Transistors - Bipolar (BJT) - RF Products For Sale - PDF - Discrete Semiconductor Products -Page30

Все продукты
/
Discrete Semiconductor Products
/
Transistors - Bipolar (BJT) - RF

Изображение	Тип	Марка	Объяснение	Установленная цена	Количество	RoHS	Lifecycle Status	Mount	Mounting Type	Package / Case	Surface Mount	Number of Pins	Supplier Device Package	Number of Terminals	Transistor Element Material	Base Product Number	Brand	Collector-Emitter Breakdown Voltage	Current-Collector (Ic) (Max)	Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity	Ihs Manufacturer	Manufacturer	Manufacturer Part Number	Mfr	Number of Elements	Operating Temperature-Max	Package	Package Body Material	Package Description	Package Shape	Package Style	Part Life Cycle Code	Part Package Code	Product Status	Reflow Temperature-Max (s)	Risk Rank	RoHS	Rohs Code	Transition Frequency-Nom (fT)	Voltage Rating (DC)	Voltage, Rating	Operating Temperature	Packaging	Series	Tolerance	JESD-609 Code	Pbfree Code	ECCN Code	Temperature Coefficient	Resistance	Terminal Finish	Max Operating Temperature	Min Operating Temperature	Composition	Additional Feature	HTS Code	Subcategory	Power Rating	Max Power Dissipation	Technology	Terminal Position	Terminal Form	Peak Reflow Temperature (Cel)	Reach Compliance Code	Current Rating	Pin Count	JESD-30 Code	Qualification Status	Polarity	Configuration	Case Connection	Output Power	Power - Max	Transistor Application	Polarity/Channel Type	Product Type	Transistor Type	Collector Emitter Voltage (VCEO)	Max Collector Current	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Gain	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	Max Frequency	Transition Frequency	Max Breakdown Voltage	Frequency - Transition	Output Format	Collector Base Voltage (VCBO)	Power Dissipation-Max (Abs)	Emitter Base Voltage (VEBO)	Collector Current-Max (IC)	DC Current Gain-Min (hFE)	Collector-Emitter Voltage-Max	Highest Frequency Band	Collector-Base Capacitance-Max	Noise Figure (dB Typ @ f)	Product Category	Height	Radiation Hardening	Lead Free

