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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Mount | Mounting Type | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Transistor Element Material | Brand | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Breakdown Voltage | Current-Collector (Ic) (Max) | DC Collector/Base Gain hfe Min | Emitter- Base Voltage VEBO | Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity | hFEMin | Manufacturer | Maximum DC Collector Current | Maximum Operating Temperature | Minimum Operating Temperature | Mounting Styles | Number of Elements | Operating Temperature (Max.) | Pd - Power Dissipation | Power Dissipation (Max) | RoHS | Tradename | Transistor Polarity | Unit Weight | Operating Temperature | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | HTS Code | Subcategory | Max Power Dissipation | Technology | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Frequency | Polarity | Configuration | Element Configuration | Power Dissipation | Output Power | Power - Max | Transistor Application | Gain Bandwidth Product | Polarity/Channel Type | Product Type | Transistor Type | Collector Emitter Voltage (VCEO) | Max Collector Current | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | JEDEC-95 Code | Gain | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | Transition Frequency | Power - Output | Frequency - Transition | Collector Base Voltage (VCBO) | Power Dissipation-Max (Abs) | Emitter Base Voltage (VEBO) | Collector Current-Max (IC) | DC Current Gain-Min (hFE) | Continuous Collector Current | Highest Frequency Band | Collector-Base Capacitance-Max | Product Category | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. Тип2N5179Anlielectronics Тип | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN VHF Amp
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | Through Hole | - | TO-72 | - | 4 | - | - | - | 12V | - | - | - | - | 25 | - | - | - | - | - | 1 | - | - | 200mW | - | - | - | - | - | Bulk | 2013 | - | e0 | no | Active | - | 4 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 150°C | -65°C | - | - | - | - | BOTTOM | WIRE | NOT SPECIFIED | - | 2GHz | NOT SPECIFIED | - | - | Not Qualified | - | NPN | - | Single | 200mW | - | - | AMPLIFIER | 2 GHz | - | - | - | 12V | 50mA | - | - | 15 dB | - | 900MHz | - | 2GHz | 20V | - | 2.5V | - | - | 50mA | - | - | - | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| 2N5179 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBFY90Anlielectronics Тип | Central Semiconductor |
BFY Series 15 V 1.4 GHz NPN Through Hole Epitaxial Planar RF Transistor - TO-72
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | Through Hole | - | TO-72-4 | - | - | SILICON | - | - | 15V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | 200°C | - | 200mW | - | - | - | - | - | Bulk | 2006 | - | e0 | no | Active | - | 4 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | 8541.21.00.75 | - | - | - | BOTTOM | WIRE | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | 4 | O-MBCY-W4 | Not Qualified | - | NPN | SINGLE | - | - | - | - | AMPLIFIER | - | - | - | - | - | 25mA | - | - | 23 dB | - | 1300MHz | - | 1.4GHz | - | - | - | - | - | - | ULTRA HIGH FREQUENCY B | 1.5pF | - | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| BFY90 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMPSH81Anlielectronics Тип | Central Semiconductor Corp |
RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | Through Hole | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | - | SILICON | - | - | 20V | 50mA | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | -65°C~150°C TJ | Bulk | 2008 | - | e0 | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | TIN LEAD | - | - | 8541.21.00.75 | - | 350mW | - | BOTTOM | - | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | 3 | O-PBCY-T3 | Not Qualified | - | - | SINGLE | - | - | - | - | AMPLIFIER | - | PNP | - | PNP | - | 50mA | 60 @ 5mA 10V | - | - | - | 600MHz | - | 600MHz | - | - | - | - | - | - | VERY HIGH FREQUENCY B | 0.85pF | - | RoHS Compliant | - | ||
| MPSH81 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипCMUT5179 TR TIN/LEADAnlielectronics Тип | Central Semiconductor |
RF Bipolar Transistors 20Vcbo 15Vceo 2.5Vebo 50mA 250mW
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | SOT-523-3 | - | - | - | - | 15 V | - | - | 25 at 3 mA, 1 V | 2.5 V | 3000 | - | - | - | + 150 C | - 65 C | SMD/SMT | - | - | 250 mW | - | N | - | NPN | - | - | Reel | - | CMUT5179 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1450 MHz | - | Single | - | - | - | - | - | - | - | - | Bipolar | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 50 mA | - | - | - | - | - | ||
| CMUT5179 TR TIN/LEAD | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипPN918 TIN/LEADAnlielectronics Тип | Central Semiconductor |
RF Bipolar Transistors NPN 30Vcbo 15Vceo 3Vebo 50mA 200mW
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | TO-72-4 | - | - | - | - | 15 V | - | - | 20 at 3 mA, 1 V | 3 V | 2500 | - | - | - | + 200 C | - 65 C | Through Hole | - | - | 200 mW | - | N | 0 | NPN | - | - | Bulk | - | PN918 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | - | - | - | - | - | Bipolar | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 50 mA | - | - | - | - | - | ||
