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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Lifecycle Status | Mount | Mounting Type | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Weight | Number of Terminals | Transistor Element Material | Breakdown Voltage / V | Development Kit | Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity | Gate-Source Voltage (Max) | Id - Continuous Drain Current | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Maximum Drain Gate Voltage | Maximum Operating Temperature | Mfr | Minimum Operating Temperature | Moisture Sensitive | Mounting | Mounting Styles | Number of Elements | Operating Temperature (Max.) | Operating Temperature (Min.) | Operating Temperature Classification | Operating Temperature-Max | Operating Temperature-Min | Package | Package Body Material | Package Description | Package Shape | Package Style | Package Type | Part # Aliases | Part Life Cycle Code | Part Package Code | Pd - Power Dissipation | Product Status | Rad Hardened | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | RoHS | Rohs Code | Shipping Restrictions | Transistor Polarity | Unit Weight | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Operating Temperature | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | Termination | ECCN Code | Type | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Subcategory | Voltage - Rated DC | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Frequency | Configuration | Number of Channels | Voltage | Element Configuration | Current | Operating Mode | Power Dissipation | Output Power | Power - Max | FET Type | Transistor Application | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Operating Temperature Range | Continuous Drain Current (ID) | JEDEC-95 Code | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | Drain-source On Resistance-Max | Drain to Source Breakdown Voltage | Input Capacitance | DS Breakdown Voltage-Min | Channel Type | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Drain to Source Resistance | Feedback Cap-Max (Crss) | Highest Frequency Band | Product | Power Dissipation Ambient-Max | Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | Resistance - RDS(On) | Current Drain (Id) - Max | Height | Length | Width | Radiation Hardening | REACH SVHC | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипNTE469Anlielectronics Тип | NTE Electronics, Inc |
JFET-N-CHANNEL SWITCH
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | - | TO-92 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NTE Electronics | NTE469 | - | - | NTE Electronics, Inc | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bag | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 625 mW | N-Channel | - | 5pF @ 10V | 35 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 mA @ 15 V | - | 35 V | 100 Ohms | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| NTE469 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPMBFJ310,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
JFET N-CH 25V 250MW SOT23
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | YES | - | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2001 | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | - | - | - | Tin (Sn) | - | - | LOW NOISE | 8541.21.00.75 | - | - | - | DUAL | GULL WING | 260 | - | - | 40 | MBFJ310 | 3 | R-PDSO-G3 | Not Qualified | - | SINGLE | - | - | - | - | DEPLETION MODE | - | - | 250mW | N-Channel | AMPLIFIER | 5pF @ 10V | - | - | - | - | - | TO-236AB | - | - | - | - | - | 25V | - | JUNCTION | 0.25W | - | 2.5 pF | VERY HIGH FREQUENCY B | - | - | 24mA @ 10V | 2V @ 1μA | 25V | 50Ohm | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PMBFJ310,215 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMPF4392Anlielectronics Тип | ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 0.35W TO92
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| Min.:1 Mult.:1 | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago) | - | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | NO | 3 | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -65°C~150°C TJ | Bulk | 2009 | - | e0 | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | - | EAR99 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | 8541.21.00.95 | - | 30V | 350mW | BOTTOM | - | 240 | not_compliant | 50mA | 30 | - | 3 | - | Not Qualified | - | - | - | - | Single | - | DEPLETION MODE | - | - | - | N-Channel | SWITCHING | 10pF @ 15V VGS | - | - | - | - | - | - | 30V | - | 60Ohm | 30V | - | - | - | JUNCTION | - | - | - | - | - | - | 25mA @ 15V | 2V @ 10nA | - | 60Ohm | - | - | - | - | - | - | Non-RoHS Compliant | Contains Lead | ||
| MPF4392 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипNTE466Anlielectronics Тип | NTE Electronics, Inc |
