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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Lifecycle Status | Contact Plating | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Weight | Number of Terminals | Transistor Element Material | Base Product Number | Breakdown Voltage / V | Channel Mode | Continuous Drain Current Id | Drain Current-Max (ID) | Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity | Forward Transconductance - Min | Id - Continuous Drain Current | Ihs Manufacturer | Manufacturer Part Number | Maximum Operating Temperature | Mfr | Minimum Operating Temperature | Moisture Sensitivity Levels | Mounting Styles | Number of Elements | Operating Temperature (Max.) | Operating Temperature-Max | Package | Package Body Material | Package Description | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Pd - Power Dissipation | Product Status | Rds On - Drain-Source Resistance | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | RoHS | Rohs Code | Transistor Polarity | Turn Off Delay Time | Unit Weight | Usage Level | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Vgs - Gate-Source Voltage | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Voltage Rated | Voltage, Rating | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Type | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Voltage - Rated DC | Current Rating (Amps) | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Frequency | Configuration | Number of Channels | Element Configuration | Operating Mode | Power Dissipation | Case Connection | Output Power | Turn On Delay Time | Current - Test | Transistor Application | Halogen Free | Test Current | Rise Time | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Operating Temperature Range | Continuous Drain Current (ID) | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | Max Frequency | Max Output Power | Drain Current-Max (Abs) (ID) | Drain to Source Breakdown Voltage | DS Breakdown Voltage-Min | Channel Type | Power - Output | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Drain to Source Resistance | Noise Figure | Voltage - Test | Feedback Cap-Max (Crss) | Highest Frequency Band | Test Voltage | Min Breakdown Voltage | Height | Length | Width | Radiation Hardening | REACH SVHC | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипAFT05MS006NT1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | PLD-1.5W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | - | - | - | 30V | - | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | e3 | - | Not For New Designs | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | - | Matte Tin (Sn) | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 520MHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100mA | - | - | - | - | - | - | LDMOS | - | - | - | 18.3dB | - | - | - | - | - | - | 6W | - | - | - | - | 7.5V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFT05MS006NT1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF2040WH6814XTSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 8V 40MA SOT343
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| Min.:1 Mult.:1 | 6 Weeks | - | Tin | Surface Mount | SC-82A, SOT-343 | - | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8V | - | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | - | 150°C | -55°C | - | - | - | - | 200mW | DUAL | GULL WING | - | - | 40mA | 800MHz | - | BF2040 | - | - | - | - | SINGLE | - | - | DUAL GATE, DEPLETION MODE | - | SOURCE | - | - | 15mA | AMPLIFIER | Halogen Free | - | - | - | - | N-Channel | - | 40mA | 7V | 23dB | - | - | - | - | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 1.6dB | 5V | - | - | - | - | - | - | - | No | - | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| BF2040WH6814XTSA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипAFT05MS004NT1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF POWER LDMOS TRANSISTOR
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | TO-243AA | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | - | - | - | 30V | - | Tape & Reel (TR) | 2010 | - | e3 | - | Active | 1 (Unlimited) | - | EAR99 | - | Matte Tin (Sn) | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 520MHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100mA | - | - | - | - | - | - | LDMOS | - | - | - | 20.9dB | - | - | - | - | - | - | 4.9W | - | - | - | - | 7.5V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFT05MS004NT1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMCH3406-P-TL-EAnlielectronics Тип | onsemi |
NCH 1.8V DRIVE SERIES
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | onsemi | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| MCH3406-P-TL-E | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPD55025-EAnlielectronics Тип
IN STOCK: 2015
| STMicroelectronics |
FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
