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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Material | Weight | Number of Terminals | Transistor Element Material | Channel Mode | Drain Current-Max (ID) | ECCN (US) | HTS | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Package Code | Manufacturer Part Number | Maximum Continuous Drain Current (A) | Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | Maximum Drain Source Voltage (V) | Maximum Frequency (MHz) | Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | Maximum Gate Source Voltage (V) | Maximum Gate Threshold Voltage (V) | Maximum IDSS (uA) | Maximum Operating Temperature (°C) | Maximum Power Dissipation (mW) | Maximum VSWR | Mfr | Military | Minimum Frequency (MHz) | Minimum Operating Temperature (°C) | Mounting | Number of Elements | Number of Elements per Chip | Operating Temperature (Max.) | Output Power (W) | Package | Package Body Material | Package Description | Package Height | Package Length | Package Shape | Package Style | Package Width | Part Life Cycle Code | Part Package Code | PCB changed | Process Technology | Product Status | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | RoHS | Standard Package Name | Supplier Package | Typical Drain Efficiency (%) | Typical Forward Transconductance (S) | Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | Typical Power Gain (dB) | Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | Usage Level | Voltage Rated | Voltage, Rating | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Subcategory | Voltage - Rated DC | Current Rating (Amps) | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | Reference Standard | JESD-30 Code | Qualification Status | Brand Name | Configuration | Element Configuration | Operating Mode | Power Dissipation | Case Connection | Output Power | Current - Test | Transistor Application | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Continuous Drain Current (ID) | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | Max Frequency | Max Output Power | Drain Current-Max (Abs) (ID) | Drain-source On Resistance-Max | Drain to Source Breakdown Voltage | Input Capacitance | DS Breakdown Voltage-Min | Channel Type | Power - Output | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Drain to Source Resistance | Noise Figure | Voltage - Test | Highest Frequency Band | Mode of Operation | Test Voltage | Min Breakdown Voltage | Power Dissipation Ambient-Max | Power Gain-Min (Gp) | Height | Length | Width | Radiation Hardening | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипD1201UKAnlielectronics Тип | TT Electronics / Semelab |
Trans RF MOSFET N-CH 40V 10A 3-Pin Case DP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | Si | - | - | - | Enhancement | - | EAR99 | 8541.29.00.95 | - | - | - | - | 10 | - | 40 | 500 | 1000 | 20 | 7 | 1000 | 200 | 50000 | 20(Min) | - | No | 1 | -65 | Screw | - | 1 | - | 10 | - | - | - | 5.08 | 18.92 | - | - | 6.35 | - | - | 3 | DMOS | - | - | - | - | Module | Case DP | 50(Min) | 0.8(Min) | 60(Max)@20V | 40(Max)@12.5V | 10(Min) | 4(Max)@12.5V | - | - | - | - | - | - | - | - | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3 | - | - | - | - | Single | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| D1201UK | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF5S19150HR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Transistors RF MOSFET Power HV5 32W N/CDMA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NI-880 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | - | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.99GHz | - | MRF5S19150 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.4A | - | - | - | LDMOS | - | - | 14dB | - | - | - | - | - | - | - | - | 32W | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF5S19150HR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF175LUAnlielectronics Тип | M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 65V 400MHZ 333-04
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 14 Weeks | Screw | 333-04 | - | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tray | 2009 | - | - | yes | Active | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | 200°C | -65°C | - | - | - | - | - | 270W | DUAL | FLAT | - | - | 13A | 400MHz | - | - | 4 | - | - | - | - | - | Single | ENHANCEMENT MODE | - | - | - | 100mA | AMPLIFIER | 65V | - | N-Channel | 13A | 40V | 10dB | - | - | - | - | - | - | - | - | 100W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MRF175LU | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипA2G22S251-01SR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 16 Weeks | - | NI-400S-2S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 125V | - | Tape & Reel (TR) | 2016 | - | - | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 1.805GHz~2.2GHz | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 200mA | - | - | - | LDMOS | - | - | 17.7dB | - | - | - | - | - | - | - | - | 52dBm | - | - | - | - | 48V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| A2G22S251-01SR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипVMMK-1218-TR1GAnlielectronics Тип | Broadcom Limited |