| PN918 TIN/LEAD | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2N2539 PBFREEAnlielectronics Тип | Central |
RF Bipolar Transistors NPN Sat Switch
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | Central Semiconductor | - | - | - | - | - | 2000 | - | Central Semiconductor | - | - | - | - | - | - | - | - | Details | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Transistors | - | Si | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RF Bipolar Transistors | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RF Bipolar Transistors | - | - | ||
| 2N2539 PBFREE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMPSH10 PBFREEAnlielectronics Тип | Central Semiconductor |
RF Bipolar Transistors NPN RF Amp/Osc
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | 25 V | - | - | 60 | 3 V | 2500 | - | - | - | + 150 C | - 65 C | Through Hole | - | - | - | - | Details | - | NPN | 0.016000 oz | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100 MHz | - | Single | - | - | - | - | - | - | - | - | Bipolar | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 50 mA | - | - | - | - | - | ||
| MPSH10 PBFREE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBFY90 TIN/LEADAnlielectronics Тип | Central Semiconductor |
RF Bipolar Transistors NPN RF 30Vcbo 30Vcer 15Vceo 25mA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | TO-72-4 | - | - | - | - | 15 V | - | - | 25 at 2 mA, 1 V | 2.5 V | 2000 | - | - | 50 mA | + 200 C | - 65 C | Through Hole | - | - | 200 mW | - | N | 0 | NPN | - | - | Bulk | - | BFY90 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.1 GHz | - | Single | - | - | - | - | - | - | - | - | Bipolar | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 25 mA | - | - | - | - | - | ||
| BFY90 TIN/LEAD | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. Тип2N5770Anlielectronics Тип | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN RF Amp/Osc
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | Through Hole | - | TO-92 | - | - | - | - | - | 15V | - | - | - | - | 20 | - | - | - | - | - | 1 | - | - | 625mW | - | - | - | - | - | - | 2008 | - | e0 | no | Active | - | 3 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 150°C | -65°C | 8541.21.00.75 | - | - | - | BOTTOM | - | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | - | O-PBCY-T3 | Not Qualified | - | NPN | - | Single | - | - | - | AMPLIFIER | 900MHz | - | - | - | 15V | 50mA | - | - | - | - | 900MHz | - | 900MHz | 30V | - | 3V | - | 50 | 50mA | ULTRA HIGH FREQUENCY B | 1.7pF | - | RoHS Compliant | - | ||
| 2N5770 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипCMPTH81 TRAnlielectronics Тип | Central Semiconductor Corp |
RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | YES | - | - | - | - | - | 50mA | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C~150°C TJ | Cut Tape (CT) | 2016 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | compliant | - | - | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | 225mW | - | - | PNP | - | PNP | - | - | 60 @ 5mA 10V | - | - | 20V | 600MHz | - | 600MHz | - | 0.225W | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| CMPTH81 TR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPN3563Anlielectronics Тип | Central Semiconductor |
TRANSISTOR NPN RF OSC TO92
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | Through Hole | - | TO-226-3 | - | - | SILICON | - | - | 12V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | 2008 | - | e0 | no | Active | - | 3 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | - | - | - | BOTTOM | - | NOT SPECIFIED | not_compliant | - | NOT SPECIFIED | - | O-PBCY-T3 | Not Qualified | - | - | SINGLE | - | - | - | - | AMPLIFIER | - | NPN | - | - | - | - | - | TO-92 | - | - | 600MHz | - | - | - | 0.6W | - | 0.05A | 20 | - | - | 1.7pF | - | Non-RoHS Compliant | - | ||
| PN3563 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. Тип2N4427Anlielectronics Тип | Central Semiconductor Corp |
Bipolar Transistors - BJT NPN VHF/UHF AM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | Through Hole | Through Hole | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | - | - | SILICON | - | - | 20V | - | - | - | - | 10 | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | -65°C~200°C TJ | Bulk | 2001 | - | e0 | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | 8541.29.00.75 | - | 1W | - | BOTTOM | WIRE | NOT SPECIFIED | not_compliant | - | NOT SPECIFIED | - | O-MBCY-W3 | Not Qualified | - | - | - | Single | - | 1W | - | AMPLIFIER | 500MHz | NPN | - | NPN | 20V | 400mA | 10 @ 100mA 5V | - | 10dB | - | 500MHz | - | - | 40V | - | 2V | - | - | 400mA | VERY HIGH FREQUENCY B | 4pF | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| 2N4427 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMPSH10Anlielectronics Тип | Central Semiconductor Corp |
Bipolar Transistors - BJT NPN RF Amp/Osc
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 3 Weeks | - | Through Hole | TO-92 | NO | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | 60 | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | -65°C~150°C TJ | - | 2012 | - | e0 | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | - | 350mW | - | BOTTOM | - | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | - | O-PBCY-T3 | Not Qualified | - | - | - | Single | - | - | - | AMPLIFIER | 650MHz | NPN | - | NPN | 25V | 25mA | 60 @ 4mA 10V | - | - | - | 650MHz | - | - | 30V | - | 3V | - | - | - | - | 0.65pF | - | RoHS Compliant | - | ||