Изображение	Тип	Марка	Объяснение	Количество	Lifecycle Status	Mount	Mounting Type	Package / Case	Surface Mount	Number of Pins	Supplier Device Package	Number of Terminals	Transistor Element Material	Base Product Number	Brand	Collector-Emitter Breakdown Voltage	Current-Collector (Ic) (Max)	Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity	Ihs Manufacturer	Manufacturer	Manufacturer Part Number	Mfr	Number of Elements	Operating Temperature-Max	Package	Package Body Material	Package Description	Package Shape	Package Style	Part Life Cycle Code	Part Package Code	Product Status	Reflow Temperature-Max (s)	Risk Rank	RoHS	Rohs Code	Transition Frequency-Nom (fT)	Voltage Rating (DC)	Voltage, Rating	Operating Temperature	Packaging	Series	Tolerance	JESD-609 Code	Pbfree Code	ECCN Code	Temperature Coefficient	Resistance	Terminal Finish	Max Operating Temperature	Min Operating Temperature	Composition	Additional Feature	HTS Code	Subcategory	Power Rating	Max Power Dissipation	Technology	Terminal Position	Terminal Form	Peak Reflow Temperature (Cel)	Reach Compliance Code	Current Rating	Pin Count	JESD-30 Code	Qualification Status	Polarity	Configuration	Case Connection	Output Power	Power - Max	Transistor Application	Polarity/Channel Type	Product Type	Transistor Type	Collector Emitter Voltage (VCEO)	Max Collector Current	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Gain	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	Max Frequency	Transition Frequency	Max Breakdown Voltage	Frequency - Transition	Output Format	Collector Base Voltage (VCBO)	Power Dissipation-Max (Abs)	Emitter Base Voltage (VEBO)	Collector Current-Max (IC)	DC Current Gain-Min (hFE)	Collector-Emitter Voltage-Max	Highest Frequency Band	Collector-Base Capacitance-Max	Noise Figure (dB Typ @ f)	Product Category	Height	Radiation Hardening	Lead Free
	Mfr. Тип PH1214-110M Anlielectronics Тип	MACOM	RF Bipolar Transistors Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	DIV40E21	MACOM	-	-	20	-	MACOM	-	TE Connectivity Deutsch Connectors	-	-	Bag	-	-	-	-	-	-	Active	-	-	Details	-	-	-	-	-	-	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Transistors	-	-	Si	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	RF Bipolar Transistors	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	RF Bipolar Transistors	-	-	-
PH1214-110M MACOM RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип NE68819-T1-A Anlielectronics Тип	Renesas	NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILL Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	Surface Mount	SC-75, SOT-416	-	-	SC-75 (USM)	-	-	-	-	-	100mA	-	-	-	-	Renesas	-	-	Tape & Reel (TR)	-	-	-	-	-	-	Last Time Buy	-	-	Non-Compliant	-	-	-	-	150°C (TJ)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	125mW	-	-	-	NPN	-	-	80 @ 3mA, 1V	8dB	6V	-	-	-	9GHz	-	-	-	-	-	-	-	-	-	1.7dB @ 2GHz	-	-	-	-
NE68819-T1-A Renesas RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MPS5179 Anlielectronics Тип	MOTOROLA	- Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Non-Compliant	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MPS5179 MOTOROLA RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MS2214 Anlielectronics Тип	Microchip	Trans RF BJT NPN 8A 4-Pin Case M218 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	-	-	YES	4	-	2	SILICON	-	-	55 V	-	-	MICROSEMI CORP	Microsemi Corporation	MS2214	KEMET	1	250 °C	Bulk	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	M218, 2 PIN	RECTANGULAR	FLANGE MOUNT	Obsolete	-	Obsolete	NOT SPECIFIED	5.11	Compliant	No	-	-	-	-	-	-	-	e0	No	EAR99	-	-	TIN LEAD	250 °C	-65 °C	-	HIGH RELIABILITY	-	Other Transistors	-	300 W	-	DUAL	FLAT	NOT SPECIFIED	unknown	-	2	R-CDFM-F2	Not Qualified	NPN	SINGLE	BASE	85 W	-	AMPLIFIER	NPN	-	-	-	8 A	-	7.5 dB	-	-	960 MHz	-	-	-	55 V	300 W	-	8 A	20	-	L BAND	-	-	-	-	No	Lead Free
MS2214 Microchip RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MS-10-15 Anlielectronics Тип	TDK	- Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MS-10-15 TDK RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип BFT25A，215 Anlielectronics Тип	Nexperia	Transistor RF BJT NPN 5V 6.5mA 3-Pin SOT-23 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Non-Compliant	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BFT25A，215 Nexperia RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MS2393 Anlielectronics Тип	Microchip	Trans GP BJT NPN 65V 11A 4-Pin Style M138 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	Chassis Mount, Screw	-	-	YES	4	-	2	SILICON	-	-	65 V	-	-	MICROSEMI CORP	Microsemi Corporation	MS2393	-	1	200 °C	-	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	0.400 X 0.400 INCH, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, M138, 2 PIN	SQUARE	FLANGE MOUNT	Obsolete	-	-	NOT SPECIFIED	5.62	Compliant	No	-	-	-	-	-	-	-	e0	No	EAR99	-	-	TIN LEAD	200 °C	-65 °C	-	WITH EMITTER BALLASTED RESISTOR	-	-	-	583 W	-	DUAL	FLAT	NOT SPECIFIED	compliant	-	2	S-CDFM-F2	Not Qualified	NPN	SINGLE	BASE	150 W	-	AMPLIFIER	NPN	-	-	65 V	11 A	-	8.2 dB	-	-	1.15 GHz	-	-	-	65 V	-	-	11 A	-	-	L BAND	-	-	-	-	No	Lead Free
MS2393 Microchip RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип AT32011-TR1 Anlielectronics Тип	Agilent	INSTOCK Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
AT32011-TR1 Agilent RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MMST918T146 Anlielectronics Тип	ROHM Semiconductor	TRANS GP BJT NPN 15V 50A 3-PIN S Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	Surface Mount	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	YES	-	SMT3	3	SILICON	MMST918	-	-	50A	-	ROHM CO LTD	ROHM Semiconductor	MMST918T146	Rohm Semiconductor	1	150 °C	Tape & Reel (TR)	PLASTIC/EPOXY	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	RECTANGULAR	SMALL OUTLINE	Obsolete	SC-59	Active	10	5.71	-	Yes	600 MHz	-	25 V	150°C (TJ)	-	-	0.5 %	e1	-	EAR99	50 ppm/°C	7.06 kΩ	TIN SILVER COPPER	155 °C	-55 °C	Thin Film	-	8541.21.00.75	Other Transistors	63 mW	-	-	DUAL	GULL WING	260	compliant	-	3	R-PDSO-G3	Not Qualified	-	SINGLE	-	-	200mW	AMPLIFIER	NPN	-	NPN	-	-	20 @ 3mA, 1V	15dB	15V	-	-	-	600MHz	-	-	0.2 W	-	0.05 A	20	15 V	-	3 pF	6dB @ 60MHz	-	350 µm	-	-