Trans JFET 5V 100mA GaAs pHEMT 3-Pin SMD T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 0402 (1005 Metric) | YES | - | - | - | - | - | GALLIUM ARSENIDE | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 5V | - | Tape & Reel (TR) | - | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | - | - | - | 8542.33.00.01 | - | - | 100mA | - | BOTTOM | NO LEAD | 260 | compliant | - | 10GHz | 40 | - | - | - | R-XBCC-N3 | Not Qualified | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 20mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | E-pHEMT | - | - | 9dB | - | - | 0.1A | - | - | - | 5V | - | 12dBm | HIGH ELECTRON MOBILITY | - | - | 0.81dB | 3V | - | - | - | - | 0.3W | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| VMMK-1218-TR1G | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипA2T21H410-24SR6Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors BL RF
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | NI-1230-4LS2L | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | - | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 2.17GHz | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 600mA | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | 15.6dB | - | - | - | - | - | - | - | - | 72W | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| A2T21H410-24SR6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF6G15L-250PBRN,1Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1110A
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | SOT-1110A | YES | - | - | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | - | Tube | 2010 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | 64A | - | QUAD | UNSPECIFIED | NOT SPECIFIED | unknown | - | 1.47GHz~1.51GHz | NOT SPECIFIED | BLF6G15 | - | IEC-60134 | R-CQFM-X8 | - | - | COMMON SOURCE, 3 ELEMENTS | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 1.41A | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 18.5dB | - | - | 64A | - | - | - | 65V | - | 60W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-RoHS Compliant | - | ||
| BLF6G15L-250PBRN,1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2SK853A(1)-T1-AAnlielectronics Тип | Renesas Electronics America Inc |
SMALL SIGNAL FET
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Renesas Electronics America Inc | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2SK853A(1)-T1-A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMMRF1004GNR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.17GHZ TO270G-2
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | TO-270BA | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 68V | - | Tape & Reel (TR) | 2013 | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | Matte Tin (Sn) | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 2.17GHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 130mA | - | - | - | LDMOS | - | - | 15.5dB | - | - | - | - | - | - | - | - | 10W | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MMRF1004GNR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBSS83,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH 10V 50MA SOT-143B
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | TO-253-4, TO-253AA | YES | - | - | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | 125°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 10V | - | Tape & Reel (TR) | 1997 | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | Tin (Sn) | - | - | - | 8541.21.00.95 | - | - | 50mA | - | DUAL | GULL WING | 260 | - | - | - | 40 | - | 4 | - | R-PDSO-G4 | Not Qualified | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SUBSTRATE | - | - | SWITCHING | - | - | N-Channel | - | - | - | - | - | 0.05A | 120Ohm | - | - | 10V | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 0.23W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BSS83,215 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2SK3718-T1-AAnlielectronics Тип | Renesas Electronics America Inc |
N-CHANNEL J-FET
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Renesas Electronics America Inc | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2SK3718-T1-A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2SK3749(91)-T1-AAnlielectronics Тип | Renesas Electronics America Inc |
SMALL SIGNAL FET
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Renesas Electronics America Inc | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2SK3749(91)-T1-A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF645,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | SOT-540A | YES | - | - | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Military grade | 65V | - | Tray | 2008 | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | 32A | - | - | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 1.3GHz | NOT SPECIFIED | - | - | IEC-60134 | R-CDFM-F4 | - | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | - | 900mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual), Common Source | - | - | 16.5dB | - | - | 32A | - | - | - | 65V | - | 100W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 32V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLF645,112 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF248,112Anlielectronics Тип | NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 65V 25A 5-Pin CDFM Bulk
