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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Lifecycle Status | Contact Plating | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Material | Transistor Element Material | AEC Qualified | Channel Mode | ECCN (US) | Id - Continuous Drain Current | Maximum Continuous Drain Current (A) | Maximum Drain Source Voltage (V) | Maximum Frequency (MHz) | Maximum Gate Source Voltage (V) | Maximum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature (°C) | Maximum Power Dissipation (mW) | Maximum VSWR | Military | Minimum Frequency (MHz) | Minimum Operating Temperature (°C) | Mounting | Mounting Styles | Number of Elements | Number of Elements per Chip | Operating Temperature (Max.) | Output Power (W) | Package Height | Package Length | Package Width | PCB changed | Process Technology | Supplier Package | Transistor Polarity | Typical Drain Efficiency (%) | Typical Forward Transconductance (S) | Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | Typical Power Gain (dB) | Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | Usage Level | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Voltage Rated | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Voltage - Rated DC | Current Rating (Amps) | Max Power Dissipation | Technology | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | Reference Standard | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Frequency | Operating Supply Voltage | Configuration | Element Configuration | Nominal Supply Current | Operating Mode | Power Dissipation | Case Connection | Output Power | Current - Test | Transistor Application | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Continuous Drain Current (ID) | Gate to Source Voltage (Vgs) | Gain | Max Output Power | Drain Current-Max (Abs) (ID) | Drain to Source Breakdown Voltage | DS Breakdown Voltage-Min | Channel Type | Power - Output | FET Technology | Noise Figure | P1dB | Voltage - Test | Radiation Hardening | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипATF-38143-BLKGAnlielectronics Тип | Broadcom Limited |
FET RF 4.5V 2GHZ SOT343
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 6 Weeks | - | Tin | Surface Mount | SC-82A, SOT-343 | - | 4 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Strip | 2008 | - | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | - | 160°C | -65°C | - | - | 4.5V | - | 580mW | - | DUAL | GULL WING | 260 | - | 145mA | 2GHz | - | - | - | - | - | - | - | 4.5V | SINGLE | - | 118mA | DEPLETION MODE | - | SOURCE | - | 10mA | AMPLIFIER | 4.5V | N-CHANNEL | pHEMT FET | 145mA | -4V | 16dB | - | - | - | - | - | - | HIGH ELECTRON MOBILITY | 0.4dB | 12 dBm | 2V | No | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| ATF-38143-BLKG | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6S23140HR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-880 T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | NI-880 | - | - | NI-880 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 68V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.39GHz | - | MRF6S23140 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.3A | - | - | - | LDMOS | - | - | 15.2dB | - | - | - | - | - | 28W | - | - | - | 28V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6S23140HR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRFX1K80GNR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
600MHZ 1.8KW OM1230G-4L
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | OM-1230G-4L | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | 2017 | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 1.8MHz~470MHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | LDMOS | - | - | 24dB | - | - | - | - | - | 1800W | - | - | - | 65V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRFX1K80GNR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипD1005UKAnlielectronics Тип | TT Electronics / Semelab |
Trans RF MOSFET N-CH 70V 20A 4-Pin Case DM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | DM | - | - | - | Si | - | No | Enhancement | EAR99 | 20 A | 20 | 70 | 175 | ±20 | + 150 C | 200 | 146000 | 20(Min) | No | 1 | -65 | Screw | SMD/SMT | - | 1 | - | 80 | 6.6 | 24.76 | 12.7 | 4 | DMOS | Case DM | N-Channel | 50(Min) | 3.2(Min) | 240(Max)@0V | 100(Max)@28V | 16(Min) | 10(Max)@28V | - | 70 V | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Si | - | - | - | - | - | - | - | - | 4 | - | - | - | 175 MHz | - | Single Dual Source | - | - | - | - | - | 80 W | - | - | - | - | - | - | - | 16 dB | - | - | - | - | N | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| D1005UK | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипA2T27S020NR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | TO-270-2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | 10μA | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 400MHz~2.7GHz | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 185mA | - | - | - | LDMOS | - | - | 21dB | - | - | - | - | - | 20W | - | - | - | 28V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| A2T27S020NR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF21010LSR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Transistors RF MOSFET Power 10W 28V 2.1 GHZ LDMOS
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | NI-360S | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | - | - | 2.17GHz | NOT SPECIFIED | MRF21010 | - | - | R-CDFP-F2 | - | - | - | SINGLE | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 100mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 13.5dB | - | - | - | 65V | - | 10W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF21010LSR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLC9G22LS-160VTZAnlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 28V SOT1271-3
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | - | SOT-1271-2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.8μA | - | - | - | - | - | - | - | 2.11GHz~2.2GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 864mA | - | - | - | LDMOS | - | - | 18.4dB | - | - | - | - | - | 35W | - | - | - | 28V | - | - | - | ||
| BLC9G22LS-160VTZ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMMRF1008HR5Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans MOSFET N-CH 110V 2-Pin NI-780H T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | SOT-957A | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | 225°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100V | Tape & Reel (TR) | 2013 | - | - | Active | Not Applicable | 2 | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | DUAL | FLAT | 260 | - | - | 1.03GHz | 40 | - | - | - | R-CDFM-F2 | - | - | - | SINGLE | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 100mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 20.3dB | - | - | - | 110V | - | 275W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 50V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MMRF1008HR5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипAFT26H200W03SR6Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | - | NI-1230-4S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 225°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | Not For New Designs | Not Applicable | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.40 | - | - | - | - | - | - | 260 | - | - | 2.5GHz | 40 | - | - | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | - | - | - | 500mA | - | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 14.1dB | - | - | - | - | - | 45W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| AFT26H200W03SR6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPD57070S-EAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 25 Weeks | OBSOLETE (Last Updated: 8 months ago) | - | Surface Mount | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tube | - | - | e3 | Active | 3 (168 Hours) | 2 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 165°C | -65°C | - | - | - | - | 95W | - | DUAL | FLAT | 250 | not_compliant | 7A | 945MHz | 30 | PD57070 | 10 | - | R-PDSO-F2 | Not Qualified | - | - | - | Single | - | ENHANCEMENT MODE | 95W | SOURCE | - | 250mA | AMPLIFIER | 65V | N-CHANNEL | LDMOS | 7A | 20V | 14.7dB | 70W | 7A | 65V | - | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PD57070S-E | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMRF7S21110HR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780 T/R