JFET-N-CH CHOPPER/SW
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Through Hole | TO-218-3 | NO | - | TO-218 | - | 3 | SILICON | - | - | - | - | - | NTE ELECTRONICS INC | NTE Electronics | NTE466 | - | - | NTE Electronics, Inc | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | Bag | METAL | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | ROUND | CYLINDRICAL | - | - | Active | BCY | - | Active | - | NOT SPECIFIED | 2.13 | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | 8541.21.00.95 | Other Transistors | - | - | BOTTOM | WIRE | NOT SPECIFIED | unknown | - | - | - | 3 | O-MBCY-W3 | Not Qualified | - | SINGLE | - | - | - | - | DEPLETION MODE | - | - | 360 mW | N-Channel | SWITCHING | 18pF @ 10V | 40 V | N-CHANNEL | - | - | - | TO-18 | - | - | 25 Ω | - | - | 40 V | - | JUNCTION | 0.36 W | - | 0.8 pF | - | - | - | 50 mA @ 15 V | 4 V @ 500 pA | 40 V | 25 Ohms | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| NTE466 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBFT46Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
TRANSISTOR 10 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET General Purpose Small Signal
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | - | - | YES | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | PHILIPS SEMICONDUCTORS | Philips Semiconductors | BFT46 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150 °C | - | - | - | , | - | - | - | - | Transferred | - | - | - | - | - | 8.31 | Compliant | Yes | - | - | - | - | - | - | - | Cut Tape | - | - | e3 | - | - | - | - | - | - | - | Matte Tin (Sn) | 150 °C | -65 °C | - | - | Other Transistors | - | - | - | - | - | unknown | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | - | - | 250 mW | - | - | - | - | - | - | N-CHANNEL | - | - | 10 mA | - | 2 V | - | - | - | - | - | - | JUNCTION | 0.25 W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 mm | 3 mm | 1.4 mm | - | No SVHC | - | - | ||
| BFT46 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипJ112-D26ZAnlielectronics Тип | ON Semiconductor |
JFET Transistor, JFET, -35 V, 5 mA, -5 V, TO-226AA, JFET
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| Min.:1 Mult.:1 | 7 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | Surface Mount, Through Hole | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | - | 3 | - | 200.998119mg | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | yes | Active | 1 (Unlimited) | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 35V | 625mW | BOTTOM | - | - | - | 50mA | - | J112 | - | - | - | - | - | - | 35V | Single | 5A | DEPLETION MODE | 625mW | - | - | N-Channel | SWITCHING | - | 35V | - | - | - | 5mA | - | -35V | - | - | - | 7pF | - | - | JUNCTION | - | 50Ohm | 5 pF | - | - | - | 5mA @ 15V | 1V @ 1μA | - | 50Ohm | - | - | - | - | No | No SVHC | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| J112-D26Z | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипNTE2937Anlielectronics Тип | NTE Electronics, Inc |
JFET P-CHANNEL 30V TO-92
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | - | TO-92 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NTE Electronics | NTE2937 | - | - | NTE Electronics, Inc | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bag | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 350 mW | P-Channel | - | 5.5pF @ 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 20 mA @ 15 V | 5 V @ 10 nA | 30 V | 85 Ohms | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| NTE2937 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипQPD1009Anlielectronics Тип | Qorvo |
RF JFET Transistors DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | QFN-16 | - | - | - | - | - | - | - | QPD1009-EVB1 | 50 | - | 700 mA | - | - | - | - | + 85 C | - | - 40 C | Yes | - | SMD/SMT | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1132865 1132865 | - | - | 17.5 W | - | - | - | - | Details | - | - | N-Channel | 0.203046 oz | 50 V | 145 V | - 2.8 V | - | Tray | - | QPD1009 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4 GHz | Single | - | - | - | - | - | - | 17 W | - | - | - | - | - | - | HEMT | - 40 C to + 85 C | - | - | - | 24 dB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| QPD1009 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипPMBFJ111,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | YES | - | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2001 | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | - | EAR99 | - | Tin (Sn) | - | - | - | 8541.21.00.95 | - | - | - | DUAL | GULL WING | 260 | - | - | 40 | MBFJ111 | 3 | R-PDSO-G3 | Not Qualified | - | SINGLE | - | - | - | - | DEPLETION MODE | - | - | 300mW | N-Channel | SWITCHING | 6pF @ 10V VGS | - | - | - | - | - | TO-236AB | - | - | 30Ohm | - | - | 40V | - | JUNCTION | 0.3W | - | - | - | - | - | 20mA @ 15V | 10V @ 1μA | 40V | 30Ohm | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PMBFJ111,215 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипTGF2819-FLAnlielectronics Тип | Qorvo |
