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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Transistor Element Material | Mfr | Number of Elements | Operating Temperature (Max.) | Package | Product Status | Usage Level | Voltage Rated | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Current Rating (Amps) | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Supply Voltage | Configuration | Element Configuration | Operating Mode | Power Dissipation | Case Connection | Current - Test | Transistor Application | Halogen Free | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Continuous Drain Current (ID) | JEDEC-95 Code | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | Max Output Power | Drain Current-Max (Abs) (ID) | Drain to Source Breakdown Voltage | DS Breakdown Voltage-Min | Power - Output | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Noise Figure | Voltage - Test | Source Url Status Check Date | Highest Frequency Band | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипBF908R,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | SOT-143R | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 12V | Tape & Reel (TR) | 1996 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | 40mA | - | - | - | - | - | - | 200MHz | - | BF908 | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | 15mA | - | - | - | - | N-Channel Dual Gate | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0.6dB | 8V | 2013-06-14 00:00:00 | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF908R,215 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. Тип3SK291(TE85L,F)Anlielectronics Тип | Toshiba Semiconductor and Storage |
RF MOSFET Transistors N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V
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| Min.:1 Mult.:1 | 52 Weeks | - | SC-61AA | YES | 4 | - | - | - | - | 125°C | - | - | - | - | Cut Tape (CT) | 2009 | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | 150mW | - | - | - | - | 30mA | 800MHz | - | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | - | 10mA | - | - | 12.5V | - | N-Channel Dual Gate | 30mA | - | - | 22.5dB | - | 0.03A | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 2.5dB | 6V | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| 3SK291(TE85L,F) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF8P9040NR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors HV8 900MHZ 40W
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | TO-272-4 | YES | - | - | SILICON | - | 2 | 225°C | - | - | Military grade | 70V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | 4 | EAR99 | Tin (Sn) | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | FLAT | 260 | not_compliant | - | 960MHz | 40 | - | - | R-PDFM-F4 | Not Qualified | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 320mA | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual) | - | TO-270 | - | 19.1dB | - | - | - | 70V | 4W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF8P9040NR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6S27050HSR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-780S T/R
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NI-780S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 68V | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 2.62GHz | NOT SPECIFIED | MRF6S27050 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 500mA | - | - | - | - | LDMOS | - | - | - | 16dB | - | - | - | - | 7W | - | - | - | 28V | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6S27050HSR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипON5173118Anlielectronics Тип | Nexperia USA Inc. |
NOW NEXPERIA ON5173 0, D2PAK
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | Nexperia USA Inc. | - | - | Bulk | Active | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| ON5173118 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF545A,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
JFET N-CH 30V 6.5MA SOT23
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | YES | - | - | SILICON | - | 1 | 150°C | - | - | - | 30V | Tape & Reel (TR) | 2001 | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | - | TIN | - | - | - | 8541.21.00.75 | 6.5mA | - | DUAL | GULL WING | 260 | - | - | - | NOT SPECIFIED | BF545 | 3 | R-PDSO-G3 | Not Qualified | - | SINGLE | - | DEPLETION MODE | - | - | - | AMPLIFIER | - | - | - | N-Channel JFET | - | TO-236AB | - | - | - | - | - | 30V | - | JUNCTION | 0.25W | - | - | - | VERY HIGH FREQUENCY B | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF545A,215 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTFA212001EV4XWSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | Screw | 2-Flatpack, Fin Leads | - | 3 | - | - | - | 1 | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | - | yes | Discontinued | 1 (Unlimited) | 2 | - | - | 200°C | -40°C | HIGH RELIABILITY | - | - | 625W | DUAL | - | - | unknown | 10μA | 2.14GHz | - | PTFA212001 | - | R-XDFM-F2 | - | 30V | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 1.6A | AMPLIFIER | Halogen Free | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | - | 15.8dB | 220W | - | - | 65V | 50W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| PTFA212001EV4XWSA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6VP3450HR6Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | NI-1230 | YES | - | - | SILICON | - | 1 | 225°C | - | - | - | 110V | Tape & Reel (TR) | 2010 | - | - | - | Obsolete | Not Applicable | 4 | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | FLAT | 260 | - | - | 860MHz | 40 | MRF6VP3450 | - | R-CDFM-F4 | Not Qualified | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 1.4A | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual) | - | - | - | 22.5dB | - | - | - | 110V | 90W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 50V | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6VP3450HR6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBF1201R,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin(3 Tab) SOT-143R T/R
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | SOT-143R | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 10V | Tape & Reel (TR) | 2000 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | 30mA | - | - | - | - | unknown | - | 400MHz | - | BF1201 | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | 15mA | - | - | - | - | N-Channel Dual Gate | - | - | - | 29dB | - | - | - | - | - | - | - | 1dB | 5V | 2013-06-14 00:00:00 | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF1201R,215 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6S19140HR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Transistors RF MOSFET Power HV6 28V 29W LDMOS NI880H
