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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Lifecycle Status | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Material | Transistor Element Material | AEC Qualified | ECCN (US) | HTS | Id - Continuous Drain Current | Lead Shape | Maximum Continuous Drain Current (A) | Maximum Drain Source Voltage (V) | Maximum Frequency (MHz) | Maximum Gate Source Voltage (V) | Maximum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature (°C) | Maximum Power Dissipation (mW) | Maximum VSWR | Military | Minimum Frequency (MHz) | Minimum Operating Temperature (°C) | Mounting | Mounting Styles | Number of Elements | Number of Elements per Chip | Operating Temperature (Max.) | Output Power (W) | Package Height | Package Length | Package Width | PCB changed | Process Technology | Standard Package Name | Supplier Package | Transistor Polarity | Typical Drain Efficiency (%) | Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | Typical Power Gain (dB) | Usage Level | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Voltage Rated | Packaging | Published | JESD-609 Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Voltage - Rated DC | Current Rating (Amps) | Max Power Dissipation | Technology | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | Reference Standard | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Frequency | Operating Supply Voltage | Configuration | Element Configuration | Operating Mode | Power Dissipation | Case Connection | Output Power | Current - Test | Transistor Application | Halogen Free | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Continuous Drain Current (ID) | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | Max Output Power | Drain Current-Max (Abs) (ID) | Drain to Source Breakdown Voltage | Input Capacitance | DS Breakdown Voltage-Min | Power - Output | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Noise Figure | Voltage - Test | Feedback Cap-Max (Crss) | Min Breakdown Voltage | Radiation Hardening | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипMRF5P21240HR6Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-1230
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NI-1230 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2005 | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.11GHz~2.17GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.2A | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 13dB | - | - | - | - | - | 52W | - | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF5P21240HR6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPD85025TR-EAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
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| Min.:1 Mult.:1 | 25 Weeks | - | Surface Mount | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | - | e3 | Active | 3 (168 Hours) | 2 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 165°C | -65°C | - | - | - | - | 79W | - | DUAL | GULL WING | NOT SPECIFIED | not_compliant | 7A | 870MHz | NOT SPECIFIED | PD85025 | 10 | - | R-PDSO-G2 | Not Qualified | - | - | - | Single | ENHANCEMENT MODE | 79W | SOURCE | - | 300mA | AMPLIFIER | - | 40V | N-CHANNEL | LDMOS | 7A | 15V | 17.3dB | 30W | 7A | 40V | - | - | 10W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 13.6V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PD85025TR-E | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLA6H0912-500,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | SOT634A | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100V | Tray | 2010 | - | Active | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | 54A | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 960MHz~1.22GHz | NOT SPECIFIED | - | - | IEC-60134 | R-CDFM-F2 | - | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 100mA | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 17dB | - | 54A | - | - | 100V | 450W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 50V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLA6H0912-500,112 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF5S4140HR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Transistors RF MOSFET Power HV5 450MHZ 140W NI780H
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | SOT-957A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 465MHz | NOT SPECIFIED | MRF5S4140 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.25A | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 21dB | - | - | - | - | - | 28W | - | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF5S4140HR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF2425M9LS30UAnlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135B
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| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | SOT-1135B | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tray | 2010 | - | Active | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.45GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 20mA | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 18.5dB | - | - | - | - | - | 30W | - | - | - | 32V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLF2425M9LS30U | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6S18060NR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 5-Pin TO-270 W T/R
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | TO-270AB | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | 225°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Military grade | - | 68V | Tape & Reel (TR) | 2005 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 4 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | DUAL | FLAT | 260 | - | - | 1.99GHz | 40 | MRF6S18060 | - | - | R-PDFP-F4 | Not Qualified | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 600mA | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 15dB | - | - | - | - | 68V | 60W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 216W | - | 26V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6S18060NR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипSD56120MAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 14A 5-Pin Case M-252 Tube
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Screw | M252 | - | 5 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tube | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | 200°C | -65°C | - | - | 65V | - | 236W | - | - | FLAT | - | - | 14A | 860MHz | - | SD56120 | 4 | - | R-PDFM-F4 | - | - | - | - | Dual | ENHANCEMENT MODE | 236W | SOURCE | - | 400mA | AMPLIFIER | - | 65V | N-CHANNEL | LDMOS | 14A | 20V | 16dB | 120W | - | 65V | 221pF | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 32V | - | 65V | No | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| SD56120M | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF21010LR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-360
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NI-360 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 2.17GHz | NOT SPECIFIED | MRF21010 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100mA | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 13.5dB | - | - | - | - | - | 10W | - | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF21010LR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMRF6S9160HR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 68V 880MHZ NI-780
