[email protected]

Локаль

Язык

  • English
  • русский

Валюта

  • CNY-¥
  • RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
Классификация Марка Марка О Anli Запрос цены
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
[email protected]
Изображение Тип Марка Объяснение Установленная цена Количество RoHS Package / Case Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity Id - Continuous Drain Current Maximum Drain Gate Voltage Maximum Operating Temperature Minimum Operating Temperature Moisture Sensitive Mounting Styles Pd - Power Dissipation RoHS Shipping Restrictions Transistor Polarity Vds - Drain-Source Breakdown Voltage Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage Packaging Operating Frequency Output Power Transistor Type Gain
Cree GTVA107001FC-V1-R0
Mfr. Тип
GTVA107001FC-V1-R0
Anlielectronics Тип

Cree
RF JFET Transistors 700W, GaN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHz, IM FET, Pill
Сборник данных Сравнение
    Min.:1
    Mult.:1
    		 - 50 - - - - - - - Details - - - - - Reel - - HEMT -
    GTVA107001FC-V1-R0
    GTVA107001FC-V1-R0

    Cree
    RoHS :
    Инкапсуляция : -
    Есть складские запасы : -
    1 : -
    Cree CGHV35400F1
    Mfr. Тип
    CGHV35400F1
    Anlielectronics Тип

    		Cree
    RF JFET Transistors 400W, GaN HEMT, 50V, 2.9-3.5GHz, IM FET, Flange
    Сборник данных Сравнение
      Min.:1
      Mult.:1
      		 440225 1 24 A - + 125 C - 40 C - Flange Mount - Details This product may require additional documentation to export from the United States. N-Channel 125 V - 10 V, 2 V 3 V - 2.9 GHz to 3.5 GHz 400 W HEMT 11 dB
      CGHV35400F1
      CGHV35400F1

      Cree
      RoHS :
      Инкапсуляция : -
      Есть складские запасы : -
      1 : -
      Cree CMPA5259080S
      Mfr. Тип
      CMPA5259080S
      Anlielectronics Тип

      		Cree
      RF JFET Transistors 80W, GaN MMIC Power Amplifier, 40V, 5.2-5.9GHz, QFN, 7x7mm
      Сборник данных Сравнение
        Min.:1
        Mult.:1
        		 QFN-48 50 4.8 A - + 225 C - Yes SMD/SMT - Details This product may require additional documentation to export from the United States. N-Channel 100 V - 10 V, 2 V - 3.1 V Cut Tape 5 GHz to 5.9 GHz 112.9 W HEMT 21.4 dB
        CMPA5259080S
        CMPA5259080S

        Cree
        RoHS :
        Инкапсуляция : -
        Есть складские запасы : -
        1 : -
        Cree CGB5P-CEN
        Mfr. Тип
        CGB5P-CEN
        Anlielectronics Тип

        		Cree
        RF JFET Transistors Gate Biasing Assembly, GaN, 5-Pins, Center Pin Gate Control
        Сборник данных Сравнение
          Min.:1
          Mult.:1
          		 - 1 - - - - - - - N - - - - - Bulk - - HEMT -
          CGB5P-CEN
          CGB5P-CEN

          Cree
          RoHS :
          Инкапсуляция : -
          Есть складские запасы : -
          1 : -
          Cree CGHV31500F1
          Mfr. Тип
          CGHV31500F1
          Anlielectronics Тип

          		Cree
          RF JFET Transistors 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz,Long-pulse, Flange
          Сборник данных Сравнение
            Min.:1
            Mult.:1
            		 440226-2 1 500 mA - 2.7 V + 75 C - 40 C - Flange Mount 418 W N This product may require additional documentation to export from the United States. N-Channel - - - Tray 2.7 GHz to 3.1 GHz 57.9 dBm HEMT -
            CGHV31500F1
            CGHV31500F1

            Cree
            RoHS :
            Инкапсуляция : -
            Есть складские запасы : -
            1 : -
            Cree CGHV38375F
            Mfr. Тип
            CGHV38375F
            Anlielectronics Тип

            		Cree
            RF JFET Transistors 400W, GaN HEMT, 50V, 2.75-3.75GHz, IM FET, Flange
            Сборник данных Сравнение
              Min.:1
              Mult.:1
              		 440226 1 24 A - + 125 C - 40 C - Flange Mount - Details This product may require additional documentation to export from the United States. N-Channel 125 V - 10 V, 2 V - - 2.75 GHz to 3.75 GHz 400 W HEMT 11 dB
              CGHV38375F
              CGHV38375F

              Cree
              RoHS :
              Инкапсуляция : -
              Есть складские запасы : -
              1 : -
              Cree CMPA2735030S
              Mfr. Тип
              CMPA2735030S
              Anlielectronics Тип

              		Cree
              RF JFET Transistors 30W, GaN MMIC Power Amplifier, 50V, 2.7-3.5GHz, QFN, 5x5mm
              Сборник данных Сравнение
                Min.:1
                Mult.:1
                		 QFN-32 50 4.6 A - + 225 C - Yes SMD/SMT 32 W Details - N-Channel 150 V - 10 V, 2 V - 3 V Cut Tape 2.7 GHz to 3.5 GHz 40.6 W HEMT 28.1 dB
                CMPA2735030S
                CMPA2735030S

                Cree
                RoHS :
                Инкапсуляция : -
                Есть складские запасы : -
                1 : -

                Discrete Semiconductor Products

                Transistors - JFETs definition: The JFET(Junction Gate Field-Effect Transistor) is one of the simplest types of field-effect transistor. JFETs are three-terminal semiconduc... Transistors - JFETs Product Listing: GTVA107001FC-V1-R0,CGHV35400F1,CMPA5259080S,CGB5P-CEN,CGHV31500F1.Discrete Semiconductor Products type:Diodes - Zener - Single(113610),Diodes - Rectifiers - Single(97769),Transistors - FETs, MOSFETs - Single(61202),Transistors - Bipolar (BJT) - Single(34518),Diodes - Rectifiers - Arrays(17034) .Transistors - JFETs has 7 pieces of spot stock price information, you can click the "RFQ" button to confirm the inventory and price with the Anli.