Diodes - Rectifiers - Single Products For Sale - PDF - Discrete Semiconductor Products

Изображение	Тип	Марка	Объяснение	Количество	Mounting Type	Package / Case	Supplier Device Package	Config.	IF(A),Tc=125℃	IF(A),Tc=160℃	IF(A),Tc=25℃	Ifsm(A),Tc=25℃	Mfr	Package	Product Status	Ptot(W),Tc=110℃	Ptot(W),Tc=25℃	Qc(nC),TJ=25℃	Rad Hardened	Vrrm(V)	Packaging	Series	Part Status	Speed	Diode Type	Current - Reverse Leakage @ Vr	Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	Operating Temperature - Junction	Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	Current - Average Rectified (Io)	Capacitance @ Vr, F	Reverse Recovery Time (trr)
	Mfr. Тип GP2D008A065C Anlielectronics Тип	Global Power	DIODE SILICON CARBIDE Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
GP2D008A065C Global Power RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип GSXD300A170S2D5 Anlielectronics Тип	Global Power	DIODE GP 1.7KV 300A ADD-A-PAK Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Chassis Mount	ADD-A-PAK (3)	ADD-A-PAK®	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Bulk	Amp+™	Active	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Standard	-	1.9V @ 300A	-40°C ~ 150°C	1700V	300A (DC)	--	540ns
GSXD300A170S2D5 Global Power RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип G3S17010A Anlielectronics Тип	Global Power	1700V/10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Through Hole	TO-220-2	TO-220AC	-	-	-	-	-	Global Power Technology-GPT	Cut Tape (CT);Tape & Box (TB);	Active	-	-	-	No	-	-	-	-	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	100 µA @ 1700 V	1.7 V @ 10 A	-55°C ~ 175°C	1700 V	24A	1500pF @ 0V, 1MHz	0 ns
G3S17010A Global Power RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип G51XT Anlielectronics Тип	Global Power	DIODE SIC 650V 1.84A SOD123FL Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	SOD-123F	SOD-123FL	-	-	-	-	-	Global Power Technology-GPT	Cut Tape (CT);Tape & Box (TB);	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	50 µA @ 650 V	1.6 V @ 1 A	-55°C ~ 175°C	650 V	1.84A	57.5pF @ 0V, 1MHz	0 ns
G51XT Global Power RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип G5S12008H Anlielectronics Тип	Global Power	DIODE SIL CARB 1.2KV 16A TO220F Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Through Hole	TO-220-2 Full Pack	TO-220F	-	-	-	-	-	Global Power Technology-GPT	Cut Tape (CT);Tape & Box (TB);	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	50 µA @ 1200 V	1.7 V @ 8 A	-55°C ~ 175°C	1200 V	16A	550pF @ 0V, 1MHz	0 ns
G5S12008H Global Power RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип G3S06004J Anlielectronics Тип	Global Power	DIODE SIL CARB 600V 11A TO220ISO Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Through Hole	TO-220-2 Isolated Tab	TO-220ISO	-	-	-	-	-	Global Power Technology Co. Ltd	Bulk	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	50 µA @ 600 V	1.7 V @ 4 A	-55°C ~ 175°C	600 V	11A	181pF @ 0V, 1MHz	0 ns
G3S06004J Global Power RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип G5S12002H Anlielectronics Тип	Global Power	G5S12002H Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Through Hole	TO-220-2 Full Pack	TO-220F	-	-	-	-	-	Global Power Technology-GPT	Cut Tape (CT);Tape & Box (TB);	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	50 µA @ 1200 V	1.7 V @ 2 A	-55°C ~ 175°C	1200 V	7.5A	170pF @ 0V, 1MHz	0 ns
G5S12002H Global Power RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип G3S17005C Anlielectronics Тип	Global Power	1700V/5A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252	-	-	-	-	-	Global Power Technology-GPT	Cut Tape (CT);Tape & Box (TB);	Active	-	-	-	No	-	-	-	-	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	50 µA @ 1700 V	1.7 V @ 5 A	-55°C ~ 175°C	1700 V	27A	780pF @ 0V, 1MHz	0 ns
G3S17005C Global Power RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип G4S06508DT Anlielectronics Тип	Global Power	Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263	-	-	-	-	-	Global Power Technology-GPT	Cut Tape (CT);Tape & Box (TB);	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	50 µA @ 650 V	1.7 V @ 8 A	-55°C ~ 175°C	650 V	24A	395pF @ 0V, 1MHz	0 ns
G4S06508DT Global Power RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип G5S6506Z Anlielectronics Тип	Global Power	DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFN Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	8-PowerTDFN	8-DFN (4.9x5.75)	-	-	-	-	-	Global Power Technology-GPT	Cut Tape (CT);Tape & Box (TB);	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	50 µA @ 650 V	1.5 V @ 6 A	-55°C ~ 175°C	650 V	30.5A	395pF @ 0V, 1MHz	0 ns
G5S6506Z Global Power RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип G4S6508Z Anlielectronics Тип	Global Power Technology-GPT	DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFN Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	8-PowerTDFN	8-DFN (4.9x5.75)	Single	10.9（135℃）	8（150.5℃）	23.2	54	Global Power Technology-GPT	Tape & Box (TB)	Active	41	94	21（VR=400V）	-	650	-	-	-	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	50 μA @ 650 V	1.7 V @ 8 A	-55°C ~ 175°C	650 V	30.5A	395pF @ 0V, 1MHz	0 ns
