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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Mount | Mounting Type | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Weight | Base Product Number | Brand | Channel Mode | Continuous Drain Current Id | Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃ | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | Factory Pack Quantity | Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity | Forward Transconductance - Min | Id - Continuous Drain Current | Manufacturer | Maximum Operating Temperature | Mfr | Minimum Operating Temperature | Mounting Styles | Operating Supply Voltage (Max) | Operating Supply Voltage (Min) | Operating Temp Range | Package | Pd - Power Dissipation | Power Dissipation (Max) | Product Depth (mm) | Product Status | Programmable | Qg - Gate Charge | Rds On - Drain-Source Resistance | RoHS | Standard Frequency | Transistor Polarity | Turn Off Delay Time | Typical Turn-Off Delay Time | Typical Turn-On Delay Time | Unit Weight | Usage Level | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Vgs - Gate-Source Voltage | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Operating Temperature | Packaging | Published | Series | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | ECCN Code | Type | Subcategory | Technology | Peak Reflow Temperature (Cel) | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Frequency Stability | Pin Count | Symmetry-Max | Polarity | Configuration | Number of Channels | Load Capacitance | Element Configuration | Power Dissipation | Turn On Delay Time | FET Type | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | Rise Time | Drain to Source Voltage (Vdss) | Vgs (Max) | Polarity/Channel Type | Fall Time (Typ) | Product Type | Transistor Type | Continuous Drain Current (ID) | Screening Level | Channel Type | FET Feature | Product | Product Category | Product Length (mm) | Height | Product Height (mm) | REACH SVHC | RoHS Status |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипGA04JT17-247Anlielectronics Тип | GeneSiC Semiconductor |
GENESIC SEMICONDUCTOR GA04JT17-247 SIC SUPER JUNCTION TRANSISTOR, TO-247AB
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 18 Weeks | Through Hole | Through Hole | TO-247-3 | - | 3 | - | - | - | - | - | - | 4A Tc 95°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 106W Tc | - | - | - | - | - | - | - | - | 19 ns | - | - | - | - | - | - | - | 175°C TJ | Tube | 2013 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | EAR99 | - | - | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | - | - | NPN | - | 1 | - | Single | 106W | 10 ns | - | 480m Ω @ 4A | - | - | - | 28ns | 1700V | - | - | 50 ns | - | - | 15A | - | - | - | - | - | - | 25.934mm | - | No SVHC | RoHS Compliant | ||
| GA04JT17-247 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипGA03JT12-247Anlielectronics Тип | GeneSiC Semiconductor |
JFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 550mO-3A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 18 Weeks | Through Hole | Through Hole | TO-247-3 | - | 3 | - | 6.390011g | - | - | - | - | 3A Tc 95°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 15W Tc | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 175°C TJ | Tube | 2013 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | EAR99 | - | - | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | 460m Ω @ 3A | - | - | - | - | 1200V | - | - | - | - | - | 3A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | ||
| GA03JT12-247 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипGA50JT12-247Anlielectronics Тип | GeneSiC Semiconductor |
GENESIC SEMICONDUCTOR GA50JT12-247SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 50A, TO-247AB
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 18 Weeks | - | Through Hole | TO-247-3 | NO | 3 | - | - | - | - | - | - | 100A Tc | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 583W Tc | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 175°C TJ | Tube | 2016 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 25m Ω @ 50A | - | 7209pF @ 800V | - | - | 1200V | - | N-CHANNEL | - | - | - | 50A | - | - | - | - | - | - | - | - | No SVHC | RoHS Compliant | ||
| GA50JT12-247 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипGA08JT17-247Anlielectronics Тип | GeneSiC Semiconductor |
GENESIC SEMICONDUCTOR GA08JT17-247 SIC SUPER JUNCTION TRANSISTOR, TO-247AB
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 18 Weeks | Through Hole | Through Hole | TO-247-3 | - | 3 | - | - | - | - | - | - | 8A Tc 90°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 48W Tc | - | - | - | - | - | - | - | - | 73 ns | - | - | - | - | - | - | - | 175°C TJ | Tube | 2013 | - | Active | 1 (Unlimited) | EAR99 | - | - | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | Single | 91W | - | - | 250m Ω @ 8A | - | - | - | 28ns | 1700V | - | - | 50 ns | - | - | 8A | - | - | - | - | - | - | - | - | No SVHC | RoHS Compliant | ||
| GA08JT17-247 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. Тип2N7638-GAAnlielectronics Тип | GeneSiC Semiconductor |
TRANS SJT 650V 8A TO276
