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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Lifecycle Status | Contact Plating | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Weight | Transistor Element Material | Base Product Number | Breakdown Voltage / V | Channel Mode | Continuous Drain Current Id | Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity | Forward Transconductance - Min | Id - Continuous Drain Current | Maximum Operating Temperature | Mfr | Minimum Operating Temperature | Mounting Styles | Number of Elements | Operating Temperature (Max.) | Operating Temperature (Min.) | Package | Pd - Power Dissipation | Product Status | Rds On - Drain-Source Resistance | RoHS | Transistor Polarity | Unit Weight | Usage Level | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Vgs - Gate-Source Voltage | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Voltage Rated | Voltage, Rating | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | Termination | ECCN Code | Type | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Voltage - Rated DC | Current Rating (Amps) | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Frequency | Operating Supply Voltage | Configuration | Element Configuration | Nominal Supply Current | Operating Mode | Power Dissipation | Case Connection | Output Power | Current - Test | Transistor Application | Rise Time | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Operating Temperature Range | Continuous Drain Current (ID) | JEDEC-95 Code | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | Max Output Power | Drain Current-Max (Abs) (ID) | Drain to Source Breakdown Voltage | Input Capacitance | DS Breakdown Voltage-Min | Channel Type | Power - Output | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Noise Figure | P1dB | Voltage - Test | Highest Frequency Band | Test Voltage | Min Breakdown Voltage | Power Dissipation Ambient-Max | Power Gain | Height | Length | Width | Radiation Hardening | REACH SVHC | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипMRFX1K80HR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 65V NI-1230H-4S
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | SOT-979A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | - | - | - | 182V | - | Cut Tape (CT) | 2006 | - | - | - | Active | Not Applicable | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | 10μA | - | - | - | 260 | - | - | 1.8MHz~470MHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 200mA | - | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | - | - | 24dB | - | - | - | - | - | - | 1800W | - | - | - | - | 65V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRFX1K80HR5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPD55003TR-EAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 25 Weeks | - | - | Surface Mount | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | - | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | - | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | 2 | - | EAR99 | - | Matte Tin (Sn) - annealed | 165°C | -65°C | HIGH RELIABILITY | - | - | - | 31.7W | DUAL | GULL WING | 250 | - | 2.5A | 500MHz | 30 | PD55003 | 10 | R-PDSO-G2 | - | - | - | - | Single | - | ENHANCEMENT MODE | 31.7W | SOURCE | - | 50mA | AMPLIFIER | - | 40V | N-CHANNEL | LDMOS | - | 2.5A | - | 20V | 17dB | 3W | - | 40V | - | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 12.5V | - | - | - | - | - | - | - | - | No | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PD55003TR-E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипATF-58143-BLKGAnlielectronics Тип | Broadcom Limited |
AVAGO TECHNOLOGIES ATF-58143-BLKG RF FET Transistor, Silicon, 3 V, 500 mA, 500 mW, 450 MHz, 6 GHz, SOT-343
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| Min.:1 Mult.:1 | 6 Weeks | - | Tin | Surface Mount | SC-82A, SOT-343 | - | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Strip | 2005 | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | - | EAR99 | - | - | 150°C | -65°C | - | - | 3V | - | 500mW | DUAL | GULL WING | 260 | - | 100mA | 2GHz | - | ATF-58143 | - | - | - | - | 3V | SINGLE | - | 30mA | ENHANCEMENT MODE | 500mW | SOURCE | - | - | AMPLIFIER | - | 3V | N-CHANNEL | pHEMT FET | - | 500mA | - | 1V | 16.5dB | - | 0.1A | - | - | 5V | - | - | HIGH ELECTRON MOBILITY | - | 0.5dB | 19 dBm | - | - | - | - | - | - | 1mm | 2.25mm | 1.35mm | No | No SVHC | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| ATF-58143-BLKG | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипARF1510Anlielectronics Тип | Microchip Technology |
RF MOSFET Transistors FG, MOSFET, 1000V, ARF, T1AView in Development Tools Selector
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| Min.:1 Mult.:1 | - | Production (Last Updated: 2 months ago) | - | Surface Mount | T-1 | - | 10 | T-1 | - | - | ARF1510 | - | - | 8 | 1 | 3 mS | 8 A | + 175 C | Microchip Technology | - 55 C | Flange Mount | 4 | - | - | Tube | 1.5 kW | Active | - | Details | N-Channel | 0.687987 oz | - | 1 kV | 30 V | 5 V | 1000 V | 1 kV | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RF Power MOSFET | - | 175 °C | -55 °C | - | - | - | 8A | 1.5 kW | - | - | - | - | 8 A | 40.7MHz | - | - | - | - | - | 40 MHz | - | N-Channel | - | - | - | 1.5 | - | 750 W | - | - | 5 ns | 1 kV | - | - | - 55 C to + 175 C | 8 A | - | 30 V | 17 dB | - | - | - | - | - | N | 750W | - | - | - | - | 400 V | - | 400 V | - | - | - | - | - | - | No | - | - | - | ||
| ARF1510 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMW6S010NR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 68V 960MHZ TO270-2
