- Все продукты
- /
- Discrete Semiconductor Products
- /
- Transistors - FETs, MOSFETs - RF
| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Material | Transistor Element Material | Channel Mode | ECCN (US) | HTS | Lead Shape | Maximum Continuous Drain Current (A) | Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | Maximum Drain Source Voltage (V) | Maximum Frequency (MHz) | Maximum Gate Source Voltage (V) | Maximum Operating Temperature (°C) | Maximum Power Dissipation (mW) | Maximum VSWR | Military | Minimum Frequency (MHz) | Minimum Operating Temperature (°C) | Mounting | Number of Elements | Number of Elements per Chip | Operating Temperature (Max.) | Output Power (W) | Package Height | Package Length | Package Width | PCB changed | Process Technology | Standard Package Name | Supplier Package | Tab | Typical Drain Efficiency (%) | Typical Forward Transconductance (S) | Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | Typical Power Gain (dB) | Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | Usage Level | Voltage Rated | Packaging | Published | JESD-609 Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | HTS Code | Current Rating (Amps) | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | Reference Standard | JESD-30 Code | Configuration | Operating Mode | Case Connection | Current - Test | Transistor Application | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Continuous Drain Current (ID) | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | RF/Microwave Device Type | DS Breakdown Voltage-Min | Channel Type | Power - Output | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Noise Figure | Voltage - Test | Mode of Operation | Min Breakdown Voltage | Radiation Hardening | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипD2081UK.FTRAnlielectronics Тип | TT Electronics / Semelab |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | Si | - | Enhancement | EAR99 | 8541.29.00.95 | Gull-wing | 0.2 | - | 65 | 2500 | ±20 | 200 | 2000 | 10(Min) | No | 0 | -65 | Surface Mount | - | 1 | - | 0.75 | 1.6(Max) | 6.7(Max) | 3.7(Max) | 3 | DMOS | SOT-223 | SOT-223 | Tab | 40(Min) | 0.18(Min) | 12(Max)@0V | 6(Max)@28V | 11(Min) | 0.5(Max)@28V | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4 | - | - | Single Dual Drain | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| D2081UK.FTR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMMRF1009HSR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans MOSFET N-CH 110V 2-Pin NI-780S T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | NI-780S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Military grade | 110V | Tape & Reel (TR) | 2014 | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | 260 | - | - | 1.03GHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | 200mA | - | - | - | LDMOS | - | - | 19.7dB | - | - | - | 500W | - | - | - | 50V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MMRF1009HSR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипA2T26H300-24SR6Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors BL RF
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | NI-1230-4LS2L | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 2.5GHz | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | 800mA | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | 14.5dB | - | - | - | 60W | - | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| A2T26H300-24SR6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипAFIC31025NR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | TO-270-17 Variant, Flat Leads | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 32V | Tape & Reel (TR) | 2017 | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.7GHz~3.1GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 30dB | NARROW BAND HIGH POWER | - | - | 25W | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFIC31025NR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6V12500GSR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | NI-780GS-2L | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 110V | Tape & Reel (TR) | 2015 | - | Active | Not Applicable | 2 | EAR99 | - | - | - | - | 200μA | - | DUAL | GULL WING | NOT SPECIFIED | - | - | 960MHz~1.215GHz | NOT SPECIFIED | - | - | - | R-PDSO-G2 | SINGLE | ENHANCEMENT MODE | SOURCE | 200mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 19.7dB | - | 110V | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 50V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6V12500GSR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF8S26060HR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors HV8 2.6GHZ 13.5W NI400
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NI-400-240 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2010 | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | 5A991 | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | - | 2.69GHz | - | MRF8S26060 | - | - | - | - | - | - | 450mA | - | - | - | LDMOS | - | - | 16.3dB | - | - | - | 15.5W | - | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF8S26060HR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLC8G27LS-140AVYAnlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | SOT1275-1 | - | - | DFM6 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2011 | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.5GHz~2.69GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | 320mA | - | - | - | LDMOS (Dual), Common Source | - | - | 14.5dB | - | - | - | 28W | - | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLC8G27LS-140AVY | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипNE3515S02-T1C-AAnlielectronics Тип | CEL |
RF JFET Transistors Super Low Noise Pseudomorphic
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Surface Mount | 4-SMD, Flat Leads | - | 4 | S02 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4V | Tape & Reel (TR) | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | 125°C | -65°C | - | 88mA | 165mW | - | - | - | - | 88mA | 12GHz | - | NE3515 | - | - | - | - | - | - | 10mA | - | 4V | - | HFET | 88mA | -3V | 12.5dB | - | - | - | 14dBm | - | - | 0.3dB | 2V | - | 3V | No | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| NE3515S02-T1C-A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF6G38-10,112Anlielectronics Тип | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3.1A 3-Pin CDFM Bulk
