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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Contact Plating | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Weight | Transistor Element Material | Breakdown Voltage / V | Channel Mode | ECCN (US) | Maximum Continuous Drain Current (A) | Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | Maximum Drain Source Voltage (V) | Maximum Frequency (MHz) | Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | Maximum Gate Source Voltage (V) | Maximum Gate Threshold Voltage (V) | Maximum IDSS (uA) | Maximum Operating Temperature (°C) | Maximum VSWR | Mfr | Military | Minimum Frequency (MHz) | Minimum Operating Temperature (°C) | Mounting | Number of Elements | Number of Elements per Chip | Operating Temperature (Max.) | Output Power (W) | Package | Package Height | Package Length | Package Width | PCB changed | Process Technology | Product Status | Supplier Package | Typical Drain Efficiency (%) | Typical Forward Transconductance (S) | Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | Typical Power Gain (dB) | Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | Voltage Rated | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | Termination | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Voltage - Rated DC | Current Rating (Amps) | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | Reference Standard | JESD-30 Code | Qualification Status | Configuration | Element Configuration | Nominal Supply Current | Operating Mode | Power Dissipation | Case Connection | Current - Test | Transistor Application | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Continuous Drain Current (ID) | JEDEC-95 Code | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | Max Output Power | Drain Current-Max (Abs) (ID) | Drain to Source Breakdown Voltage | Dual Supply Voltage | DS Breakdown Voltage-Min | Channel Type | Power - Output | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Noise Figure | Nominal Vgs | Voltage - Test | Feedback Cap-Max (Crss) | Source Url Status Check Date | Mode of Operation | Height | Length | Width | Radiation Hardening | REACH SVHC | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипBG5412KE6327HTSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | - | - | PG-SOT363-6 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8V | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 25mA | - | - | - | - | - | 25mA | 800MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 10mA | - | - | - | 2 N-Channel (Dual) | - | - | - | 24dB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.1dB | - | 5V | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| BG5412KE6327HTSA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. Тип2SK852-T2-AAnlielectronics Тип | Renesas Electronics America Inc |
SMALL SIGNAL FET
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Renesas Electronics America Inc | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2SK852-T2-A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. Тип2N5247Anlielectronics Тип | ON Semiconductor |
IC AMP RF N-CHAN 30V TO-92
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | 3 | - | 200.998119mg | - | -30V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | 8V | - | 350mW | - | - | - | - | 24mA | 400MHz | - | 2N5247 | - | - | - | - | - | Single | - | - | 350mW | - | - | - | 15V | - | N-Channel JFET | 15mA | - | 8V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4dB | - | - | - | - | - | 5.33mm | 5.2mm | 4.19mm | No | - | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| 2N5247 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMMRF1317HR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors BL RF
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | SOT-979A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 105V | Tape & Reel (TR) | 2013 | - | - | Active | Not Applicable | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 1.03GHz | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100mA | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | - | 18.2dB | - | - | - | - | - | - | 1300W | - | - | - | - | 50V | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MMRF1317HR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF18085ALSR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Transistors RF MOSFET Power RF POWER LDMOS NI-780LS
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NI-780S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 1.81GHz~1.88GHz | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 800mA | - | - | - | LDMOS | - | - | - | 15dB | - | - | - | - | - | - | 85W | - | - | - | - | 26V | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF18085ALSR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF1046,135Anlielectronics Тип | NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 65V 4.5A 3-Pin LDMOST T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Enhancement | EAR99 | 4.5 | 300(Typ)@14V | 65 | 1000 | 125 | ±20 | 5 | 1 | 200 | 10 | - | No | 1 | -65 | Screw | - | 1 | - | 45 | - | 4.67(Max) | 20.45(Max) | 5.97(Max) | 3 | LDMOS | - | LDMOST | 46(Min) | 2 | 46@26V | 37@26V | 14(Min) | 1.5@26V | - | - | - | - | - | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3 | - | - | - | Single | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N | - | - | - | - | - | - | - | - | CW Class-AB|2-Tone Class-AB|1-Tone Class-AB | - | - | - | - | - | Supplier Unconfirmed | - | ||
| BLF1046,135 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLL6H0514L-130,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | SOT-1135A | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100V | Tray | 2010 | - | - | Not For New Designs | 1 (Unlimited) | 2 | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | 18A | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 1.2GHz~1.4GHz | NOT SPECIFIED | BLL6H0514 | - | IEC-60134 | S-CDFM-F2 | - | SINGLE | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 50mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | - | 17dB | - | 18A | - | - | 100V | - | 130W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 50V | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLL6H0514L-130,112 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF8S21200HR6Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin NI-1230 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NI-1230 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2010 | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | 5A991 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.14GHz | - | MRF8S21200 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.4A | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | - | 18.1dB | - | - | - | - | - | - | 48W | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF8S21200HR6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF647P,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | SOT-1121A | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tray | 2010 | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 4 | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 1.3GHz | NOT SPECIFIED | BLF647 | - | IEC-60134 | R-CDFM-F4 | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | 100mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual), Common Source | - | - | - | 18dB | - | - | - | - | 65V | - | 200W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 32V | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLF647P,112 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF908,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH 12V 40MA SOT143B