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | SOT-957A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 68V | Tape & Reel (TR) | 2008 | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 880MHz | NOT SPECIFIED | MRF6S9160 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2A | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 20.9dB | - | - | - | - | - | 35W | - | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6S9160HR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF8G22LS-140JAnlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
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| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | SOT-502B | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2011 | - | Active | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 2.11GHz | NOT SPECIFIED | BLF8G22 | - | IEC-60134 | R-CDFP-F2 | - | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 900mA | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 18.5dB | - | - | - | - | 65V | 33W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLF8G22LS-140J | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF2425M8L140JAnlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A
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| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | SOT-502A | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2011 | - | Active | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 2.45GHz | NOT SPECIFIED | BLF2425 | - | IEC-60134 | R-CDFM-F2 | - | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 1.3A | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 19dB | - | - | - | - | 65V | 140W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLF2425M8L140J | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMRF5S9080NR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin TO-270 W T/R
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | TO-270AB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2006 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | Matte Tin (Sn) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | not_compliant | - | 960MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 600mA | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 18.5dB | - | - | - | - | - | 80W | - | - | - | 26V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF5S9080NR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMMRF1305HSR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans MOSFET N-CH 141V 4-Pin NI-780S T/R
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | NI-780S-4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 133V | Tape & Reel (TR) | 2013 | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 512MHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100mA | - | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | 26dB | - | - | - | - | - | 100W | - | - | - | 50V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MMRF1305HSR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF1105WR,115Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | SC-82A, SOT-343 | YES | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 7V | Tape & Reel (TR) | 1997 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | Tin (Sn) | - | - | - | 8541.21.00.75 | - | 30mA | - | - | - | GULL WING | 260 | unknown | - | 800MHz | 40 | BF1105 | 4 | - | R-PDSO-G4 | Not Qualified | - | - | SINGLE | - | DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | - | AMPLIFIER | - | - | - | N-Channel Dual Gate | - | - | 20dB | - | 0.03A | - | - | 7V | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 1.7dB | 5V | 0.04 pF | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF1105WR,115 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMMRF1007HSR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans MOSFET N-CH 110V 4-Pin NI-1230H T/R
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | NI-1230-4S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 110V | Tape & Reel (TR) | 2013 | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 1.03GHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150mA | - | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | 20dB | - | - | - | - | - | 1000W | - | - | - | 50V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MMRF1007HSR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипD2220UKAnlielectronics Тип | TT Electronics / Semelab |
Trans RF MOSFET 40V 4A 8-Pin SO
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | SOIC-8 | - | - | Si | - | No | EAR99 | 8541.29.00.95 | 4 A | Gull-wing | 4 | 40 | 2000 | ±20 | + 150 C | 200 | 17500 | 20(Min) | No | 1 | -65 | Surface Mount | SMD/SMT | - | 2 | - | 5 | 2.18 | 5.08 | 4.06 | 8 | DMOS | SOP | SO | N-Channel | 40(Min) | 24(Max)@0V | 10(Min) | - | 40 V | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Si | - | - | - | - | - | - | - | - | 8 | - | - | - | 1 GHz | - | Dual Quad Source | - | - | - | - | 5 W | - | - | - | - | - | - | - | - | 10 dB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| D2220UK | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMMRF1006HSR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans MOSFET N-CH 110V 4-Pin NI-1230S T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | NI-1230S-4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 120V | Tape & Reel (TR) | 2013 | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 450MHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150mA | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 20dB | - | - | - | - | - | 1000W | - | - | - | 50V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MMRF1006HSR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипSTAC4933Anlielectronics Тип | STMicroelectronics |
MOSF RF N CH 200V 40A STAC177B
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 32 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | Screw | STAC177B | - | 5 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | Active | 1 (Unlimited) | - | EAR99 | - | 200°C | -65°C | - | - | - | - | 795W | - | - | - | - | - | 40A | 30MHz | - | STAC493 | - | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | - | - | 250mA | - | - | 200V | - | N-Channel | 40A | 20V | 24dB | - | - | 200V | - | - | 300W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 50V | - | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| STAC4933 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPXFC211507SCV1R250XTMA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 26 Weeks | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | 2016 | - | Active | 1 (Unlimited) | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | Halogen Free | - | - | - | - | - | 20.4 dB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| PXFC211507SCV1R250XTMA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPD84008S-EAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | - | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tube | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 2 | EAR99 | - | 165°C | -65°C | HIGH RELIABILITY | - | - | - | 79W | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | - | 7A | 870MHz | NOT SPECIFIED | PD84008 | 10 | - | R-PDSO-F2 | Not Qualified | - | - | - | Single | ENHANCEMENT MODE | 79W | SOURCE | - | 250mA | AMPLIFIER | - | 25V | - | N-Channel | 7A | 15V | 16.2dB | 8W | 7A | 25V | - | - | 2W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 7.5V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PD84008S-E |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