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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Transistor Element Material | Base Product Number | Channel Mode | Frequency(Max) | HTS | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Maximum Continuous Drain Current (A) | Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | Maximum Drain Source Voltage (V) | Maximum Gate Source Voltage (V) | Maximum Operating Temperature (°C) | Maximum Power Dissipation (mW) | Mfr | Military | Minimum Operating Temperature (°C) | Mounting | Number of Elements | Number of Elements per Chip | Operating Temperature (Max.) | Package | Package Description | Package Height | Package Length | Package Width | Part Life Cycle Code | PCB changed | Product Status | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | Rohs Code | Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | Typical Turn-Off Delay Time (ns) | Typical Turn-On Delay Time (ns) | Usage Level | Voltage Rated | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Type | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Subcategory | Current Rating (Amps) | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | Reference Standard | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Supply Voltage | Configuration | Element Configuration | Operating Mode | Case Connection | Current - Test | Transistor Application | Halogen Free | Rise Time | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Continuous Drain Current (ID) | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | Drain Current-Max (Abs) (ID) | Drain to Source Breakdown Voltage | DS Breakdown Voltage-Min | Channel Type | Power - Output | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Drain to Source Resistance | Noise Figure | Voltage - Test | Highest Frequency Band | Radiation Hardening | REACH SVHC | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипLET9060SAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 52 Weeks | Surface Mount | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Military grade | 80V | Tube | - | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | 2 | EAR99 | - | Matte Tin (Sn) - annealed | 165°C | -65°C | HIGH RELIABILITY | - | - | - | - | DUAL | FLAT | 250 | - | 12A | 960MHz | 30 | LET9060 | 10 | - | R-PDSO-F2 | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | SOURCE | 300mA | AMPLIFIER | - | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | 7A | - | 17.2dB | 7A | - | 80V | - | 60W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 28V | - | No | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| LET9060S | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипAFT09MP055NR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors MV9 55W 12.5V TO270WB4
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | TO-270AB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 40V | Tape & Reel (TR) | 2013 | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | - | Matte Tin (Sn) | - | - | - | 8541.29.00.40 | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 870MHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 550mA | - | - | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 15.7dB | - | - | - | - | 1W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 625W | - | - | 12.5V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFT09MP055NR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6V13250HR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 120V 3-Pin NI-780 T/R
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | SOT-957A | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | 225°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Military grade | 120V | Tape & Reel (TR) | 2011 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 2 | EAR99 | - | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | DUAL | FLAT | 260 | - | - | 1.3GHz | 40 | MRF6V13250 | - | - | R-CDFM-F2 | Not Qualified | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | SOURCE | 100mA | AMPLIFIER | - | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 22.7dB | - | - | 120V | - | 250W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 476W | - | - | 50V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6V13250HR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF573,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502A
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | SOT-502A | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 110V | Tray | 2010 | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | 42A | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 225MHz | NOT SPECIFIED | - | - | IEC-60134 | R-CDFM-F2 | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | SOURCE | 900mA | AMPLIFIER | - | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 27.2dB | 42A | - | 110V | - | 300W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 50V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLF573,112 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLL6H1214LS-250,11Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | SOT-502B | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100V | Tray | 2010 | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | 42A | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 1.2GHz~1.4GHz | NOT SPECIFIED | BLL6H1214 | - | IEC-60134 | R-CDFP-F2 | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | SOURCE | 100mA | AMPLIFIER | - | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 17dB | 42A | - | 100V | - | 250W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 50V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLL6H1214LS-250,11 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTFA092213FLV5R250XTMA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin Case 34288-4/2 T/R
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | - | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | - | 5 | H-34288-2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | - | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 960MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.85A | - | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 17.5dB | - | - | - | - | 200W | - | - | - | - | 30V | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| PTFA092213FLV5R250XTMA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTFB082817FHV1XWSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 34288 Tray
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| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | - | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | YES | 3 | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tray | 2010 | - | - | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | - | - | - | HIGH RELIABILITY | - | - | - | - | QUAD | UNSPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | - | 821MHz | NOT SPECIFIED | - | 4 | - | R-CQFP-X2 | - | 28V | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | SOURCE | 2.15A | AMPLIFIER | Halogen Free | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 19.3dB | - | - | 65V | - | 60W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| PTFB082817FHV1XWSA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6S9160HSR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 68V 880MHZ NI-780S
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NI-780S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 68V | Tape & Reel (TR) | 2008 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 880MHz | NOT SPECIFIED | MRF6S9160 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2A | - | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 20.9dB | - | - | - | - | 35W | - | - | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6S9160HSR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBG5120KE6327HTSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT-363