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | TO-253-4, TO-253AA | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 12V | Tape & Reel (TR) | 1996 | - | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | - | EAR99 | Tin (Sn) | - | - | LOW NOISE | 8541.21.00.75 | - | 40mA | - | - | GULL WING | 260 | - | - | 200MHz | 40 | BF908 | 4 | - | R-PDSO-G4 | Not Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | DUAL GATE, DEPLETION MODE | - | SOURCE | 15mA | AMPLIFIER | - | - | N-Channel Dual Gate | - | - | - | - | - | 0.04A | - | - | 12V | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 0.2W | 0.6dB | - | 8V | 45 pF | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF908,215 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF1203,115Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
MOSFET 2N-CH 10V 30MA 6TSSOP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 10V | Tape & Reel (TR) | 2000 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 30mA | - | - | - | - | - | - | 400MHz | - | BF1203 | 6 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 15mA | - | - | - | N-Channel Dual Gate | - | - | - | 27dB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1dB | - | 5V | - | 2013-06-14 00:00:00 | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF1203,115 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRFE6VP61K25GNR6Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors 1.8-600 MHz 1250 W CW 50 V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | OM-1230G-4L | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 133V | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 230MHz | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100mA | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | - | 23dB | - | - | - | - | - | - | 1250W | - | - | - | - | 50V | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRFE6VP61K25GNR6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипON5520,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | 2004 | - | - | Active | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| ON5520,215 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF7S21170HR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-880
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NI-880 | - | - | NI-880 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2012 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.17GHz | - | MRF7S21170 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.4A | - | - | - | LDMOS | - | - | - | 16dB | - | - | - | - | - | - | 50W | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF7S21170HR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2SK520-L-AAnlielectronics Тип | Renesas Electronics America Inc |
SMALL SIGNAL FET
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Renesas Electronics America Inc | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2SK520-L-A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипATF-531P8-BLKAnlielectronics Тип | Broadcom Limited |
AVAGO TECHNOLOGIES ATF-531P8-BLK RF FET Transistor, High Linearity, 7 V, 300 mA, 1 W, 50 MHz, 6 GHz, LPCC
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| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | Tin | Surface Mount | 8-WFDFN Exposed Pad | - | 8 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 7V | Bulk | 2008 | - | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | SMD/SMT | EAR99 | - | 150°C | -65°C | - | - | - | - | 1W | DUAL | - | 260 | - | 300mA | 2GHz | - | ATF-531P8 | - | - | - | - | SINGLE | - | 135mA | ENHANCEMENT MODE | 1W | SOURCE | - | AMPLIFIER | 4V | N-CHANNEL | E-pHEMT | 300mA | MO-229 | 1V | 20dB | - | 0.3A | - | 4V | 7V | - | 24.5dBm | HIGH ELECTRON MOBILITY | - | 0.6dB | 300 mV | - | - | - | - | 800μm | 2.1mm | 2.1mm | No | No SVHC | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| ATF-531P8-BLK | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMRF7S21170HR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-880 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | - | - | NI-880 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2010 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.17GHz | - | MRF7S21170 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.4A | - | - | - | LDMOS | - | - | - | 16dB | - | - | - | - | - | - | 50W | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF7S21170HR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF5S21045NR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Transistors RF MOSFET 2170MHZ 10W
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | TO-270AB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 68V | Tape & Reel (TR) | 2010 | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 2.12GHz | NOT SPECIFIED | MRF5S21045 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 500mA | - | - | - | LDMOS | - | - | - | 14.5dB | - | - | - | - | - | - | 10W | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF5S21045NR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPD57030S-EAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | - | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tube | - | - | e3 | Discontinued | 3 (168 Hours) | 2 | - | EAR99 | MATTE TIN | 165°C | -65°C | HIGH RELIABILITY | - | 65V | - | 52.8W | DUAL | FLAT | 250 | - | 4A | 945MHz | 30 | PD57030 | 2 | - | R-PDSO-F2 | - | - | Single | - | ENHANCEMENT MODE | 52.8W | SOURCE | 50mA | AMPLIFIER | 65V | N-CHANNEL | LDMOS | 4A | - | 20V | 14dB | 30W | 4A | 65V | - | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | No | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| PD57030S-E | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипPD85015S-EAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
IC RF PWR TRANSISTOR PWRSO-10RF
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 11 Weeks | - | Surface Mount | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tube | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 2 | - | EAR99 | - | 165°C | -65°C | HIGH RELIABILITY | - | - | - | 59W | DUAL | FLAT | - | - | 5A | 870MHz | - | PD85015 | 10 | - | R-PDFP-F2 | - | - | Single | - | ENHANCEMENT MODE | 59W | SOURCE | 150mA | AMPLIFIER | 40V | N-CHANNEL | LDMOS | 5A | - | 15V | 16dB | 20W | 5A | 40V | - | - | - | 15W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 13.6V | - | - | - | - | - | - | No | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PD85015S-E |
Индекс :
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