G4S6508Z Global Power Technology-GPT RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип G5S06510HT Anlielectronics Тип	Global Power Technology-GPT	DIODE SIL CARB 650V 23.8A TO220F Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Through Hole	TO-220-2 Full Pack	TO-220F	-	-	-	-	-	Global Power Technology-GPT	Tape & Box (TB)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	50 μA @ 650 V	-	-55°C ~ 175°C	650 V	23.8A	-	0 ns
G5S06510HT Global Power Technology-GPT RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип GAS06520H Anlielectronics Тип	Global Power Technology-GPT	DIODE SIL CARB 650V 30A TO220F Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Through Hole	TO-220-2 Full Pack	TO-220F	-	-	-	-	-	Global Power Technology-GPT	Tape & Box (TB)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	50 μA @ 650 V	1.7 V @ 20 A	-55°C ~ 175°C	650 V	30A	1390pF @ 0V, 1MHz	0 ns
GAS06520H Global Power Technology-GPT RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип G3S12010A Anlielectronics Тип	Global Power Technology-GPT	DIODE SIC 1.2KV 34.8A TO220AC Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Through Hole	TO-220-2	TO-220AC	-	-	-	-	-	Global Power Technology-GPT	Tape & Box (TB)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	50 μA @ 1200 V	1.7 V @ 10 A	-55°C ~ 175°C	1200 V	34.8A	770pF @ 0V, 1MHz	0 ns
G3S12010A Global Power Technology-GPT RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип G3S06510M Anlielectronics Тип	Global Power Technology-GPT	DIODE SIL CARB 650V 21A TO220F Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Through Hole	TO-220-2 Full Pack	TO-220F	Single	9.8(135℃)	10（133.5℃）	22.1	100	Global Power Technology-GPT	Tape & Box (TB)	Active	26	60	32（VR=400V）	-	650	-	-	-	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	50 μA @ 650 V	1.7 V @ 10 A	-55°C ~ 175°C	650 V	21A	690pF @ 0V, 1MHz	0 ns
G3S06510M Global Power Technology-GPT RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип G5S06508AT Anlielectronics Тип	Global Power Technology-GPT	DIODE SIC 650V 30.5A TO220AC Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Through Hole	TO-220-2	TO-220AC	Single	15.2(135℃)	8（160.5℃）	32.7	80	Global Power Technology-GPT	Tape & Box (TB)	Active	54	125	28（VR=400V）	-	650	-	-	-	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	50 μA @ 650 V	1.5 V @ 8 A	-55°C ~ 175°C	650 V	30.5A	550pF @ 0V, 1MHz	0 ns
G5S06508AT Global Power Technology-GPT RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип G3S12003H Anlielectronics Тип	Global Power Technology-GPT	DIODE SIL CARB 1.2KV 9A TO220F Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Through Hole	TO-220-2 Full Pack	TO-220F	-	-	-	-	-	Global Power Technology-GPT	Tape & Box (TB)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	100 μA @ 1200 V	1.7 V @ 3 A	-55°C ~ 175°C	1200 V	9A	260pF @ 0V, 1MHz	0 ns
G3S12003H Global Power Technology-GPT RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип G5S06510QT Anlielectronics Тип	Global Power Technology-GPT	DIODE SIL CARBIDE 650V 53A 4DFN Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	4-PowerTSFN	4-DFN (8x8)	Single	15（135℃）	10（154℃）	31.9	90	Global Power Technology-GPT	Tape & Box (TB)	Active	52	120	32（VR=400V）	-	650	-	-	-	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	50 μA @ 650 V	1.5 V @ 10 A	-55°C ~ 175°C	650 V	53A	645pF @ 0V, 1MHz	0 ns
G5S06510QT Global Power Technology-GPT RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип G4S06508QT Anlielectronics Тип	Global Power Technology-GPT	DIODE SIL CARBIDE 650V 34A 4DFN Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	4-PowerTSFN	4-DFN (8x8)	Single	11.2(135℃)	8（152℃）	24	60	Global Power Technology-GPT	Tape & Box (TB)	Active	43	99	21（VR=400V）	-	650	-	-	-	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	50 μA @ 650 V	1.7 V @ 8 A	-55°C ~ 175°C	650 V	34A	395pF @ 0V, 1MHz	0 ns
G4S06508QT Global Power Technology-GPT RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип G4S12020A Anlielectronics Тип	Global Power Technology-GPT	DIODE SIL CARB 1.2KV 73A TO220AC Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Through Hole	TO-220-2	TO-220AC	-	-	-	-	-	Global Power Technology-GPT	Tape & Box (TB)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	No Recovery Time > 500mA (Io)	Silicon Carbide Schottky	50 μA @ 1200 V	1.7 V @ 120 A	-55°C ~ 175°C	1200 V	73A	2600pF @ 0V, 1MHz	0 ns
G4S12020A Global Power Technology-GPT RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -

Discrete Semiconductor Products

Diodes - Rectifiers - Single definition: Diodes - Rectifiers - Single Product Listing: GP2D008A065C,GSXD300A170S2D5,G3S17010A,G51XT,G5S12008H.Discrete Semiconductor Products type:Diodes - Zener - Single(113610),Diodes - Rectifiers - Single(97769),Transistors - FETs, MOSFETs - Single(61202),Transistors - Bipolar (BJT) - Single(34518),Diodes - Rectifiers - Arrays(17034) .Diodes - Rectifiers - Single has 422 pieces of spot stock price information, you can click the "RFQ" button to confirm the inventory and price with the Anli.

Индекс :

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

Локаль

Язык

Валюта

Здравствуйте, добро пожаловать в ANLI

Anlielectronics

Локаль

Язык

Валюта

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Discrete Semiconductor Products