RF JFET Transistors DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | NI-360 | - | - | - | - | - | - | - | TGF2819-FS/FL, EVAL BOARD | 25 | - | 7.32 A | - | - | - | 145 V | + 85 C | - | - 40 C | Yes | - | Screw Mount | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | TGF2819 1118709 | - | - | 86 W | - | - | - | - | Details | - | This product may require additional documentation to export from the United States. | N-Channel | - | 32 V | - 2.9 V | - | - | Tray | - | TGF2819 | - | - | - | - | - | - | - | GaN SiC HEMT | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3.5 GHz | Single | - | - | - | - | - | - | 100 W | - | - | - | - | - | - | HEMT | - 40 C to + 85 C | - | - | - | 14 dB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| TGF2819-FL | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипJ108Anlielectronics Тип | ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 625MW TO92
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Through Hole | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | 3 | TO-92-3 | 201mg | - | - | -25V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C~150°C TJ | Bulk | - | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | Through Hole | - | - | - | 150°C | -55°C | - | - | - | 25V | 625mW | - | - | - | - | 80mA | - | J108 | - | - | - | - | - | - | - | Single | - | - | 625mW | 625mW | 625mW | N-Channel | - | - | 25V | - | - | - | 80mA | - | 25V | - | - | - | - | - | - | - | - | 8Ohm | - | - | - | - | 80mA @ 15V | 3V @ 10nA | 25V | 8Ohms | - | - | - | - | - | No SVHC | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| J108 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипTGF2979-SMAnlielectronics Тип | Qorvo |
RF JFET Transistors 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | QFN-20 | - | - | - | - | - | - | - | TGF2979-SMEVB1 | 50 | - | 1.8 A | - | - | - | - | + 225 C | - | - | Yes | - | SMD/SMT | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | TGF2979 1127378 | - | - | 49 W | - | - | - | - | Details | - | This product may require additional documentation to export from the United States. | N-Channel | 0.004339 oz | 32 V | - 2.7 V | - | - | Tray | - | TGF2979 | - | - | - | - | - | - | - | GaN SiC HEMT | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | DC to 12 GHz | Single | 1 Channel | - | - | - | - | - | 22 W | - | - | - | - | - | - | HEMT | - | - | - | - | 11 dB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RF JFET Transistor | - | - | - | - | - | - | 0.203 mm | 4 mm | 3 mm | - | - | - | - | ||
| TGF2979-SM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипPN4117AAnlielectronics Тип | ON Semiconductor |
JFET N-CH 40V 0.35W TO92
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | 3 | - | - | - | - | -40V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C~150°C TJ | Bulk | 2002 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 40V | - | - | - | - | compliant | - | - | 2N4117 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 350mW | - | - | N-Channel | - | 3pF @ 10V | - | - | - | - | 90μA | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 30μA @ 10V | 600mV @ 1nA | 40V | - | - | - | - | - | - | - | - | Lead Free | ||
| PN4117A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипPMBFJ112,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | YES | - | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2001 | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | - | EAR99 | - | Tin (Sn) | - | - | - | 8541.21.00.95 | - | - | - | DUAL | GULL WING | 260 | - | - | 40 | MBFJ112 | 3 | R-PDSO-G3 | Not Qualified | - | SINGLE | - | - | - | - | DEPLETION MODE | - | - | 300mW | N-Channel | SWITCHING | 6pF @ 10V VGS | - | - | - | - | - | TO-236AB | - | - | 50Ohm | - | - | 40V | - | JUNCTION | 0.3W | - | - | - | - | - | 5mA @ 15V | 5V @ 1μA | 40V | 50Ohm | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PMBFJ112,215 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2N5457GAnlielectronics Тип | ON Semiconductor |
JFET N-CH 25V 0.31W TO92
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| Min.:1 Mult.:1 | - | OBSOLETE (Last Updated: 11 hours ago) | Through Hole | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | 3 | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 135°C TJ | Bulk | 2006 | - | e1 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | - | EAR99 | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - | LOW NOISE | 8541.21.00.95 | - | 25V | 310mW | BOTTOM | - | 260 | - | 10mA | 40 | 2N5457 | 3 | - | Not Qualified | - | - | - | - | Single | - | DEPLETION MODE | 200mW | - | - | N-Channel | SWITCHING | 7pF @ 15V | - | - | - | - | - | - | 25V | - | - | 25V | - | - | - | JUNCTION | - | 2mOhm | - | - | - | - | 1mA @ 15V | 500mV @ 10nA | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| 2N5457G | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипQPD1000Anlielectronics Тип | Qorvo |
RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | QFN-8 | - | - | - | - | - | - | - | QPD1000PCB401, QPD1000PCB402 | 750 | - | 817 mA | - | - | - | - | + 85 C | - | - 40 C | Yes | - | SMD/SMT | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | QPD1000TR7 | - | - | 28.8 W | - | - | - | - | Details | - | - | N-Channel | 0.258417 oz | 28 V | 100 V | - 2.8 V | - | Tray | - | QPD1000 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 30 MHz to 1.215 GHz | Single | - | - | - | - | - | - | 24 W | - | - | - | - | - | - | HEMT | - 40 C to + 85 C | - | - | - | 19 dB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| QPD1000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипNTE461Anlielectronics Тип | NTE Electronics, Inc |
JFET-MATCHED DUAL N-CH
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Through Hole | Through Hole | TO-71-6 Metal Can | NO | 6 | TO-71 | 4.535924 g | 6 | SILICON | - | - | - | -50(V) | - | NTE ELECTRONICS INC | NTE Electronics | NTE461 | - | - | NTE Electronics, Inc | - | - | Through Hole | - | 2 | 200C | -65C | Military | - | - | Bag | METAL | CYLINDRICAL, O-MBCY-W6 | ROUND | CYLINDRICAL | TO-71 | - | Active | TO-71 | - | Active | No | - | 1.6 | Compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 200 °C | -65 °C | - | 8541.21.00.95 | FET General Purpose Small Signal | - | - | BOTTOM | WIRE | - | unknown | - | - | - | 6 | O-MBCY-W6 | Not Qualified | - | Dual | - | - | Dual | - | DEPLETION MODE | - | - | - | 2 N-Channel (Dual) | AMPLIFIER | 6pF @ 15V | 50 V | N-CHANNEL | - | - | - | TO-71 | -50 V | - | - | - | - | - | N | JUNCTION | 0.25 W | - | 2 pF | - | - | - | 500 μA @ 15 V | 500 mV @ 500 pA | 50 V | - | - | 6.35 mm | 165.1 mm | 95.25 mm | - | - | - | - | ||
| NTE461 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2N4341Anlielectronics Тип | Vishay |
-
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | NO | - | - | - | 3 | SILICON | - | - | - | - | - | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP | Central Semiconductor Corp | 2N4341 | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | 200 °C | -65 °C | - | METAL | - | ROUND | CYLINDRICAL | - | - | Obsolete | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | 5.39 | - | No | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e0 | No | - | - | - | - | EAR99 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | LOW NOISE | 8541.21.00.95 | Other Transistors | - | - | BOTTOM | WIRE | NOT SPECIFIED | unknown | - | - | - | - | O-MBCY-W3 | Not Qualified | - | SINGLE | - | - | - | - | DEPLETION MODE | - | - | - | - | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | TO-18 | - | - | - | - | - | 50 V | - | JUNCTION | 0.325 W | - | 2 pF | - | - | 0.325 W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2N4341 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипFJX597JHTFAnlielectronics Тип | ON Semiconductor |
JFET N-CH 20V 0.1W SOT323
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | Surface Mount | SC-70, SOT-323 | - | 3 | SC-70 (SOT323) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2004 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | 150°C | -55°C | - | - | - | 20V | 100mW | - | - | - | - | 1mA | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | - | 100mW | N-Channel | - | 3.5pF @ 5V | 20V | - | - | - | 1mA | - | -20V | - | - | - | 3.5pF | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150μA @ 5V | 600mV @ 1μA | 20V | - | 1mA | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| FJX597JHTF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипPMBFJ174,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
NXP PMBFJ174,215 P-channel JFET Transistor, 30 V, Idss 20135mA, 3-Pin SOT-23
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | YES | - | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1997 | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | - | EAR99 | - | Tin (Sn) | - | - | - | 8541.21.00.95 | - | - | - | DUAL | GULL WING | 260 | - | - | 40 | MBFJ174 | 3 | R-PDSO-G3 | Not Qualified | - | SINGLE | - | - | - | - | DEPLETION MODE | - | - | 300mW | P-Channel | SWITCHING | 8pF @ 10V VGS | - | - | - | - | - | - | - | - | 85Ohm | - | - | 30V | - | JUNCTION | 0.3W | - | - | - | - | - | 20mA @ 15V | 5V @ 10nA | 30V | 85Ohm | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PMBFJ174,215 |
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