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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Lifecycle Status | Contact Plating | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Number of Terminals | Transistor Element Material | Channel Mode | Drain Current-Max (ID) | ECCN (US) | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Maximum Continuous Drain Current (A) | Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | Maximum Drain Source Voltage (V) | Maximum Frequency (MHz) | Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | Maximum Gate Source Voltage (V) | Maximum Gate Threshold Voltage (V) | Maximum IDSS (uA) | Maximum Operating Temperature (°C) | Maximum VSWR | Mfr | Military | Minimum Frequency (MHz) | Minimum Operating Temperature (°C) | Mounting | Number of Elements | Number of Elements per Chip | Operating Temperature (Max.) | Operating Temperature-Max | Output Power (W) | Package | Package Body Material | Package Description | Package Height | Package Length | Package Shape | Package Style | Package Width | Part Life Cycle Code | PCB changed | Process Technology | Product Status | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | RoHS | Rohs Code | Supplier Package | Typical Drain Efficiency (%) | Typical Fall Time (ns) | Typical Forward Transconductance (S) | Typical Power Gain (dB) | Typical Rise Time (ns) | Voltage Rated | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Voltage - Rated DC | Current Rating (Amps) | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | Reference Standard | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Supply Voltage | Configuration | Element Configuration | Operating Mode | Power Dissipation | Case Connection | Current - Test | Transistor Application | Halogen Free | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Continuous Drain Current (ID) | JEDEC-95 Code | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | Max Output Power | Drain Current-Max (Abs) (ID) | Drain to Source Breakdown Voltage | Input Capacitance | DS Breakdown Voltage-Min | Channel Type | Power - Output | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Noise Figure | Voltage - Test | Feedback Cap-Max (Crss) | Highest Frequency Band | Mode of Operation | Min Breakdown Voltage | Radiation Hardening | REACH SVHC | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипSD57120Anlielectronics Тип | STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 14A 5-Pin Case M-252 Tube
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| Min.:1 Mult.:1 | - | NRND (Last Updated: 8 months ago) | - | Screw | M252 | - | 5 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tube | - | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | 200°C | -65°C | - | - | 65V | - | 236W | - | FLAT | - | - | 14A | 960MHz | - | SD57120 | 2 | - | R-PDFM-F4 | - | - | - | Dual | ENHANCEMENT MODE | 236W | SOURCE | 800mA | AMPLIFIER | - | 65V | N-CHANNEL | LDMOS | 14A | - | 20V | 14dB | 120W | - | 65V | 169pF | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | - | - | 65V | No | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| SD57120 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF5S21150HR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-880
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | NI-880 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2005 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.11GHz~2.17GHz | - | MRF5S21150 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.3A | - | - | - | - | LDMOS | - | - | - | 12.5dB | - | - | - | - | - | - | 33W | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF5S21150HR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипAFT18S230-12NR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
The AFT18S230SR3 50 watt RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 1805 to 1880 MHz.
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | OM-780-2L2L | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 1.88GHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.4A | - | - | - | - | LDMOS | - | - | - | 17.6dB | - | - | - | - | - | - | 50W | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFT18S230-12NR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF1102R,115Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.04A 6-Pin TSSOP T/R
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 7V | Tape & Reel (TR) | 2000 | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | Tin (Sn) | - | - | LOW NOISE | 8541.21.00.75 | - | 40mA | - | - | GULL WING | 260 | unknown | - | 800MHz | 40 | BF1102 | 6 | - | R-PDSO-G6 | Not Qualified | - | COMPLEX | - | DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE | - | - | 15mA | AMPLIFIER | - | - | - | N-Channel Dual Gate | - | - | - | - | - | 0.04A | - | - | 7V | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 2dB | 5V | 0.05 pF | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF1102R,115 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипA2T21H360-24SR6Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans MOSFET N-CH 65V 6-Pin NI-1230S T/R
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | NI-1230-4LS2L | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2013 | - | - | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 2.14GHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 500mA | - | - | - | - | LDMOS | - | - | - | 16.2dB | - | - | - | - | - | - | 63W | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| A2T21H360-24SR6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипATF-50189-TR1Anlielectronics Тип | Broadcom Limited |
Trans JFET 7V 1A pHEMT 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R
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| Min.:1 Mult.:1 | 6 Weeks | - | Tin | Surface Mount | TO-243AA | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | 2001 | - | e3 | - | Obsolete | 2 (1 Year) | 3 | EAR99 | - | 150°C | -65°C | - | 8541.21.00.75 | 4.5V | - | 2.25W | - | FLAT | 260 | - | 1A | 2GHz | - | ATF-50189 | - | - | - | - | - | - | Single | ENHANCEMENT MODE | - | - | 280mA | AMPLIFIER | - | 7V | N-CHANNEL | E-pHEMT | 1A | MO-229 | 800mV | 15.5dB | - | 1A | - | - | 7V | - | 29dBm | HIGH ELECTRON MOBILITY | - | 1.1dB | - | - | - | - | - | No | No SVHC | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| ATF-50189-TR1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6S21050LSR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-400S T/R
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | NI-400S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 68V | Tape & Reel (TR) | 2008 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 2.16GHz | NOT SPECIFIED | MRF6S21050 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 450mA | - | - | - | - | LDMOS | - | - | - | 16dB | - | - | - | - | - | - | 11.5W | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6S21050LSR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTFC262808SVV1R250XTMA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 65(Min)V 7-Pin H-37275G-6/2 T/R
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| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | - | - | Surface Mount | - | - | 7 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | 2016 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | EAR99 | - | 200°C | -65°C | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | Halogen Free | - | - | - | - | - | 10V | 19.5 dB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| PTFC262808SVV1R250XTMA1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF7S19080HSR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780S T/R