| MPSH10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипCM5583Anlielectronics Тип | Central Semiconductor Corp |
CM Series 30 V 500 mA PNP Through Hole High Frequency Silicon Transistor - TO-39
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Through Hole | Through Hole | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | - | - | SILICON | - | - | - | 500mA | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | -65°C~200°C TJ | - | 2001 | - | e0 | no | Obsolete | - | 3 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | BOTTOM | WIRE | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | - | O-MBCY-W3 | Not Qualified | - | - | SINGLE | - | - | - | 1W | SWITCHING | - | PNP | - | PNP | - | - | 25 @ 100mA 2V | - | - | 30V | 1300MHz | - | 1.3GHz | - | 1W | - | - | - | - | - | 5pF | - | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| CM5583 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. Тип2N918Anlielectronics Тип | Central Semiconductor |
-
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | Through Hole | - | TO-72 | - | - | - | - | - | 15V | - | - | - | - | 20 | - | - | - | - | - | 1 | - | - | 200mW | - | - | - | - | - | Bulk | 2012 | - | e0 | no | Active | - | 4 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 150°C | -65°C | 8541.21.00.75 | - | - | - | BOTTOM | WIRE | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | - | O-MBCY-W4 | Not Qualified | - | NPN | - | Single | - | - | - | AMPLIFIER | 600MHz | - | - | - | 15V | 50mA | - | - | - | - | 600MHz | - | 600MHz | 30V | - | 3V | - | 20 | 50mA | - | 3pF | - | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| 2N918 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. Тип2N3866Anlielectronics Тип | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN VHF/UHF AM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | Through Hole | - | TO-39 | - | - | - | - | - | 30V | - | - | - | - | 10 | - | - | - | - | - | 1 | - | - | 5W | - | - | - | - | - | Bulk | 2001 | - | e0 | no | Active | - | 3 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 150°C | -65°C | - | - | - | - | BOTTOM | WIRE | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | 3 | O-MBCY-W3 | Not Qualified | - | NPN | SINGLE | - | - | - | - | AMPLIFIER | 500MHz | - | - | - | 30V | 400mA | - | - | - | - | 500MHz | - | 500MHz | 55V | - | 3.5V | - | 10 | 400mA | HIGH FREQUENCY B | 3pF | - | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| 2N3866 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипCMPTH10 TRAnlielectronics Тип | Central Semiconductor Corp |
RF TRANS NPNUHF/VHF SOT23
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | YES | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -65°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | - | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | compliant | - | - | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | 350mW | - | - | NPN | - | NPN | - | - | 60 @ 4mA 10V | - | - | 25V | 650MHz | - | 650MHz | - | 0.35W | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| CMPTH10 TR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипCM5160Anlielectronics Тип | Central Semiconductor |
-
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | Through Hole | - | TO-39-3 | - | - | - | - | - | 40V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1W | - | - | - | - | - | Bulk | 2005 | - | e0 | no | Active | - | - | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3 | - | - | - | PNP | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 400mA | - | - | - | - | - | - | 500MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| CM5160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. Тип2N5109Anlielectronics Тип | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN Wide Bd AM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | Through Hole | - | TO-39 | - | - | - | - | - | 20V | - | - | - | - | 70 | - | - | - | - | - | 1 | - | - | 1W | - | - | - | - | - | - | 2011 | - | e0 | no | Active | - | 3 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 150°C | -65°C | 8541.29.00.75 | - | - | - | BOTTOM | WIRE | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | 3 | O-MBCY-W3 | Not Qualified | - | NPN | - | Single | - | - | - | AMPLIFIER | 1.2 GHz | - | - | - | 20V | 400mA | - | - | 11 dB | - | 1200MHz | 1W | 1.2GHz | 40V | - | 3V | - | - | 400mA | VERY HIGH FREQUENCY B | 3.5pF | - | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| 2N5109 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. Тип2N2857Anlielectronics Тип | Central Semiconductor |
-
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | Through Hole | - | TO-72 | - | - | - | - | - | 15V | - | - | - | - | 30 | - | - | - | - | - | 1 | - | - | 200mW | - | - | - | - | - | - | 2016 | - | e0 | no | Active | - | 4 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 150°C | -65°C | 8541.21.00.75 | - | - | - | BOTTOM | WIRE | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | - | O-MBCY-W4 | Not Qualified | - | NPN | - | Single | - | - | - | AMPLIFIER | 1.9 GHz | - | - | - | 15V | 40mA | - | - | - | - | 1000MHz | - | 1.9GHz | 30V | - | 2.5V | - | 30 | - | ULTRA HIGH FREQUENCY B | 1pF | - | RoHS Compliant | - | ||
| 2N2857 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