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | SOT-957A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2011 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | EAR99 | - | - | - | - | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | - | - | - | unknown | - | 2.17GHz | - | MRF7S21110 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.1A | - | - | - | LDMOS | - | - | 17.3dB | - | - | - | - | - | 33W | - | - | - | 28V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF7S21110HR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMRF5S19130HR3Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Transistors RF MOSFET Power HV5 28V 26W WCDMA NI880H
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | NI-880 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2008 | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | 1.99GHz | NOT SPECIFIED | MRF5S19130 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2A | - | - | - | LDMOS | - | - | 13dB | - | - | - | - | - | 26W | - | - | - | 28V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF5S19130HR3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLC8G27LS-180AVYAnlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12753
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | - | SOT1275-3 | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2011 | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 6 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | QUAD | UNSPECIFIED | NOT SPECIFIED | unknown | - | 2.5GHz~2.69GHz | NOT SPECIFIED | - | - | IEC-60134 | R-PQFP-X6 | - | - | - | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | - | - | 200mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS (Dual), Common Source | - | - | 14dB | - | - | - | 65V | - | 28W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLC8G27LS-180AVY | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLS6G3135S-120,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | - | SOT-502B | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 60V | Tray | 2008 | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | 7.2A | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | unknown | - | 3.1GHz~3.5GHz | NOT SPECIFIED | BLS6G3135 | - | IEC-60134 | R-CDFP-F2 | - | - | - | SINGLE | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 100mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 11dB | - | 7.2A | - | 60V | - | 120W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 32V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLS6G3135S-120,112 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRF6S9125NBR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
FET RF 68V 880MHZ TO-272-4
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | TO-272BB | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 68V | Tape & Reel (TR) | 2008 | - | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | Matte Tin (Sn) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | not_compliant | - | 880MHz | - | MRF6S9125 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 950mA | - | - | - | LDMOS | - | - | 20.2dB | - | - | - | - | - | 27W | - | - | - | 28V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRF6S9125NBR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMRFE6S9046GNR1Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
Trans RF MOSFET N-CH 66V 5-Pin TO-270 W GULL T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | TO-270BB | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | 225°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Military grade | - | 66V | Tape & Reel (TR) | 2009 | - | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 4 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | - | - | ESD PROTECTION | 8541.29.00.75 | - | - | - | - | DUAL | GULL WING | 260 | - | - | 960MHz | 40 | - | - | - | R-PDFM-G4 | Not Qualified | - | - | SINGLE | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 300mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 19dB | - | - | - | 66V | - | 35.5W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 28V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MRFE6S9046GNR1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPTF210101M V1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | - | - | PG-RFP-10 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2009 | GOLDMOS® | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | 1μA | - | - | - | - | - | - | - | 2.17GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 180mA | - | - | - | LDMOS | - | - | 15dB | - | - | - | - | - | 10W | - | - | - | 28V | - | - | - | ||
| PTF210101M V1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBG 5130R E6327Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | - | - | PG-SOT363-6 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8V | Tape & Reel (TR) | 2006 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | 25mA | - | - | - | - | - | - | - | 800MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 10mA | - | - | - | 2 N-Channel (Dual) | - | - | 24dB | - | - | - | - | - | - | - | 1.3dB | - | 3V | - | - | - | ||
| BG 5130R E6327 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипPTF080101M V1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 65V | Tape & Reel (TR) | 2009 | GOLDMOS® | - | Discontinued | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | 1μA | - | - | - | - | - | - | - | 960MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 180mA | - | - | - | LDMOS | - | - | 16dB | - | - | - | - | - | 10W | - | - | - | 28V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| PTF080101M V1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипBLS6G3135S-20,112Anlielectronics Тип | Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608B
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | - | - | SOT-608B | YES | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 60V | Tray | 2009 | - | - | Not For New Designs | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | 2.1A | - | - | DUAL | FLAT | NOT SPECIFIED | - | - | 3.1GHz~3.5GHz | NOT SPECIFIED | BLS6G3135 | - | IEC-60134 | S-CDFP-F2 | - | - | - | SINGLE | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SOURCE | - | 50mA | AMPLIFIER | - | N-CHANNEL | LDMOS | - | - | 15.5dB | - | 2.1A | - | 60V | - | 20W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | 32V | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| BLS6G3135S-20,112 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