65V | - | N-Channel | 5A | - | 20V | 11.5dB | 30W | 5A | 65V | 47pF | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| SD2904 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF9045LR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 65V 945MHZ NI-360
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | NI-360 | YES | - | - | SILICON | - | 1 | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2002 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | - | - | 945MHz | NOT SPECIFIED | MRF9045 | - | - | R-CDFM-F2 | - | SINGLE | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 350mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | - | 18.8dB | - | - | - | - | 65V | 45W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF9045LR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипAFT26HW050GSR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | NI-780GS | - | - | - | - | - | - | 150°C | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.40 | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 2.69GHz | 40 | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | - | - | 100mA | - | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual) | - | - | - | 14.2dB | - | - | - | - | - | 9W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFT26HW050GSR3 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