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8V | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | - | - | - | - | - | LOW NOISE | - | - | - | - | - | GULL WING | NOT SPECIFIED | - | 20mA | 800MHz | NOT SPECIFIED | - | - | AEC-Q101 | R-PDSO-G6 | - | - | COMPLEX | - | DUAL GATE, DEPLETION MODE | - | 10mA | AMPLIFIER | - | - | - | - | 2 N-Channel (Dual) | - | - | 23dB | 0.02A | - | 12V | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 1.1dB | 5V | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| BG5120KE6327HTSA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTFA220041MV4XUMA1Anlielectronics Тип | Infineon |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 10-Pin SON EP T/R
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 17 Weeks | Surface Mount | - | - | 10 | - | - | - | - | 2.2GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | e4 | yes | Active | 3 (168 Hours) | 10 | EAR99 | - | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 175°C | -40°C | - | - | - | - | - | DUAL | NO LEAD | NOT SPECIFIED | - | - | 940MHz | NOT SPECIFIED | - | 10 | - | - | Not Qualified | 28V | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | SOURCE | 50mA | AMPLIFIER | Halogen Free | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | 19 dB | - | - | - | - | 5W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 28V | - | - | - | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| PTFA220041MV4XUMA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIXZ308N120Anlielectronics Тип | IXYS-RF |
IXYS RF IXZ308N120 RF FET Transistor, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | YES | 6 | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1200V | Tube | 2004 | Z-MOS™ | - | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | - | - | 175°C | - | - | - | - | - | 880W | DUAL | - | NOT SPECIFIED | - | - | 65MHz | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | Not Qualified | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | ISOLATED | - | SWITCHING | - | 5ns | 1.2kV | - | N-Channel | 8A | - | 23dB | 8A | - | 1200V | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 2.1Ohm | - | 100V | - | - | No SVHC | RoHS Compliant | - | ||
| IXZ308N120 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLM7G1822S-40PBGYAnlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121
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| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | SOT-1212-3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2011 | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | unknown | - | 1.81GHz~2.17GHz | NOT SPECIFIED | BLM7G1822 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 40mA | - | - | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | 31.5dB | - | - | - | - | 4W | - | - | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLM7G1822S-40PBGY | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF141GAnlielectronics Тип | M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 2CH 65V 175MHZ 375-04
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| Min.:1 Mult.:1 | 20 Weeks | Screw | 375-04 | - | 5 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Military grade | - | Tray | 1997 | - | - | yes | Active | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | - | 150°C | -65°C | - | - | - | - | 500W | - | FLAT | - | - | 32A | 175MHz | - | - | 4 | - | R-CDFM-F4 | - | - | - | Dual | ENHANCEMENT MODE | - | 500mA | AMPLIFIER | - | - | 65V | - | 2 N-Channel (Dual) Common Source | 32A | 40V | 14dB | - | 65V | - | - | 300W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 28V | - | No | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MRF141G | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипNPT2021Anlielectronics Тип | M/A-Com Technology Solutions |
HEMT N-CH 48V 50W DC-2.2GHZ
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 3 Weeks | - | TO-272BC | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 160V | Tube | 2013 | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | 7A | 0Hz~2.2GHz | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 300mA | - | - | - | - | - | HEMT | - | - | 15dB | - | - | - | - | 50W | - | - | - | - | 48V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| NPT2021 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипDE475-102N21AAnlielectronics Тип | IXYS |
Trans RF FET N-CH 1000V 24A 6-Pin
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | - | - | DE475 | - | DE475 | Enhancement | - | 8541.29.00.95 | IXYS CORP | IXYS Corporation | DE475-102N21A | 24 | 450@15V | 1000 | ±20 | 175 | 1800000 | IXYS-RF | No | -55 | Surface Mount | - | 1 | - | Tube | , | 3.18 | 21.08 | 23.24 | Transferred | 6 | Obsolete | NOT SPECIFIED | 5.7 | Yes | 155@10V | 5500@800V | 190@800V | 52@800V | 5 | 5 | - | 1000 V | - | - | DE | - | Yes | Acquired | - | - | EAR99 | MOSFET | - | - | - | - | - | FET General Purpose Power | 24A | - | - | - | NOT SPECIFIED | compliant | - | - | - | - | 6 | - | - | Not Qualified | - | Single Quad Source | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N-Channel | - | - | - | - | - | - | N | 1800W | - | - | - | - | - | VERY HIGH FREQUENCY BAND | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| DE475-102N21A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF7S38040HSR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 65V 3.6GHZ NI-400S
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NI-400S-2S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 3.4GHz~3.6GHz | NOT SPECIFIED | MRF7S38040 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 450mA | - | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 14dB | - | - | - | - | 8W | - | - | - | - | 30V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF7S38040HSR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMMRF1304LR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans MOSFET N-CH 140V 2-Pin NI-360 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | NI-360 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | 133V | Tape & Reel (TR) | 2005 | - | - | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 512MHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 10mA | - | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 25.9dB | - | - | - | - | 25W | - | - | - | - | 50V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MMRF1304LR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF1214,115Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH DUAL GATE 6V 6TSSOP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 6V | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | - | Tin (Sn) | - | - | - | 8541.21.00.75 | - | 30mA | - | - | GULL WING | 260 | - | - | 400MHz | 40 | - | 6 | - | R-PDSO-G6 | Not Qualified | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE | - | 18mA | SWITCHING | - | - | - | - | N-Channel Dual Gate | - | - | 31dB | 0.03A | - | 6V | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 0.18W | - | 0.9dB | 5V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF1214,115 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBLL9G1214L-600UAnlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | SOT-502A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tray | - | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 5μA | - | - | - | - | - | - | 1.2GHz~1.4GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 400mA | - | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 19dB | - | - | - | - | 600W | - | - | - | - | 32V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLL9G1214L-600U | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIRFU1920Anlielectronics Тип | Harris Corporation |
IRFU1920
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Harris Corporation | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| IRFU1920 |
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