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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Lifecycle Status | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Transistor Element Material | Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity | Id - Continuous Drain Current | Maximum Operating Temperature | Minimum Operating Temperature | Moisture Sensitive | Mounting Styles | Number of Elements | Operating Temperature (Max.) | Part # Aliases | Rds On - Drain-Source Resistance | RoHS | Transistor Polarity | Usage Level | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Voltage Rated | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Voltage - Rated DC | Current Rating (Amps) | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | Reference Standard | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Frequency | Operating Supply Voltage | Configuration | Element Configuration | Operating Mode | Power Dissipation | Case Connection | Output Power | Current - Test | Transistor Application | Halogen Free | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Continuous Drain Current (ID) | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | Max Output Power | Drain Current-Max (Abs) (ID) | Transition Frequency | Drain to Source Breakdown Voltage | DS Breakdown Voltage-Min | Power - Output | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Collector Current-Max (IC) | Drain to Source Resistance | Noise Figure | Collector-Emitter Voltage-Max | Voltage - Test | Feedback Cap-Max (Crss) | Highest Frequency Band | Min Breakdown Voltage | Power Gain-Min (Gp) | Power Gain | Radiation Hardening | REACH SVHC | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипPD57018STR-EAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
TRANSISTOR RF POWERSO-10
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 25 Weeks | - | Surface Mount | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | - | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | 2 | EAR99 | MATTE TIN | 165°C | -65°C | HIGH RELIABILITY | - | - | - | 31.7W | DUAL | FLAT | 250 | not_compliant | 2.5A | 945MHz | 30 | PD57018 | 10 | - | R-PDSO-F2 | Not Qualified | - | - | - | Single | ENHANCEMENT MODE | 31.7W | SOURCE | - | 100mA | AMPLIFIER | - | 65V | N-CHANNEL | LDMOS | 2.5A | 20V | 16.5dB | 18W | - | - | 65V | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 760mOhm | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PD57018STR-E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPD85006L-EAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
TRANS RF POWER POWERFLAT5X5
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 11 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | - | 14 | - | - | - | - | - | - | - | - | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | - | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 5 | EAR99 | - | 150°C | -65°C | - | - | - | - | 20.8W | QUAD | - | - | - | 2A | 870MHz | - | PD85006 | 5 | - | S-PQCC-N5 | - | - | - | - | Single | ENHANCEMENT MODE | 20.8W | SOURCE | - | 200mA | AMPLIFIER | - | 40V | N-CHANNEL | LDMOS | 2A | 15V | 17dB | 6W | 2A | - | 40V | - | 5W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | 13.6V | - | - | - | - | - | No | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| PD85006L-E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6S27050HR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-780 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | SOT-957A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 68V | Tape & Reel (TR) | 2008 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 2.62GHz | NOT SPECIFIED | MRF6S27050 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 500mA | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 16dB | - | - | - | - | - | 7W | - | - | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6S27050HR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF6G38-100,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 13DB SOT502A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | SOT-502A | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tray | 2010 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | 34A | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 3.4GHz~3.6GHz | NOT SPECIFIED | BLF6G38 | - | IEC-60134 | R-CDFM-F2 | - | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 1.05A | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 13dB | - | 34A | - | - | 65V | 18.5W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | Non-RoHS Compliant | - | ||
| BLF6G38-100,112 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBLL6H1214L-250,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | SOT-502A | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | 100V | Tray | 2010 | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | 42A | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 1.2GHz~1.4GHz | NOT SPECIFIED | BLL6H1214 | - | IEC-60134 | R-CDFM-F2 | - | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 100mA | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 17dB | - | 42A | - | - | 100V | 250W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | 50V | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLL6H1214L-250,112 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTFA192001FV4FWSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 37260
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | YES | 3 | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | 1 | 200°C | - | - | - | - | - | - | 65V | Tray | 2009 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | - | - | unknown | 10μA | 1.99GHz | - | PTFA192001 | - | - | R-CDFP-F2 | - | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 1.8A | - | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 15.9dB | - | - | - | - | 65V | 50W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | 30V | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| PTFA192001FV4FWSA1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипPTFA212001FV4XWSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | - | - | 200°C | -40°C | HIGH RELIABILITY | - | - | - | 625W | DUAL | - | - | unknown | 10μA | 2.14GHz | - | PTFA212001 | - | - | R-XDFM-F2 | - | - | 30V | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 1.6A | AMPLIFIER | Halogen Free | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 15.8dB | 220W | - | - | - | 65V | 50W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| PTFA212001FV4XWSA1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипAFT05MS031GNR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors MV9 UHF 13.6V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | TO-270BA | YES | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | 40V | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | Matte Tin (Sn) | - | - | - | 8541.29.00.40 | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 520MHz | 40 | AFT05MS031 | - | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | - | - | 10mA | - | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 17.7dB | - | - | - | - | - | 31W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 294W | - | - | - | - | 13.6V | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFT05MS031GNR1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF2030WE6814BTSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-343
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | SC-82A, SOT-343 | - | - | PG-SOT343-4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8V | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | 40mA | - | - | - | - | - | 40mA | 800MHz | - | BF2030 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 10mA | - | - | - | - | N-Channel | - | - | 23dB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.5dB | - | 5V | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| BF2030WE6814BTSA1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLS6G2735LS-30,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135B