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | Enhancement | EAR99 | - | - | 3.1 | [email protected] | 65 | 3600 | 13 | 200 | - | 10 | No | 3400 | -65 | Surface Mount | - | 1 | - | 2(Typ) | 3.63(Max) | 6.93(Max) | 6.93(Max) | 3 | LDMOS | - | CDFM | - | 20 | 0.8(Min) | - | - | 14 | 3.6@28V | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3 | - | - | Single | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N | - | - | - | - | - | 1-Carrier N-CDMA | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| BLF6G38-10,112 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипAFV10700GSR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
1030MHZ 750W NI780GS-4L
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | NI-780GS-4L | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Military grade | 105V | Tape & Reel (TR) | - | - | Active | Not Applicable | 4 | EAR99 | - | - | - | - | 10μA | - | - | GULL WING | 260 | - | - | 1.03GHz~1.09GHz | 40 | - | - | - | R-CDSO-G4 | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | ENHANCEMENT MODE | SOURCE | 100mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual) | - | - | 19.2dB | - | 105V | - | 700W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 50V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFV10700GSR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRFE6VP100HSR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | NI-780S-4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | 133V | Tape & Reel (TR) | 2011 | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | 260 | - | - | 512MHz | 40 | MRFE6VP100 | - | - | - | - | - | - | 100mA | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 26dB | - | - | - | 100W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 50V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRFE6VP100HSR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTFA082201FV4R250XTMA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 65V 3-Pin 37260 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | - | 3 | H-37260-2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | 10μA | - | - | - | - | - | 10μA | 894MHz | - | PTFA082201 | - | - | - | - | - | - | 1.95A | - | - | - | LDMOS | - | - | 18dB | - | - | - | 220W | - | - | - | 30V | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| PTFA082201FV4R250XTMA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF21045LR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ NI-400
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NI-400 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2010 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 2.17GHz | NOT SPECIFIED | MRF21045 | - | - | - | - | - | - | 500mA | - | - | - | LDMOS | - | - | 15dB | - | - | - | 10W | - | - | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF21045LR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипAFT21S232SR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780S T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | NI-780S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | 65V | Tape & Reel (TR) | 2013 | - | Not For New Designs | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | 8541.29.00.40 | - | - | - | - | 260 | - | - | 2.11GHz | 40 | - | - | - | - | Single | - | - | 1.5A | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 16.7dB | - | - | - | 50W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 161W | - | 28V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFT21S232SR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипCLF1G0035-100PUAnlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | SOT-1228A | YES | - | - | - | GALLIUM NITRIDE | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150V | Tray | 2011 | - | Active | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | DUAL | FLAT | - | unknown | - | 3GHz | - | CLF1G0035 | - | IEC-60134 | R-CDFM-F4 | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | DEPLETION MODE | SOURCE | 100mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | HEMT | - | - | 14dB | - | 150V | - | 100W | HIGH ELECTRON MOBILITY | - | - | 50V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| CLF1G0035-100PU | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLS6G2731-6G,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 60V 15DB SOT975C
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | SOT-975C | - | - | CDFM2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 60V | Tray | 2009 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | 3.5A | - | - | - | - | - | - | 2.7GHz~3.1GHz | - | BLS6G2731 | - | - | - | - | - | - | 25mA | - | - | - | LDMOS | - | - | 15dB | - | - | - | 6W | - | - | - | 32V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLS6G2731-6G,112 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMRFE6VP6300GSR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
RF MOSFET Transistors MOSFET 1.8-600 MHz 300 W 50 V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | NI-780GS-4L | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 50V | Tape & Reel (TR) | 2013 | - | Active | Not Applicable | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 600MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 25dB | - | - | - | 300W | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRFE6VP6300GSR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6VP121KHR6Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NI-1230 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 110V | Tape & Reel (TR) | 2010 | - | Discontinued | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | - | 1.03GHz | - | MRF6VP121 | - | - | - | - | - | - | 150mA | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | 20dB | - | - | - | 1000W | - | - | - | 50V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6VP121KHR6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF574XR,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | SOT-1214A | - | - | SOT1214A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 110V | Tray | 2010 | - | Active | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 225MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | 100mA | - | - | - | LDMOS (Dual), Common Source | - | - | 23.5dB | - | - | - | 600W | - | - | - | 50V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLF574XR,112 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6S18060NBR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Transistors RF MOSFET Power 1880MHZ 60W
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | TO-272BB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 68V | Tape & Reel (TR) | 2005 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | Matte Tin (Sn) | - | - | - | - | - | - | - | - | not_compliant | - | 1.99GHz | - | MRF6S18060 | - | - | - | - | - | - | 600mA | - | - | - | LDMOS | - | - | 15dB | - | - | - | 60W | - | - | - | 26V | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6S18060NBR1 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