MMST918T146 ROHM Semiconductor RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MRF5812GR1 Anlielectronics Тип	Microchip	Trans Gp Bjt NPN 15V 0.2A 8-PIN SOIC T/r Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Obsolete (Last Updated: 2 months ago)	Surface Mount	-	-	YES	8	-	8	SILICON	-	-	15 V	-	-	MICROSEMI CORP	Microsemi Corporation	MRF5812GR1	-	1	-	-	PLASTIC/EPOXY	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	RECTANGULAR	SMALL OUTLINE	Obsolete	SOIC	-	40	7.93	Non-Compliant	Yes	5000 MHz	-	-	-	Bulk	-	-	e3	Yes	EAR99	-	-	MATTE TIN	-	-	-	LOW NOISE	-	Other Transistors	-	1.25 W	-	DUAL	GULL WING	260	compliant	-	8	R-PDSO-G8	-	-	SINGLE	-	-	-	AMPLIFIER	NPN	-	-	15 V	200 mA	-	15.5 dB	-	-	5 GHz	15 V	-	-	30 V	1.25 W	-	0.2 A	50	15 V	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	2 pF	-	-	-	No	Lead Free
MRF5812GR1 Microchip RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MX0912B351Y Anlielectronics Тип	Ampleon	RF POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1-E Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	Chassis Mount	SOT-439A	-	-	CDFM2	-	-	-	-	-	21A	-	-	-	-	Ampleon USA Inc.	-	-	Bulk	-	-	-	-	-	-	Active	-	-	-	-	-	-	-	200°C (TJ)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	960W	-	-	-	NPN	-	-	-	8dB	20V	-	-	-	1.215GHz	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MX0912B351Y Ampleon RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MC1331 Anlielectronics Тип	Microchip	RF POWER TRANSISTOR Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MC1331 Microchip RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип UMIL3B Anlielectronics Тип	Microchip	RF TRANS 30V 400MHZ 55FT Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
UMIL3B Microchip RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип UPA802T-A Anlielectronics Тип	Renesas	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
UPA802T-A Renesas RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип NTE15 Anlielectronics Тип	NTE ELECT	NTE Electronics Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	Through Hole	Through Hole	3-SIP	-	3	3-SIP	-	-	-	-	-	50mA	-	-	NTE Electronics	NTE15	NTE Electronics, Inc	-	-	Bag	-	-	-	-	-	-	Active	-	-	Compliant	-	-	-	-	125°C (TJ)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	125 °C	-55 °C	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	300mW	-	-	-	NPN	19 V	50 mA	39 @ 5mA, 10V	-	19V	1.1 GHz	-	-	1.1GHz	-	30 V	-	4 V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
NTE15 NTE ELECT RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип BF199 Anlielectronics Тип	Siemens	- Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Non-Compliant	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BF199 Siemens RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MRF5812G Anlielectronics Тип	Microchip	RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	YES	-	-	8	SILICON	-	-	-	-	-	MICROSEMI CORP	Microsemi Corporation	MRF5812G	-	1	-	-	PLASTIC/EPOXY	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	RECTANGULAR	SMALL OUTLINE	Obsolete	SOIC	-	40	5.31	-	Yes	5000 MHz	-	-	-	-	-	-	e3	Yes	EAR99	-	-	MATTE TIN	-	-	-	LOW NOISE	-	Other Transistors	-	-	-	DUAL	GULL WING	260	unknown	-	8	R-PDSO-G8	-	-	SINGLE	-	-	-	AMPLIFIER	NPN	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	1.25 W	-	0.2 A	50	15 V	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	2 pF	-	-	-	-	-
MRF5812G Microchip RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип AT32032-TR1G Anlielectronics Тип	AVAGO	- Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
AT32032-TR1G AVAGO RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип 60159 Anlielectronics Тип	Norgren	Cylinder Accessory/replacement Part, .31 X .44 X .06 O-r Vn Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
60159 Norgren RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип NE85619-T1 Anlielectronics Тип	Renesas	Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 3-Pin Ultra Super Mini-Mold T/R Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	YES	-	-	3	SILICON	-	CTS Electronic Components	-	-	1000	CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES	CTS	NE85619-T1	-	1	150 °C	-	PLASTIC/EPOXY	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	RECTANGULAR	SMALL OUTLINE	Obsolete	-	-	-	7.57	Details	-	4500 MHz	12 V	-	-	Reel	533	-	-	-	EAR99	-	-	-	-	-	-	LOW NOISE	8541.21.00.75	Oscillators	-	-	-	DUAL	GULL WING	-	unknown	100 mA	-	R-PDSO-G3	Not Qualified	-	SINGLE	-	-	-	AMPLIFIER	NPN	TCXO	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	HCMOS	-	-	-	0.1 A	80	12 V	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	1.5 pF	-	TCXO Oscillators	-	-	Contains Lead
NE85619-T1 Renesas RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -

Discrete Semiconductor Products

Transistors - Bipolar (BJT) - RF definition: A bipolar junction transistor (bipolar transistor or BJT) is a type of transistor that uses both electrons and holes as charge carriers. Uni... Transistors - Bipolar (BJT) - RF Product Listing: PH1214-110M,NE68819-T1-A,MPS5179,MS2214,MS-10-15.Discrete Semiconductor Products type:Diodes - Zener - Single(113610),Diodes - Rectifiers - Single(97769),Transistors - FETs, MOSFETs - Single(61202),Transistors - Bipolar (BJT) - Single(34518),Diodes - Rectifiers - Arrays(17034) .Transistors - Bipolar (BJT) - RF has 3286 pieces of spot stock price information, you can click the "RFQ" button to confirm the inventory and price with the Anli.

Индекс :

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

Локаль

Язык

Валюта

Здравствуйте, добро пожаловать в ANLI

Anlielectronics

Локаль

Язык

Валюта

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Discrete Semiconductor Products