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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Weight | Transistor Element Material | Mfr | Number of Elements | Operating Temperature (Max.) | Package | Product Status | Usage Level | Voltage Rated | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Current Rating (Amps) | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | Reference Standard | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Supply Voltage | Configuration | Element Configuration | Operating Mode | Power Dissipation | Case Connection | Current - Test | Transistor Application | Halogen Free | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Continuous Drain Current (ID) | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | Drain Current-Max (Abs) (ID) | DS Breakdown Voltage-Min | Power - Output | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Noise Figure | Voltage - Test | Feedback Cap-Max (Crss) | Highest Frequency Band | Radiation Hardening | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипMRF6S24140HR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-880 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NI-880 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 68V | Tape & Reel (TR) | 2012 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.39GHz | - | MRF6S24140 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.3A | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 15.2dB | - | - | 28W | - | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6S24140HR5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. Тип2N3819Anlielectronics Тип | Central Semiconductor Corp |
RF JFET Transistors N-CH -25V 10mA BULK
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 6 Weeks | - | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | NO | - | 453.59237mg | SILICON | - | 1 | 150°C | - | - | - | - | Bulk | 2001 | - | e0 | no | Active | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | 8541.21.00.95 | - | 360mW | BOTTOM | THROUGH-HOLE | NOT SPECIFIED | not_compliant | - | - | NOT SPECIFIED | - | 3 | - | O-PBCY-T3 | Not Qualified | - | - | Single | DEPLETION MODE | 360mW | - | - | AMPLIFIER | - | 25V | - | N-Channel JFET | 20mA | 25V | - | 0.02A | - | - | JUNCTION | - | - | - | 4 pF | - | - | Non-RoHS Compliant | - | ||
| 2N3819 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTFA212401E V4Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 2-Flatpack, Fin Leads | YES | - | - | SILICON | - | 1 | 200°C | - | - | - | 65V | Tray | 2009 | - | e4 | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 2 | EAR99 | GOLD | - | - | HGH RELIABILITY | - | 10μA | - | DUAL | - | - | - | - | 2.14GHz | - | PTFA212401 | 2 | - | R-XDFM-F2 | Not Qualified | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 1.6A | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 15.8dB | - | 65V | 50W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 761W | - | 30V | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| PTFA212401E V4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRFG35002N6T1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | PLD-1.5 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8V | Tape & Reel (TR) | 2008 | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | Matte Tin (Sn) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | not_compliant | - | 3.55GHz | - | MRFG35002 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65mA | - | - | - | - | pHEMT FET | - | - | 10dB | - | - | 1.5W | - | - | - | 6V | - | - | - | Non-RoHS Compliant | - | ||
| MRFG35002N6T1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6S19140HSR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-880S T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | NI-880S | YES | - | - | SILICON | - | 1 | 225°C | - | - | Military grade | 68V | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 2 | EAR99 | - | - | - | - | 8542.31.00.01 | - | - | DUAL | FLAT | 260 | - | - | 1.93GHz~1.99GHz | 40 | MRF6S19140 | - | - | R-CDFP-F2 | Not Qualified | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 1.15A | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 16dB | - | 68V | 29W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 530W | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6S19140HSR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTAC260302FCV1XWSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 65V 5-Pin H-37248H-4 Tray
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Surface Mount | - | - | 5 | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | 2016 | - | - | yes | Discontinued | 3 (168 Hours) | 4 | - | - | 200°C | -65°C | - | - | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | R-CDFP-F4 | - | 28V | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | AMPLIFIER | Halogen Free | - | N-CHANNEL | - | - | 10V | 19.5 dB | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | S B | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| PTAC260302FCV1XWSA1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипAFT18S260W31GSR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors BL RF
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | NI-780GS-2L2LA | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | - | Not For New Designs | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | 260 | - | - | 1.88GHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.8A | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 19.6dB | - | - | 50W | - | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFT18S260W31GSR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF7G24LS-140,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | SOT-502B | YES | - | - | SILICON | - | 1 | - | - | - | - | 65V | Tray | 2010 | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | - | - | - | - | 28A | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 2.3GHz~2.4GHz | NOT SPECIFIED | BLF7G24 | - | IEC-60134 | R-CDFP-F2 | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 1.3A | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 18.5dB | 28A | 65V | 30W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLF7G24LS-140,112 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипUPA571T-T1-AAnlielectronics Тип | Renesas Electronics America Inc |
SMALL SIGNAL FET