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Screw | - | YES | 5 | - | - | - | 4 | SILICON | Enhancement | 25 A | EAR99 | - | NXP SEMICONDUCTORS | NXP Semiconductors | SOT262A1 | BLF248,112 | 25 | 150@10V | 65 | 225 | - | ±20 | - | - | 150 | 500000 | 50 | - | No | 10 | -65 | Screw | 2 | 2 | - | 300 | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4 | 5.77(Max) | 34.17(Max) | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | 10.29(Max) | Obsolete | DFM | 5 | - | - | NOT SPECIFIED | 5.75 | Compliant | - | CDFM | 67 | - | 500@28V | 360@28V | 13 | 46@28V | - | - | 65 V | Bulk | - | - | - | - | Obsolete | - | - | EAR99 | - | 150 °C | -65 °C | HIGH RELIABILITY | 8541.29.00.75 | FET General Purpose Power | - | - | 500 W | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | 25 A | 225 MHz | - | - | 5 | - | R-CDFM-F4 | Not Qualified | NXP Semiconductor | Dual Common Source | Dual | ENHANCEMENT MODE | 500 W | SOURCE | 300 W | - | AMPLIFIER | 65 V | N-CHANNEL | - | 25 A | 20 V | 10 dB | 225 MHz | 300 W | 25 A | 0.15 Ω | 65 V | 500 pF | 65 V | N | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 500 W | 150 mΩ | - | - | VERY HIGH FREQUENCY BAND | Class AB | 28 V | 65 V | 500 W | 10 dB | 5.77 mm | 34.17 mm | 10.29 mm | - | Supplier Unconfirmed | Lead Free | ||
| BLF248,112 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. Тип2N5950Anlielectronics Тип | ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 15MA TO92
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | 3 | - | - | 200mg | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | 150°C | -55°C | - | - | - | 6V | - | 350mW | - | - | - | - | 15mA | - | - | 2N5950 | - | - | - | - | - | - | Single | - | 350mW | - | - | - | - | 15V | - | N-Channel JFET | 15mA | 30V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 5.33mm | 5.2mm | 4.19mm | - | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| 2N5950 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTFA082201EV4R250XTMA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
FET RF 65V 894MHZ H-36260-2
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Screw | 2-Flatpack, Fin Leads | - | 3 | H-36260-2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | - | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | 200°C | -40°C | - | - | - | - | 10μA | 700W | - | - | - | - | 10μA | 894MHz | - | PTFA082201 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.95A | - | - | - | LDMOS | - | - | 18dB | 894MHz | - | - | - | - | - | - | - | 220W | - | - | - | - | 30V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| PTFA082201EV4R250XTMA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипPTFA092211ELV4R250XTMA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
FET RF LDMOS 220W H33288-3
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 2-Flatpack, Fin Leads | YES | - | - | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | 200°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | - | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | - | - | - | - | HGH RELIABILITY | - | - | - | - | - | DUAL | - | - | unknown | - | 940MHz | - | - | - | - | R-XDFM-F2 | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 1.75A | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 18dB | - | - | - | - | - | - | 65V | - | 220W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 30V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| PTFA092211ELV4R250XTMA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTFA091201FV4R250XTMA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | - | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | 10μA | 960MHz | NOT SPECIFIED | PTFA091201 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 750mA | - | - | - | LDMOS | - | - | 19dB | - | - | - | - | - | - | - | - | 110W | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| PTFA091201FV4R250XTMA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF8G22LS-270V,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244B
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| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | SOT-1244B | YES | - | - | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | - | Tray | 2011 | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 2.11GHz~2.17GHz | NOT SPECIFIED | BLF8G22 | - | IEC-60134 | R-CDFP-F6 | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 2.4A | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 17.3dB | - | - | - | - | - | - | 65V | - | 80W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLF8G22LS-270V,112 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6S21100HSR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 68V 2.17GHZ NI-780S
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NI-780S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 68V | - | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.11GHz~2.17GHz | - | MRF6S21100 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 950mA | - | - | - | LDMOS | - | - | 15.9dB | - | - | - | - | - | - | - | - | 23W | - | - | - | - | 28V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6S21100HSR3 |
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