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | SOT-1135B | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | 60V | Tray | 2010 | - | - | - | Not For New Designs | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 3.1GHz~3.5GHz | NOT SPECIFIED | - | - | IEC-60134 | S-CDFP-F2 | - | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 50mA | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 13dB | - | - | - | - | 65V | 30W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | 32V | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLS6G2735LS-30,112 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипAFT23H200-4S2LR6Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans MOSFET N-CH 65V 6-Pin NI-1230 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | NI-1230-4LS2L | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C | - | - | - | - | Automotive grade | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.40 | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 2.3GHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 500mA | - | - | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual) | - | - | 15.3dB | - | - | - | - | - | 45W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 294W | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFT23H200-4S2LR6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF8S9102NR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors HV8 900MHZ 50W OM780-2
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | OM-780-2 | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | 1 | 225°C | - | - | - | - | Military grade | - | 70V | Tape & Reel (TR) | 2011 | - | e3 | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 2 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | DUAL | FLAT | 260 | - | - | 920MHz | 40 | - | - | - | R-PDFP-F2 | Not Qualified | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 750mA | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 23.1dB | - | - | - | - | 70V | 28W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF8S9102NR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTGF3020-SMAnlielectronics Тип | Qorvo |
RF MOSFET Transistors 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | QFN-16 | - | - | - | - | 20 | 250 mA | + 85 C | - 40 C | Yes | SMD/SMT | - | - | TGF3020 1121726 | - | Details | - | - | 32 V | - | Tray | - | TGF3020 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4 GHz to 6 GHz | - | - | - | - | - | - | 5 W | - | - | - | - | - | - | - | - | 13 dB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| TGF3020-SM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF178P,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 110V 28.5DB SOT539A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | SOT539A | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | 110V | Tray | 2010 | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | 88A | - | - | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 108MHz | NOT SPECIFIED | - | - | IEC-60134 | R-CDFM-F4 | - | - | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | - | 40mA | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual), Common Source | - | - | 28.5dB | - | 88A | - | - | 110V | 1200W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | 50V | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLF178P,112 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF886H6327XTSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-343
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 6 Weeks | - | - | SOT-343 | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | 1 | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | 2014 | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 4 | - | - | - | - | LOW NOISE | - | - | - | - | DUAL | GULL WING | NOT SPECIFIED | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | R-PDSO-G4 | - | - | - | SINGLE | - | - | - | - | - | - | AMPLIFIER | - | - | NPN | - | - | - | - | - | - | 45000MHz | - | - | - | - | - | 0.025A | - | - | 4V | - | - | L B | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF886H6327XTSA1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. Тип2N5486GAnlielectronics Тип | ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 30MA TO92
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | OBSOLETE (Last Updated: 3 days ago) | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | 2006 | - | e1 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 150°C | -65°C | - | - | 25V | - | - | BOTTOM | - | 260 | - | 30mA | - | 40 | 2N5486 | 3 | - | - | Not Qualified | - | - | - | Single | DEPLETION MODE | 310mW | - | - | - | AMPLIFIER | - | - | - | N-Channel JFET | 30mA | 25V | - | - | - | - | - | - | - | JUNCTION | - | - | 2mOhm | - | - | - | 1 pF | ULTRA HIGH FREQUENCY B | - | 10dB | - | - | No SVHC | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| 2N5486G | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF9135LSR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Transistors RF MOSFET Power RF PWR LDMOS NI780LS
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NI-780S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2005 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 880MHz | NOT SPECIFIED | MRF9135 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.1A | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 17.8dB | - | - | - | - | - | 25W | - | - | - | - | - | - | 26V | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF9135LSR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипPD57006S-EAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | - | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | Tube | - | - | e3 | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 2 | EAR99 | MATTE TIN | 165°C | -65°C | - | - | - | - | 20W | DUAL | FLAT | 250 | - | 1A | 945MHz | 30 | PD57006 | 10 | - | R-PDSO-F2 | - | - | - | - | Single | ENHANCEMENT MODE | 20W | SOURCE | - | 70mA | AMPLIFIER | - | 65V | N-CHANNEL | LDMOS | 1A | 20V | - | 6W | 1A | - | 65V | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | 28V | - | - | 65V | - | 15dB | No | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| PD57006S-E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMRF8S9100HR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 70V 3-Pin NI-780 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | SOT-957A | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | 1 | 225°C | - | - | - | - | Military grade | - | 70V | Tape & Reel (TR) | 2010 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 2 | 5A991 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | DUAL | FLAT | NOT APPLICABLE | - | - | 920MHz | NOT APPLICABLE | MRF8S9100 | - | - | R-CDFM-F2 | Not Qualified | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 500mA | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 19.3dB | - | - | - | - | 70V | 72W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF8S9100HR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMD7P19130HR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin Case 465M-01 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NI780-4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2010 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.99GHz | - | MD7P19130 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.25A | - | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | 20dB | - | - | - | - | - | 40W | - | - | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MD7P19130HR3 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