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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Contact Plating | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Transistor Element Material | AEC Qualified Number | Channel Mode | ECCN (US) | Lead Shape | Maximum Continuous Drain Current (A) | Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | Maximum Drain Source Voltage (V) | Maximum Frequency (MHz) | Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | Maximum Gate Source Voltage (V) | Maximum Gate Threshold Voltage (V) | Maximum IDSS (uA) | Maximum Operating Temperature (°C) | Maximum Power Dissipation (mW) | Maximum VSWR | Military | Minimum Frequency (MHz) | Minimum Operating Temperature (°C) | Mounting | Number of Elements | Number of Elements per Chip | Operating Temperature (Max.) | Output Power (W) | Package Height | Package Length | Package Width | PCB changed | Process Technology | Standard Package Name | Supplier Package | Typical Drain Efficiency (%) | Typical Forward Transconductance (S) | Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | Typical Power Gain (dB) | Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | Usage Level | Voltage Rated | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | HTS Code | Voltage - Rated DC | Current Rating (Amps) | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | Reference Standard | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Supply Voltage | Configuration | Nominal Supply Current | Operating Mode | Case Connection | Current - Test | Transistor Application | Halogen Free | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Continuous Drain Current (ID) | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | Max Frequency | DS Breakdown Voltage-Min | Channel Type | Power - Output | FET Technology | Noise Figure | Voltage - Test | Mode of Operation | Min Breakdown Voltage | Height | Length | Width | Radiation Hardening | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипPTFA261301F V1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | - | - | H-31260-2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tray | 2007 | GOLDMOS® | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | 10μA | - | - | - | - | - | - | 2.68GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.4A | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 13.5dB | - | - | - | 130W | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| PTFA261301F V1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLL8H1214L-500UAnlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | SOT539A | - | - | SOT539A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100V | Tray | 2011 | - | - | Active | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2GHz~1.4GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150mA | - | - | - | - | LDMOS (Dual), Common Source | - | - | 17dB | - | - | - | 500W | - | - | 50V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLL8H1214L-500U | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF8S7235NR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors HV8 700MHZ OM780-2
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | OM-780-2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 70V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | e3 | Not For New Designs | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | Matte Tin (Sn) | - | - | 8541.29.00.40 | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 728MHz | 40 | - | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | 1.4A | - | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 20dB | - | - | - | 63W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 28V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF8S7235NR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTFA081501F V1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | 2-Flatpack, Fin Leads | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tray | 2010 | GOLDMOS® | - | Discontinued | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | 10μA | - | - | - | - | - | - | 900MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 950mA | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 18dB | - | - | - | 150W | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PTFA081501F V1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF8P9300HR6Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 70V 5-Pin NI-1230 T/R
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NI-1230 | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | 225°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Military grade | 70V | Tape & Reel (TR) | 2010 | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 4 | EAR99 | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | FLAT | 260 | unknown | - | 960MHz | 40 | MRF8P9300 | - | - | R-CDFM-F4 | Not Qualified | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | ENHANCEMENT MODE | SOURCE | 2.4A | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual) | - | - | 19.4dB | - | 70V | - | 100W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 28V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF8P9300HR6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6VP3450HSR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 860MHZ NI1230S
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | NI-1230S | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | 225°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 110V | Tape & Reel (TR) | 2010 | - | - | Not For New Designs | Not Applicable | 4 | EAR99 | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | FLAT | 260 | - | - | 860MHz | 40 | MRF6VP3450 | - | - | R-CDFP-F4 | Not Qualified | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | SOURCE | 1.4A | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual) | - | - | 22.5dB | - | 110V | - | 90W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 50V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6VP3450HSR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF9085LSR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Transistors RF MOSFET Power RF PWR LDMOS LTP COBRA
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NI-780S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2003 | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 880MHz | NOT SPECIFIED | MRF9085 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 700mA | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 17.9dB | - | - | - | 90W | - | - | 26V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF9085LSR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипATF-35143-BLKGAnlielectronics Тип | Broadcom Limited |
Trans JFET N-CH 5.5V 80mA pHEMT 4-Pin(3 Tab) SOT-343 Bag
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| Min.:1 Mult.:1 | 6 Weeks | Tin | Surface Mount | SC-82A, SOT-343 | - | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Strip | 2012 | - | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | 160°C | -65°C | - | 5.5V | - | 300mW | DUAL | GULL WING | 260 | - | 80mA | 2GHz | - | ATF-35143 | - | - | - | - | - | SINGLE | 15mA | ENHANCEMENT MODE | SOURCE | - | AMPLIFIER | - | 2V | N-CHANNEL | pHEMT FET | 80mA | -5V | 18dB | - | - | - | 10dBm | HIGH ELECTRON MOBILITY | 0.4dB | - | - | 5.5V | 1mm | 2.25mm | 1.35mm | No | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| ATF-35143-BLKG | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF188XRSUAnlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539B