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| Min.:1 Mult.:1 | 25 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | - | Surface Mount | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tube | - | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | 2 | EAR99 | - | MATTE TIN | 165°C | -65°C | HIGH RELIABILITY | - | 40V | - | 79W | DUAL | GULL WING | 250 | not_compliant | 7A | 500MHz | 30 | PD55025 | 10 | R-PDSO-G2 | Not Qualified | - | - | - | Single | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | - | 200mA | AMPLIFIER | - | - | - | 40V | N-CHANNEL | LDMOS | - | 7A | 20V | 14.5dB | - | 25W | 7A | - | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 12.5V | - | - | - | 40V | 3.5mm | 7.5mm | 9.4mm | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| PD55025-E | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипJ310GAnlielectronics Тип | ON Semiconductor |
ON SEMICONDUCTOR J310G N CHANNEL JFET, -25V, TO-92
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| Min.:1 Mult.:1 | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | - | - | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | NO | 3 | - | 453.59237mg | - | - | - | -25V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | 2006 | - | e1 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | - | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 125°C | -65°C | - | 8541.21.00.75 | 25V | - | 350mW | BOTTOM | THROUGH-HOLE | 260 | - | 60mA | 100MHz | 40 | J310 | 3 | - | - | - | - | - | Single | DEPLETION MODE | 350mW | - | - | - | 10mA | AMPLIFIER | - | - | - | 25V | - | N-Channel JFET | - | - | 25V | 16dB | - | - | - | - | - | - | - | JUNCTION | - | - | - | 10V | 2.5 pF | - | - | - | 5.33mm | 5.2mm | 4.19mm | No | No SVHC | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| J310G | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипAFT05MP075NR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
AFT05MPx Series 40 V 520 MHz SMT RF Power LDMOS Transistor - TO-270WB-4
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | TO-270AB | YES | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 225°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 40V | - | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | - | Matte Tin (Sn) | - | - | - | 8541.29.00.40 | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 520MHz | 40 | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | - | - | - | - | 400mA | - | - | - | - | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual) | - | - | - | 18.5dB | - | - | - | - | - | - | 70W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 690W | - | - | 12.5V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFT05MP075NR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипAFT20S015GNR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | TO-270BA | YES | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 125°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | - | - | - | 65V | - | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | - | Matte Tin (Sn) | - | - | - | 8541.29.00.40 | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 2.17GHz | 40 | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | - | - | - | - | 132mA | - | - | - | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | - | 17.6dB | - | - | - | - | - | - | 1.5W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFT20S015GNR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипPD57018TR-EAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
TRANSISTOR RF POWERSO-10
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| Min.:1 Mult.:1 | 25 Weeks | - | - | Surface Mount | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | - | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | 2 | EAR99 | - | MATTE TIN | 165°C | -65°C | HIGH RELIABILITY | - | - | - | 31.7W | DUAL | GULL WING | 250 | not_compliant | 2.5A | 945MHz | 30 | PD57018 | 10 | R-PDSO-G2 | Not Qualified | - | - | - | Single | ENHANCEMENT MODE | 31.7W | SOURCE | - | - | 100mA | AMPLIFIER | - | - | - | 65V | N-CHANNEL | LDMOS | - | 2.5A | 20V | 16.5dB | - | 18W | - | 65V | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 760mOhm | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PD57018TR-E | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипCPH3424-TL-EAnlielectronics Тип | onsemi |
NCH 4V DRIVE SERIES
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | onsemi | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| CPH3424-TL-E | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипAFT09MS031NR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | TO-270AA | YES | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | - | - | - | 40V | - | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | - | Matte Tin (Sn) | - | - | - | 8541.29.00.40 | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 870MHz | 40 | AFT09MS031 | - | - | - | - | Single | - | - | - | - | - | - | - | 500mA | - | - | - | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | - | 17.2dB | - | - | - | - | - | - | 31W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 317W | - | - | 13.6V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFT09MS031NR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипARF475FLAnlielectronics Тип | Atmel (Microchip Technology) |