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NI-880 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 68V | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.93GHz~1.99GHz | - | MRF6S19140 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.15A | - | - | - | - | LDMOS | - | - | - | 16dB | - | - | - | - | 29W | - | - | - | 28V | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6S19140HR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF1208,115Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors TAPE-7 MOS-RFSS
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | SOT-563, SOT-666 | YES | - | - | SILICON | - | 2 | 150°C | - | - | - | 6V | Tape & Reel (TR) | 2004 | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | - | TIN | - | - | - | 8541.21.00.75 | 30mA | - | - | FLAT | 260 | - | - | 400MHz | 40 | - | 6 | R-PDSO-F6 | Not Qualified | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | 19mA | AMPLIFIER | - | - | - | N-Channel Dual Gate | - | - | - | 32dB | - | 0.03A | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 0.18W | 1.3dB | 5V | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF1208,115 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF21045LSR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Transistors RF MOSFET RF PWR LDMOS NI400LS
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NI-400S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2010 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 2.17GHz | NOT SPECIFIED | MRF21045 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 500mA | - | - | - | - | LDMOS | - | - | - | 15dB | - | - | - | - | 10W | - | - | - | 28V | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF21045LSR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMMRF1312HR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors BL RF
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | SOT-979A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 112V | Tape & Reel (TR) | 2013 | - | - | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 1.03GHz | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100mA | - | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | - | 19.6dB | - | - | - | - | 1000W | - | - | - | 50V | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MMRF1312HR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMRF6S21100NBR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.16GHZ TO272-4
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | TO-272BB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 68V | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.11GHz~2.16GHz | - | MRF6S21100 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.05A | - | - | - | - | LDMOS | - | - | - | 14.5dB | - | - | - | - | 23W | - | - | - | 28V | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6S21100NBR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип94-2402Anlielectronics Тип | International Rectifier |
IRF530 - 400V HEXFET, N-CHANNEL
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | International Rectifier | - | - | Bulk | Active | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 94-2402 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPD85006TR-EAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
FET RF 40V 870MHZ POWERSO-10RF
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Surface Mount | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | - | 3 | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | Cut Tape (CT) | - | - | e3 | - | Discontinued | 3 (168 Hours) | 2 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 150°C | -65°C | HIGH RELIABILITY | - | - | 36.5W | DUAL | GULL WING | 250 | not_compliant | 2A | 870MHz | NOT SPECIFIED | PD85006 | 10 | R-PDSO-G2 | - | - | - | Single | ENHANCEMENT MODE | 36.5W | SOURCE | 200mA | AMPLIFIER | - | 40V | N-CHANNEL | LDMOS | 2A | - | 15V | 17dB | - | 2A | 40V | - | 5W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 13.6V | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PD85006TR-E | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF1205,115Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 10V | Tape & Reel (TR) | 2003 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | 30mA | - | - | - | - | - | - | 800MHz | - | BF1205 | 6 | - | - | - | - | - | - | - | - | 12mA | - | - | - | - | N-Channel Dual Gate | - | - | - | 26dB | - | - | - | - | - | - | - | 1.2dB | 5V | 2013-06-14 00:00:00 | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF1205,115 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBG3123H6327XTSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Surface Mount | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | - | 6 | - | - | - | 2 | - | - | - | - | 8V | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | - | 150°C | -55°C | LOW NOISE | - | 25mA 20mA | 200mW | - | GULL WING | - | - | 20mA | 800MHz | - | BG3123 | - | - | - | - | - | - | DUAL GATE, DEPLETION MODE | - | - | 14mA | AMPLIFIER | - | - | - | 2 N-Channel (Dual) | 25mA | - | - | 25dB | - | - | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 1.8dB | 5V | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| BG3123H6327XTSA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипSD2931-12WAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 32 Weeks | - | M244 | YES | - | - | SILICON | - | 1 | - | - | - | - | 125V | Tray | - | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | RADIAL | FLAT | NOT SPECIFIED | - | 20A | 175MHz | NOT SPECIFIED | SD2931 | - | O-PRFM-F4 | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | 250mA | - | - | - | - | N-Channel | - | - | - | 15dB | - | - | - | 125V | 150W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 50V | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| SD2931-12W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBG3123RE6327HTSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | - | - | PG-SOT363-6 | - | - | - | - | - | - | - | 8V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | 25mA 20mA | - | - | - | - | - | 20mA | 800MHz | - | BG3123 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 14mA | - | - | - | - | 2 N-Channel (Dual) | - | - | - | 25dB | - | - | - | - | - | - | - | 1.8dB | 5V | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| BG3123RE6327HTSA1 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