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | SOT539B | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 135V | Tray | 2011 | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 108MHz | NOT SPECIFIED | - | - | IEC-60134 | R-CDFP-F4 | - | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | ENHANCEMENT MODE | - | 40mA | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual), Common Source | - | - | 24.4dB | - | 135V | - | 1400W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 50V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLF188XRSU | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF647PAnlielectronics Тип | NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 65V 5-Pin CDFM
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Enhancement | EAR99 | - | - | 140(Typ)@6.15V | 65 | 1500 | 50 | 11 | 2.4 | 1.4 | 200 | - | 10 | No | 10 | -65 | Screw | - | 2 | - | 200 | 4.75(Max) | 34.16(Max) | 9.91(Max) | 5 | LDMOS | - | CDFM | 70 | - | 78@32V | 30@32V | 18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|18|19 | 1.3@32V | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 5 | - | - | - | - | Dual Common Source | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N | - | - | - | - | Class-AB|2-Tone Class-AB|Pulsed RF|CW Class-B | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| BLF647P | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTAC260302SCV1R250XTMA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 65(Min)V 4-Pin H-37248 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | - | - | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | 2016 | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | - | 200°C | -65°C | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | Halogen Free | - | - | - | - | 10V | 15 dB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| PTAC260302SCV1R250XTMA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF647PS,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | SOT-1121B | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tray | 2010 | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 1.3GHz | NOT SPECIFIED | BLF647 | - | IEC-60134 | R-CDFP-F4 | - | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | ENHANCEMENT MODE | - | 100mA | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual), Common Source | - | - | 17.5dB | - | 65V | - | 200W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 32V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLF647PS,112 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипA2T21S260W12NR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | OM-880X-2L2L | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | - | - | - | - | - | 10μA | - | - | - | 260 | - | - | 2.11GHz~2.2GHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.6A | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 17.9dB | - | - | - | 218W | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| A2T21S260W12NR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF5S4125NR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Transistors RF MOSFET Power HV5 450MHZ
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | TO-270AB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2010 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 465MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.1A | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 23dB | - | - | - | 25W | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF5S4125NR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBG5412KE6327XTAnlielectronics Тип | Infineon Technologies AG |
Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | AEC-Q101 | Depletion | EAR99 | Gull-wing | 0.025 | - | 8 | - | - | ±6 | - | - | 150 | 200 | - | No | - | -55 | Surface Mount | - | 2 | - | - | 0.9(Max) | 2 | 1.25 | 6 | - | SOT-26 | SOT-363 | - | 0.033@Amp A|0.03@Amp B | 2@5V@Gate 1@Amp B|2.2@5V@Gate 1@Amp A | 0.8@5V@Amp B|0.9@5V@Amp A | 34@Amp A|31@Amp B | - | - | - | Tape and Reel | - | - | - | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 6 | - | - | - | - | Dual Common Source | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| BG5412KE6327XT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMRFE6S9201HSR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 66V 880MHZ NI-780S
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NI-780S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 66V | Tape & Reel (TR) | 2008 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 880MHz | - | MRFE6S9201 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.4A | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 20.8dB | - | - | - | 40W | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRFE6S9201HSR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF8HP21130HR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors HV8 2.1GHZ 130W NI780-4
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NI780-4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2011 | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | 5A991 | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.17GHz | - | MRF8HP21130 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 360mA | - | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | 14dB | - | - | - | 28W | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF8HP21130HR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTFA091503ELV4R250XTMA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin Case 36248 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | - | Screw, Surface Mount | - | - | 7 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | 2016 | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | 200°C | -40°C | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 12V | - | 960MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| PTFA091503ELV4R250XTMA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF998RE6327HTSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
Trans RF MOSFET N-CH 12V 0.03A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-143R T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | SOT-143R | - | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | EAR99 | - | 150°C | -55°C | - | - | - | 200mW | - | - | - | - | 30mA | 45MHz | - | BF998 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 10mA | - | - | - | - | N-Channel | 30mA | 12V | 28dB | - | - | - | - | - | 2.8dB | 8V | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| BF998RE6327HTSA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипA2T07H310-24SR6Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans MOSFET N-CH 70V 6-Pin NI-1230S T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | NI-1230-4LS2L | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | 70V | Tape & Reel (TR) | 2005 | - | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 880MHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 700mA | - | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | 18.6dB | - | - | - | 47W | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| A2T07H310-24SR6 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