RF MOSFET Transistors FG, MOSFET, 500V, T3AView in Development Tools Selector
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | 3 mS | 10 A | - | - | + 175 C | - | - 55 C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 910 W | - | - | - | - | Details | - | N-Channel | - | 3.271433 oz | - | 500 V | 30 V | 3.3 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RF Power MOSFET | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150 MHz | - | - | - | - | - | - | 900 W | - | - | - | - | - | 4.1 ns | - | - | - | - 55 C to + 175 C | - | - | 15 dB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| ARF475FL | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBF245BAnlielectronics Тип | ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 100MA TO92
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| Min.:1 Mult.:1 | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | - | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | 3 | - | 200mg | - | - | - | -30V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | 2009 | - | e0 | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | 150°C | -55°C | - | 8541.21.00.75 | 30V | 100mA | 350mW | BOTTOM | - | 240 | not_compliant | 10mA | - | 30 | BF245 | 3 | - | Not Qualified | - | - | - | Single | DEPLETION MODE | 350mW | - | - | - | - | AMPLIFIER | - | - | - | 15V | - | N-Channel JFET | - | 15mA | -30V | - | - | - | 0.1A | 30V | - | - | - | JUNCTION | - | - | - | - | - | ULTRA HIGH FREQUENCY B | - | - | 4.58mm | 4.58mm | 3.86mm | - | - | Non-RoHS Compliant | Lead Free | ||
| BF245B | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMRFE6S9060NR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 66V 880MHZ TO270-2
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | TO-270AA | YES | - | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | 225°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Military grade | - | - | - | 66V | - | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | 2 | EAR99 | - | Tin (Sn) | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | DUAL | FLAT | 260 | not_compliant | - | 880MHz | 40 | MRFE6S9060 | - | R-PDFM-F2 | Not Qualified | - | SINGLE | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | - | 450mA | AMPLIFIER | - | - | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | - | 21.1dB | - | - | - | - | 66V | - | 14W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRFE6S9060NR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипVRF2933MPAnlielectronics Тип | Microchip Technology |
RF MOSFET Transistors FG, MOSFET, ARF, M177,RoHS, MATCHED PAIRView in Development Tools Selector
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | M177 | - | - | M177 | - | - | - | VRF2933 | - | - | - | - | 1 | - | 42 A | - | - | + 150 C | Microchip Technology | - 65 C | - | Flange Mount | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | Details | - | N-Channel | - | 2.365692 oz | - | 180 V | - | - | 170 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RF Power MOSFET | - | - | - | - | - | - | 2mA | - | - | - | - | - | - | 150MHz | - | - | - | - | - | 150 MHz | N-Channel | - | - | - | - | - | 300 W | - | 250 mA | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 25dB | - | - | - | - | - | - | 300W | - | - | - | - | 50 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| VRF2933MP | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипARF476FLAnlielectronics Тип | Microchip Technology |
RF MOSFET Transistors FG, MOSFET, 500V, T3CView in Development Tools Selector
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| Min.:1 Mult.:1 | - | Production (Last Updated: 2 months ago) | - | Screw | - | YES | 8 | - | - | 8 | SILICON | ARF476 | - | - | 10 | 10 A | 1 | 3 mS | 10 A | MICROSEMI CORP | ARF476FL | + 175 C | Microchip Technology | - 55 C | - | Flange Mount | 2 | - | 175 °C | Tray | UNSPECIFIED | - | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | Active | 910 W | Active | - | NOT SPECIFIED | 2.27 | Details | Yes | N-Channel | 12 ns | 0.462535 oz | - | 500 V | 30 V | 3.3 V | 500 V | 500 V | Bulk | - | - | - | No | - | - | - | EAR99 | RF Power MOSFET | - | 175 °C | -55 °C | HIGH VOLTAGE | - | - | 10A | 910 W | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | compliant | 10 A | 128MHz | - | - | - | R-XDFM-F8 | Not Qualified | 150 MHz | 2 N-Channel (Dual) Common Source | - | - | ENHANCEMENT MODE | 910 | - | 900 W | 5.1 ns | 15 mA | AMPLIFIER | - | 15 mA | 4.1 ns | 500 V | N-CHANNEL | - | - 55 C to + 175 C | 10 A | 30 V | 15 dB | 150 MHz | - | - | - | 500 V | N | 900W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 150 V | - | VERY HIGH FREQUENCY BAND | 150 V | - | - | - | - | - | - | - | Lead Free | ||