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | Renesas Electronics America Inc | - | - | Bulk | Active | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| UPA571T-T1-A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF151AAnlielectronics Тип | M/A-Com Technology Solutions |
FET RF N-CH 50V 150W P-244
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 14 Weeks | Screw | P-244 | - | 4 | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | Tray | 2009 | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | 200°C | -65°C | HIGH RELIABILITY | - | - | 416W | RADIAL | FLAT | - | - | 16A | 30MHz~175MHz | - | - | 4 | - | - | - | - | - | Single | ENHANCEMENT MODE | - | - | 250mA | AMPLIFIER | - | 125V | - | N-Channel | 16A | 40V | 13dB ~ 22dB | - | - | 150W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 50V | - | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF151A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLM9D2527-20ABZAnlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS SOT1462-1
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | 20-QFN Exposed Pad | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 28V | Tape & Reel (TR) | - | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.5GHz~2.7GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | LDMOS | - | - | - | - | - | 20W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BLM9D2527-20ABZ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипAFT09H310-03SR6Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230S-4S
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | NI-1230S | - | - | - | - | - | - | 225°C | - | - | - | 70V | Tape & Reel (TR) | 2013 | - | - | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.40 | - | - | - | - | 260 | - | - | 920MHz | 40 | - | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | - | 680mA | - | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 17.9dB | - | - | 56W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFT09H310-03SR6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLC2425M9LS250ZAnlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT12701
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | SOT-1270-1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tray | 2010 | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.45GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 20mA | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 18.5dB | - | - | 250W | - | - | - | 32V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLC2425M9LS250Z | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипCG2H30070FAnlielectronics Тип | Cree/Wolfspeed |
RF MOSFET HEMT 28V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2017 | GaN | - | - | Active | Not Applicable | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | HEMT | - | - | - | - | - | 75W | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | ||
| CG2H30070F | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTFC270051MV2R1KXUMA1Anlielectronics Тип | Infineon |
Trans MOSFET N-CH 65V 10-Pin SON T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | Surface Mount | - | - | 10 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2009 | - | e4 | - | Active | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 225°C | -65°C | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | Halogen Free | - | - | - | - | 10V | 19.5 dB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| PTFC270051MV2R1KXUMA1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF8P20140WGHSR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | NI-780S-4 | YES | - | - | - | - | - | 125°C | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | 260 | - | - | 1.88GHz~1.91GHz | 40 | MRF8P20140 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 500mA | - | - | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual) | - | - | 16dB | - | - | 24W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 140W | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF8P20140WGHSR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMMRF1006HR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans MOSFET N-CH 110V 4-Pin NI-1230H T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | SOT-979A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 120V | Tape & Reel (TR) | 2005 | - | - | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | 260 | - | - | 450MHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150mA | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 20dB | - | - | 1000W | - | - | - | 50V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MMRF1006HR5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLC10G18XS-550AVTZAnlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
BLC10G18XS-550AVT/SOT1258/TRAY
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | SOT-1258-4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tray | - | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | 2.8μA | - | - | - | - | - | - | 1.805GHz~1.88GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 800mA | - | - | - | - | LDMOS (Dual), Common Source | - | - | 16dB | - | - | 550W | - | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLC10G18XS-550AVTZ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF1217WR,115Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH DUAL SOT343R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | SC-82A, SOT-343 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 6V | Tape & Reel (TR) | 2013 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | 30mA | - | - | - | - | unknown | - | 400MHz | - | BF1217 | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 18mA | - | - | - | - | N-Channel Dual Gate | - | - | 30dB | - | - | - | - | - | 1dB | 5V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF1217WR,115 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBG3430RE6327HTSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | YES | - | - | SILICON | - | 2 | - | - | - | - | 8V | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | - | - | - | - | LOW NOISE | - | - | - | - | GULL WING | - | - | 25mA | 800MHz | - | - | - | AEC-Q101 | R-PDSO-G6 | - | - | COMPLEX | - | DUAL GATE, DEPLETION MODE | - | - | 14mA | AMPLIFIER | - | - | - | 2 N-Channel (Dual) | - | - | 25dB | 0.025A | 12V | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 1.3dB | 5V | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| BG3430RE6327HTSA1 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