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | NI-780S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2011 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.99GHz | - | MRF7S19080 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 750mA | - | - | - | - | LDMOS | - | - | - | 18dB | - | - | - | - | - | - | 24W | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF7S19080HSR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBXL4004-1EXAnlielectronics Тип | onsemi |
NCH 4.5V DRIVE SERIES
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | onsemi | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BXL4004-1EX | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6VP41KHR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | NI-1230 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 225°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 110V | Tape & Reel (TR) | 2012 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 450MHz | 40 | MRF6VP41 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150mA | - | - | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual) | - | - | - | 20dB | - | - | - | - | - | - | 1000W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 50V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6VP41KHR5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипFW238-NMM-TL-EAnlielectronics Тип | onsemi |
N-CHANNEL SILICON MOS FET
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | onsemi | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| FW238-NMM-TL-E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLU6H0410L-600P,11Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A
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| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | - | SOT539A | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 110V | Tray | 2011 | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 860MHz | NOT SPECIFIED | - | - | IEC-60134 | R-CDFM-F4 | - | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | 1.3A | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual), Common Source | - | - | - | 21dB | - | - | - | - | 110V | - | 250W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 50V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLU6H0410L-600P,11 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF8G27LS-150VJAnlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B
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| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | - | SOT-1244B | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2011 | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 2.6GHz~2.7GHz | NOT SPECIFIED | BLF8G27 | - | IEC-60134 | R-CDFP-F6 | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 1.3A | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | - | 18dB | - | - | - | - | 65V | - | 45W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLF8G27LS-150VJ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLL6H0514-25Anlielectronics Тип | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 100V 2.5A 3-Pin LDMOST
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | YES | 3 | - | 2 | SILICON | Enhancement | 2.5 A | EAR99 | NXP SEMICONDUCTORS | NXP Semiconductors | BLL6H0514-25 | 2.5 | [email protected] | 100 | 1400 | 100 | 13 | 2.4 | 1 | 200 | 10 | - | No | 500 | -65 | Screw | 1 | 1 | - | 200 °C | 25(Min) | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2 | 4.67(Max) | 20.45(Max) | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | 5.97(Max) | Transferred | 3 | LDMOS | - | NOT SPECIFIED | 5.69 | Compliant | Yes | LDMOST | 59 | 6 | 0.15 | 21 | 20 | - | - | - | - | - | - | NRND | - | - | EAR99 | - | 200 °C | - | - | - | - | - | 25 W | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | compliant | - | - | - | - | 3 | - | R-CDFM-F2 | Not Qualified | - | Single | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | AMPLIFIER | - | 100 V | N-CHANNEL | - | 2.5 A | - | - | - | - | - | - | - | 100 V | N | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | L BAND | Pulsed RF | - | - | No SVHC | RoHS Compliant | - | ||
| BLL6H0514-25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRFE6VP61K25GSR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-1230S T/R
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | NI-1230S-4 GW | YES | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 225°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 133V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.40 | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 230MHz | 40 | MRFE6VP61K25 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100mA | - | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | - | 24dB | - | - | - | - | - | - | 1250W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 1333W | - | 50V | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRFE6VP61K25GSR5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBG5412KH6327XTSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | - | 6 | PG-SOT363-6 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8V | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | 150°C | -55°C | - | - | - | 25mA | 200mW | - | - | - | - | 25mA | 800MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 10mA | - | - | - | - | 2 N-Channel (Dual) | 25mA | - | - | 24dB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.1dB | 5V | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| BG5412KH6327XTSA1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипPTAB182002TCV2R250XUMA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
Trans MOSFET 65V 4-Pin H-49248H T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 26 Weeks | - | - | Surface Mount | - | - | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | - | - | - | yes | Active | 3 (168 Hours) | 4 | EAR99 | - | 200°C | -40°C | - | - | - | - | - | DUAL | GULL WING | NOT SPECIFIED | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | 10V | - | - | - | - | - | 65V | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | L B | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PTAB182002TCV2R250XUMA1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипPTVA093002TCV1R250XUMA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 5-Pin H-49248H-4 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 26 Weeks | - | - | Surface Mount | - | - | 5 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | - | - | - | yes | Active | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | 200°C | -65°C | - | - | - | - | - | DUAL | GULL WING | NOT SPECIFIED | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | R-CDSO-G4 | - | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | 12V | - | - | - | - | - | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | ULTRA HIGH FREQUENCY B | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| PTVA093002TCV1R250XUMA1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF878,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 89V 21DB SOT979A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 26 Weeks | - | - | - | SOT-979A | - | - | CDFM2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 89V | Tube | 2009 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 860MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.4A | - | - | - | - | LDMOS (Dual), Common Source | - | - | - | 21dB | - | - | - | - | - | - | 300W | - | - | - | 40V | - | - | - | - | - | - | Non-RoHS Compliant | - | ||
| BLF878,112 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