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | TO-270AA | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | 225°C | - | - | - | - | - | - | - | - | Military grade | - | - | - | 68V | - | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | e3 | - | Not For New Designs | 3 (168 Hours) | 2 | - | EAR99 | - | Tin (Sn) | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | DUAL | FLAT | 260 | not_compliant | - | 960MHz | 40 | MW6S010 | - | R-PDFM-F2 | Not Qualified | - | - | SINGLE | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 125mA | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | - | - | 18dB | - | - | - | - | 68V | - | 10W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 61.4W | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MW6S010NR1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6S20010GNR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | TO-270BA | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | 225°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 68V | - | Tape & Reel (TR) | 2005 | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | 2 | - | EAR99 | - | Matte Tin (Sn) | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | DUAL | GULL WING | 260 | - | - | 2.17GHz | 40 | MRF6S20010 | - | R-PDFM-G2 | Not Qualified | - | - | SINGLE | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 130mA | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | - | - | 15.5dB | - | - | - | - | 68V | - | 10W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6S20010GNR1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF245CAnlielectronics Тип | ON Semiconductor |
IC AMP RF NCH 30V 10MA TO-92
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | 3 | - | 200mg | - | - | -30V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | 2012 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | Through Hole | EAR99 | - | - | 150°C | -55°C | - | 8541.21.00.75 | 30V | - | 350mW | BOTTOM | - | - | - | 25mA | - | - | BF245 | 3 | - | Not Qualified | - | - | - | Single | - | DEPLETION MODE | 350mW | - | - | - | AMPLIFIER | - | 15V | - | N-Channel JFET | - | 25mA | - | -30V | - | - | 0.1A | - | - | - | - | - | JUNCTION | - | - | - | - | ULTRA HIGH FREQUENCY B | - | - | - | - | - | - | - | - | No SVHC | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| BF245C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMCH6305-TL-E-SAnlielectronics Тип | onsemi |
PCH 2.5V DRIVE SERIES
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | onsemi | - | - | - | - | - | Bulk | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| MCH6305-TL-E-S | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипARF449BGAnlielectronics Тип | Microchip Technology |
RF MOSFET Transistors FG, MOSFET, 500V, TO-247, RoHSView in Development Tools Selector
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | TO-247-3 | - | - | TO-247 | - | - | ARF449 | - | Enhancement | 9 | 1 | 3 mS | 9 A | + 150 C | Microchip Technology | - 55 C | Through Hole | - | - | - | Bulk | 165 W | Obsolete | - | Details | N-Channel | 1.340411 oz | - | 450 V | 30 V | 5 V | 450 V | - | Tube | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RF Power MOSFET | - | - | - | - | - | - | 9A | - | - | - | - | - | - | 81.36MHz | - | - | - | - | - | 120 MHz | - | N-Channel | - | - | - | 165 | - | 90 W | - | - | 3.1 ns | - | - | - | - 55 C to + 150 C | - | - | - | 13 dB | - | - | - | - | - | N Channel | 90W | - | - | - | - | 150 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| ARF449BG | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF556A,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
JFET N-CH 30V 7MA SOT23
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | - | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 30V | - | Tape & Reel (TR) | 2001 | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | - | - | - | TIN | - | - | - | 8541.21.00.75 | - | 7mA | - | DUAL | GULL WING | 260 | - | - | - | NOT SPECIFIED | BF556 | 3 | R-PDSO-G3 | Not Qualified | - | - | SINGLE | - | - | DEPLETION MODE | - | - | - | - | AMPLIFIER | - | - | - | N-Channel JFET | - | - | TO-236AB | - | - | - | - | - | - | 30V | - | - | JUNCTION | 0.25W | - | - | - | VERY HIGH FREQUENCY B | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF556A,215 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2SK3072-TB-EAnlielectronics Тип | onsemi |
NCH 4V DRIVE SERIES
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | onsemi | - | - | - | - | - | Bulk | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2SK3072-TB-E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипFC18G-TLAnlielectronics Тип | onsemi |
NCH J-FET+BIP NPN
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | onsemi | - | - | - | - | - | Bulk | - | Active | - | Non-Compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| FC18G-TL | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBF245AAnlielectronics Тип | ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 100MA TO92
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | OBSOLETE (Last Updated: 6 days ago) | - | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | 3 | - | 200mg | - | - | -30V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | 2003 | - | e0 | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | Through Hole | EAR99 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | 150°C | -55°C | - | 8541.21.00.75 | 30V | 100mA | 350mW | BOTTOM | - | 240 | not_compliant | 10mA | - | 30 | BF245 | 3 | - | Not Qualified | - | - | - | Single | - | DEPLETION MODE | 350mW | - | - | - | AMPLIFIER | - | 15V | - | N-Channel JFET | - | 6.5mA | - | 30V | - | - | 0.1A | 30V | - | - | - | - | JUNCTION | - | - | - | - | ULTRA HIGH FREQUENCY B | - | - | - | - | 5.33mm | 5.2mm | 4.19mm | - | No SVHC | Non-RoHS Compliant | Lead Free | ||