| ARF476FL | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипARF466BGAnlielectronics Тип | Microchip Technology |
RF MOSFET Transistors FG, MOSFET, 1000V, TO-264, RoHSView in Development Tools Selector
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| Min.:1 Mult.:1 | - | Production (Last Updated: 2 months ago) | - | Through Hole | TO-247-3 | - | - | TO-264 | - | - | - | ARF466 | - | - | - | - | 1 | 3.3 mS | 13 A | - | - | + 150 C | Microchip Technology | - 55 C | - | Through Hole | 1 | - | - | Tube | - | - | - | - | - | 357 W | Active | 1 Ohms | - | - | Details | - | N-Channel | - | 1.340411 oz | - | 1 kV | 30 V | 4 V | 1000 V | 1 kV | Tube | - | - | - | - | - | - | - | - | RF Power MOSFET | - | 150 °C | -55 °C | - | - | - | 13A | - | - | - | - | - | 13 A | 40.68MHz | - | - | - | - | - | 45 MHz | N-Channel | 1 Channel | - | - | - | - | 300 W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 13 A | - | 16 dB | 45 MHz | - | - | - | - | - | 150W | - | - | - | - | 150 V | - | - | 150 V | - | - | - | - | No | - | - | - | ||
| ARF466BG | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF13750HR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF POWER LDMOS TRANSISTOR 750 W
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | SOT-979A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | - | - | - | 105V | - | Tape & Reel (TR) | 2016 | - | - | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | 10μA | - | - | - | 260 | - | - | 700MHz~1.3GHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | - | 20.6dB | - | - | - | - | - | - | 650W | - | - | - | - | 50V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF13750HR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипARF1500Anlielectronics Тип | Microchip Technology |
RF MOSFET Transistors FG, MOSFET, 1000V, ARF, T1View in Development Tools Selector
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| Min.:1 Mult.:1 | - | Production (Last Updated: 2 months ago) | - | - | T-1 | YES | - | T-1 | - | 6 | SILICON | ARF1500 | - | Enhancement | - | 60 A | 1 | 6 mS | 60 A | MICROSEMI CORP | ARF1500 | + 175 C | Microchip Technology | - 55 C | 1 | Flange Mount | 1 | - | 175 °C | Box | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC PACKAGE-6 | SQUARE | FLATPACK | Active | 1.5 kW | Active | - | NOT SPECIFIED | 1.63 | Details | Yes | N-Channel | - | 0.706030 oz | - | 500 V | 30 V | 5 V | 500 V | 500 V | - | - | - | e1 | Yes | - | - | - | - | RF Power MOSFET | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 175 °C | -55 °C | HIGH RELIABILITY | - | - | 60A | 1.5 kW | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | compliant | 60 A | 27.12MHz | - | - | 6 | S-CDFP-F6 | Not Qualified | 40 MHz | N-Channel | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | ISOLATED | 750 W | - | - | AMPLIFIER | - | - | 6 ns | 500 V | N-CHANNEL | - | - 55 C to + 175 C | 60 A | 30 V | 17 dB | - | - | 60 A | - | 500 V | - | 750W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 1500 W | - | - | 125 V | - | VERY HIGH FREQUENCY BAND | 125 V | - | - | - | - | No | - | - | - | ||
| ARF1500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипARF1501Anlielectronics Тип | Microchip Technology |
RF MOSFET Transistors FG, MOSFET, 1000V, ARF, T1View in Development Tools Selector
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| Min.:1 Mult.:1 | - | Production (Last Updated: 2 months ago) | - | - | T-1 | YES | - | T-1 | - | 6 | SILICON | ARF1501 | - | Enhancement | 30 | 30 A | 1 | 5.5 mS | 30 A | MICROSEMI CORP | ARF1501 | + 175 C | Microchip Technology | - 55 C | - | Flange Mount | 1 | - | 175 °C | Tube | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC PACKAGE-6 | SQUARE | FLATPACK | Active | 1.5 kW | Active | - | NOT SPECIFIED | 1.8 | Details | No | N-Channel | - | 0.669777 oz | - | 1 kV | 30 V | 5 V | 1000 V | 1 kV | Bulk | - | - | e0 | No | - | - | - | EAR99 | RF Power MOSFET | TIN LEAD | 175 °C | -55 °C | HIGH RELIABILITY | - | - | 30A | 1.5 kW | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | 30 A | 27.12MHz | - | - | 6 | S-CDFP-F6 | Not Qualified | 40 MHz | N-Channel | - | - | ENHANCEMENT MODE | 1.5 | ISOLATED | 750 W | - | - | AMPLIFIER | - | - | 5 ns | 1 kV | N-CHANNEL | - | - 55 C to + 175 C | 30 A | 30 V | 17 dB | - | - | 30 A | - | 1000 V | N Channel | 750W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 1500 W | - | - | 250 V | - | VERY HIGH FREQUENCY BAND | 250 V | - | - | - | - | No | - | - | Lead Free | ||
| ARF1501 |
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