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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Lifecycle Status | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Transistor Element Material | Number of Elements | Operating Temperature (Max.) | Usage Level | Voltage Rated | Packaging | Published | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Current Rating (Amps) | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | Reference Standard | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Supply Voltage | Configuration | Operating Mode | Power Dissipation | Case Connection | Current - Test | Transistor Application | Halogen Free | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Continuous Drain Current (ID) | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | Max Output Power | Drain to Source Breakdown Voltage | DS Breakdown Voltage-Min | Power - Output | FET Technology | Noise Figure | Voltage - Test | Radiation Hardening | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипA2T18S260W12NR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | OM-880X-2L2L | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | Not For New Designs | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | - | - | - | - | 10μA | - | - | - | 260 | - | - | 1.805GHz~1.88GHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.5A | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 18.7dB | - | - | - | 280W | - | - | 28V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| A2T18S260W12NR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLC8G21LS-160AVYAnlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 15DB SOT12751
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | SOT1275-1 | - | - | DFM6 | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2014 | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.88GHz~2.03GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 200mA | - | - | - | - | LDMOS (Dual), Common Source | - | - | 15dB | - | - | - | 22.5W | - | - | 28V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLC8G21LS-160AVY | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMMRF1312GSR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | NI-1230-4S GW | - | - | - | - | - | - | - | 112V | Tape & Reel (TR) | 2012 | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 1.03GHz | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100mA | - | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | 19.6dB | - | - | - | 1000W | - | - | 50V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MMRF1312GSR5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBG3123RH6327XTSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A 6-Pin SOT-363 T/R
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | - | 6 | - | - | 2 | - | - | 8V | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | 150°C | -55°C | LOW NOISE | - | 25mA 20mA | 200mW | - | GULL WING | - | - | 20mA | 800MHz | - | BG3123 | - | - | - | - | - | - | DUAL GATE, DEPLETION MODE | - | - | 14mA | AMPLIFIER | - | - | - | 2 N-Channel (Dual) | 25mA | - | 25dB | - | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 1.8dB | 5V | - | RoHS Compliant | - | ||
| BG3123RH6327XTSA1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипA2G26H281-04SR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
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| Min.:1 Mult.:1 | 16 Weeks | - | - | NI-780S-4L | - | - | - | - | - | - | - | 125V | Tape & Reel (TR) | 2011 | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 2.496GHz~2.69GHz | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150mA | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 14.2dB | - | - | - | 50W | - | - | 48V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| A2G26H281-04SR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. Тип2N5951Anlielectronics Тип | ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V 13MA TO92
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | - | - | - | - | - | - | 30V | Bulk | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | 13mA | - | - | - | - | compliant | - | 1kHz | - | 2N5951 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N-Channel JFET | - | - | - | - | - | - | - | - | 2dB | 15V | - | - | - | ||
| 2N5951 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRFE6S9205HSR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 66V 3-Pin NI-880S T/R
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NI-880S | YES | - | - | SILICON | 1 | 225°C | Military grade | 66V | Tape & Reel (TR) | 2007 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | DUAL | FLAT | 260 | - | - | 880MHz | 40 | MRFE6S9205 | - | - | R-CDFP-F2 | Not Qualified | - | SINGLE | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 1.4A | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 21.2dB | - | - | 66V | 58W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 28V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRFE6S9205HSR3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипAFV121KHSR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 960-1215 MH , 1000 W PEAK, 50 V
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | NI-1230-4S | - | - | - | - | - | - | - | 112V | Tape & Reel (TR) | 2012 | - | Active | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 960MHz~1.22GHz | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100mA | - | - | - | - | LDMOS (Dual) | - | - | 19.6dB | - | - | - | 1000W | - | - | 50V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFV121KHSR5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTFA092211ELV4XWSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
FET RF LDMOS 220W H33288-2
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Screw | 2-Flatpack, Fin Leads | - | 3 | - | - | 1 | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2009 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | 200°C | -40°C | HGH RELIABILITY | - | - | 700W | DUAL | - | NOT SPECIFIED | unknown | - | 940MHz | NOT SPECIFIED | - | 2 | - | R-XDFM-F2 | Not Qualified | - | SINGLE | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 1.75A | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 18dB | - | - | 65V | 220W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 30V | - | RoHS Compliant | - | ||
| PTFA092211ELV4XWSA1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипSTAC2943Anlielectronics Тип | STMicroelectronics |
MOSF RF N CH 130V 40A STAC177B
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| Min.:1 Mult.:1 | 32 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | Screw | STAC177B | - | 5 | - | - | 1 | - | - | - | Bulk | - | - | Active | 1 (Unlimited) | - | EAR99 | 150°C | -65°C | - | - | - | 795W | - | - | - | - | 40A | 30MHz | - | STAC294 | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | 250mA | - | - | 130V | - | N-Channel | 40A | 20V | 25dB | - | - | - | 350W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 50V | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| STAC2943 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипPTFA192001EV4XWSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Screw | 2-Flatpack, Fin Leads | - | 3 | - | - | 1 | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2009 | yes | Discontinued | 1 (Unlimited) | 2 | - | 200°C | -40°C | - | - | - | 625W | DUAL | - | - | unknown | 10μA | 1.99GHz | - | PTFA192001 | - | - | R-CDFM-F2 | - | 30V | SINGLE | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | 1.8A | - | Halogen Free | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 15.9dB | 200W | - | 65V | 50W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| PTFA192001EV4XWSA1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипNE4210S01-T1BAnlielectronics Тип | CEL |
RF JFET Transistors Super Lo Noise HJFET
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 4-SMD | - | 4 | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | 125°C | -65°C | - | - | 15mA | - | - | - | - | - | - | 12GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 165mW | - | 10mA | - | - | - | - | HFET | 70mA | 3V | 13dB | - | 4V | - | - | - | 0.5dB | 2V | No | RoHS Compliant | - | ||
| NE4210S01-T1B | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBF909AR,215Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
MOSFET N-CH SOT-143R
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | SOT-143R | - | - | SOT-143R | - | - | - | - | 7V | Tape & Reel (TR) | 1998 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | 40mA | - | - | - | - | - | - | 800MHz | - | BF909 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | MESFET Dual Gate | - | - | - | - | - | - | - | - | 2dB | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BF909AR,215 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLF884PS,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121B
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| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | SOT-1121B | YES | - | - | SILICON | 2 | - | - | 104V | Tray | 2010 | - | Active | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 860MHz | NOT SPECIFIED | BLF884 | - | IEC-60134 | R-CDFP-F4 | - | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | ENHANCEMENT MODE | - | - | 650mA | AMPLIFIER | - | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual), Common Source | - | - | 21dB | - | - | 104V | 150W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 50V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLF884PS,112 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2SK3072-TB-EAnlielectronics Тип | Sanyo |
- Bulk (Alt: 2SK3072-TB-E)
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2SK3072-TB-E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMRF373ALSR5Anlielectronics Тип | Freescale |
MOSFET RF N-CHAN 32V 75W NI-360S
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| MRF373ALSR5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2SK3491-EAnlielectronics Тип | Sanyo |
- Bulk (Alt: 2SK3491-E)
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2SK3491-E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMAGX-000035-01000TPAnlielectronics Тип | MACOM |
RF JFET Transistors DC-3.5GHz Gain 14dB GaN SiC
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| MAGX-000035-01000TP | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2SK3291-TD-EAnlielectronics Тип | Sanyo |
- Bulk (Alt: 2SK3291-TD-E)
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2SK3291-TD-E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. Тип2SK1848-TB-EAnlielectronics Тип | Sanyo |
-
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2SK1848-TB-E |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