| BF245A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипAFT27S006NT1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF NCH 65V 2690MHZ PLD1.5W
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | PLD-1.5W | YES | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | 150°C | -40°C | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | - | - | - | 65V | - | Tape & Reel (TR) | 2013 | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | 2 | - | EAR99 | - | Tin (Sn) | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | FLAT | 260 | not_compliant | - | 2.17GHz | 40 | - | - | R-PDFM-F2 | - | - | - | Single | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | - | 70mA | - | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | - | - | 22dB | - | - | - | - | - | - | 28.8dBm | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 28V | - | - | - | 1.5W | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFT27S006NT1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPD57030-EAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 25 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | - | Surface Mount | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tube | - | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | 2 | - | EAR99 | - | MATTE TIN | 165°C | -65°C | HIGH RELIABILITY | - | 65V | - | 52.8W | DUAL | GULL WING | 250 | - | 4A | 945MHz | 30 | PD57030 | 2 | R-PDSO-G2 | - | - | - | - | Single | - | ENHANCEMENT MODE | 52.8W | SOURCE | - | 50mA | AMPLIFIER | - | 65V | N-CHANNEL | LDMOS | - | 4A | - | 20V | - | 30W | 4A | - | - | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 28V | - | - | 65V | - | 14dB | 3.5mm | 7.5mm | 9.4mm | No | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| PD57030-E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF1518NT1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | PLD-1.5 | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | Military grade | - | - | - | 40V | - | Tape & Reel (TR) | 2002 | - | e3 | - | Not For New Designs | 3 (168 Hours) | 4 | - | EAR99 | - | Matte Tin (Sn) | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | 4A | - | QUAD | NO LEAD | 260 | - | - | 520MHz | 40 | MRF1518 | - | R-PQSO-N4 | Not Qualified | - | - | SINGLE | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 150mA | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | - | - | 13dB | - | 4A | - | - | 40V | - | 8W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 62.5W | - | - | 12.5V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF1518NT1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипFSS132-TL-EAnlielectronics Тип | onsemi |
PCH 4V DRIVE SERIES
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | onsemi | - | - | - | - | - | Bulk | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| FSS132-TL-E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипATF-501P8-BLKAnlielectronics Тип | Broadcom Limited |
Trans JFET 7V 1A pHEMT 8-Pin LPCC Bag
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 6 Weeks | - | Tin | Surface Mount | 8-WFDFN Exposed Pad | - | 8 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | 2014 | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | - | EAR99 | - | - | 150°C | -65°C | - | - | 4.5V | - | 3.5W | DUAL | - | 260 | - | 1A | 2GHz | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE | - | 280mA | ENHANCEMENT MODE | 3.5W | SOURCE | - | - | AMPLIFIER | - | 4.5V | N-CHANNEL | E-pHEMT | - | 1A | MO-229 | 800mV | 15dB | - | 1A | - | - | 7V | - | 29dBm | HIGH ELECTRON MOBILITY | - | 1dB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | No | Unknown | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| ATF-501P8-BLK | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPD84002Anlielectronics Тип | STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 25V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 11 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | - | Surface Mount | TO-243AA | - | 3 | - | 130.492855mg | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Cut Tape (CT) | - | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | 3 | - | EAR99 | - | Matte Tin (Sn) | 150°C | -65°C | - | - | - | - | 6W | - | FLAT | 260 | not_compliant | 2A | 870MHz | 30 | PD84002 | 3 | - | Not Qualified | - | - | - | Single | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 100mA | AMPLIFIER | - | 25V | N-CHANNEL | LDMOS | - | 2A | - | 15V | 15dB | 2W | 2A | - | - | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 7.5V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | No SVHC | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| PD84002 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипSD2918Anlielectronics Тип | STMicroelectronics |
TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Screw | M113 | - | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tube | - | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | - | EAR99 | - | - | 200°C | -65°C | - | - | 125V | - | 175W | RADIAL | FLAT | - | - | 6A | 30MHz | - | SD2918 | 4 | - | - | - | - | SINGLE | - | - | ENHANCEMENT MODE | 175W | - | - | 100mA | - | - | 5V | - | N-Channel | - | 6A | - | 20V | 22dB | 30W | 6A | 125V | 58pF | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 50V | - | - | 125V | - | - | 7.11mm | 24.89mm | 6.48mm | No | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| SD2918 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