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 18 Weeks | Surface Mount | Surface Mount | TO-276AA | - | 3 | - | - | - | - | - | - | 8A Tc 158°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 200W Tc | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C~225°C TJ | Bulk | 2013 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 170m Ω @ 8A | - | 720pF @ 35V | - | - | 650V | - | N-CHANNEL | - | - | - | 8A | - | - | - | - | - | - | - | - | No SVHC | Non-RoHS Compliant | ||
| 2N7638-GA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипG2R120MT33JAnlielectronics Тип | GeneSiC Semiconductor |
SIC MOSFET N-CH TO263-7
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | - | - | TO-263-7 | - | G2R120 | GeneSiC Semiconductor | Enhancement | 35A | 35A | 20V | - | 50 | 5.8 S | 34 A | GeneSiC Semiconductor | + 175 C | GeneSiC Semiconductor | - 55 C | SMD/SMT | - | - | - | Tube | 366 W | - | - | Active | - | 130 nC | 120 mOhms | Details | - | N-Channel | - | 35 ns | 96 ns | 0.056438 oz | - | 3.3 kV | - 5 V, + 20 V | 4.5 V | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | - | - | - | - | SiC MOSFET | MOSFETs | - | - | - | - | - | - | - | Single | 1 Channel | - | - | 402W | - | N-Channel | 156mOhm @ 20A, 20V | - | 3706 pF @ 1000 V | 145 nC @ 20 V | 26 ns | 3300 V | +25V, -10V | - | - | MOSFET | MOSFET | - | - | N Channel | - | MOSFET | MOSFET | - | - | - | - | - | ||
| G2R120MT33J | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипG2R50MT33KAnlielectronics Тип | GeneSiC Semiconductor |
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Through Hole | TO-247-4 | - | - | TO-247-4 | - | - | - | - | - | 63A (Tc) | 20V | - | - | - | - | - | - | GeneSiC Semiconductor | - | - | - | - | - | Tube | - | 536W (Tc) | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | N-Channel | 50mOhm @ 40A, 20V | 3.5V @ 10mA (Typ) | 7301 pF @ 1000 V | 340 nC @ 20 V | - | 3300 V | +25V, -10V | - | - | - | - | - | - | - | Standard | - | - | - | - | - | - | - | ||
| G2R50MT33K | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипG3R60MT07DAnlielectronics Тип | GeneSiC Semiconductor |
750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Through Hole | TO-247-3 | - | - | TO-247-3 | - | - | - | Enhancement | - | - | - | - | - | - | 43 A | - | + 175 C | GeneSiC Semiconductor | - 55 C | Through Hole | - | - | - | Tube | 171 W | - | - | Active | - | 47 nC | 60 mOhms | - | - | N-Channel | - | - | - | - | - | 750 V | - 5 V, + 15 V | 2.5 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 Channel | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 750 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| G3R60MT07D | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипG3R20MT12NAnlielectronics Тип | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET,Single, N Channel, 105 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, SOT-227
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Chassis Mount | QFN | - | - | SOT-227 | - | G3R20 | - | Enhancement | 105A | 105A (Tc) | 15V | - | - | - | 93 A | - | + 175 C | GeneSiC Semiconductor | - 55 C | SMD/SMT | 2.75(V) | 2.25(V) | -40C to 85C | Tube | 338 W | 365W (Tc) | - | Active | No | 180 nC | 20 mOhms | - | 50 | N-Channel | - | - | - | - | - | 1.2 kV | - 5 V, + 15 V | 2.7 V | -55°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | G3R™ | - | - | - | CLOCK OSCILLATOR | - | SiCFET (Silicon Carbide) | - | - | ±50(ppm) | - | 55(%) | - | - | 1 Channel | - | - | 365W | - | N-Channel | 24mOhm @ 60A, 15V | 2.69V @ 15mA | 5873 pF @ 800 V | 219 nC @ 15 V | - | 1200 V | +20V, -10V | - | - | - | - | - | - | N Channel | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| G3R20MT12N | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипG2R1000MT17JAnlielectronics Тип | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET,Single, N Channel, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | QFN | - | - | TO-263-7 | - | G2R1000 | GeneSiC Semiconductor | Enhancement | 4A | 3A (Tc) | 20V | - | 50 | 0.76 S | 5 A | GeneSiC Semiconductor | + 175 C | GeneSiC Semiconductor | - 55 C | Surface Mount | 3.63(V) | 2.97(V) | -40C to 85C | Tube | 44 W | 54W (Tc) | 5(mm) | Active | No | 11 nC | 1 Ohms | Details | 125 | N-Channel | - | 13 ns | 9 ns | 0.056438 oz | Industrial grade | 1.7 kV | - 5 V, + 20 V | 4.5 V | -55°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | G2R | - | - | - | CLOCK OSCILLATOR | MOSFETs | SiC | - | - | ±25(ppm) | 6 | 55(%) | - | Single | 1 Channel | - | - | 54W | - | N-Channel | 1.2Ohm @ 2A, 20V | 4V @ 2mA | 139 pF @ 1000 V | - | 19 ns | 1700 V | +20V, -10V | - | - | MOSFET | MOSFET | - | Industrial | N Channel | - | MOSFET | MOSFET | 7(mm) | - | 0.9(mm) | - | - | ||
| G2R1000MT17J | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипG3R160MT12DAnlielectronics Тип | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Through Hole | QFN | - | - | TO-247-3 | - | G3R160 | GeneSiC Semiconductor | Enhancement | 22A | 22A (Tc) | 15V | - | 30 | 4.4 S | 19 A | GeneSiC Semiconductor | + 175 C | GeneSiC Semiconductor | - 55 C | Through Hole | 3.63(V) | 2.25(V) | -20C to 70C | Tube | 106 W | 123W (Tc) | - | Active | No | 23 nC | 160 mOhms | Details | 25 | N-Channel | - | 16 ns | 16 ns | 0.211644 oz | - | 1.2 kV | - 5 V, + 15 V | 2.7 V | -55°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | G3R | - | - | - | CLOCK OSCILLATOR | MOSFETs | SiC | - | - | ±25(ppm) | - | 55(%) | - | Single | 1 Channel | - | - | 123W | - | N-Channel | 192mOhm @ 10A, 15V | 2.69V @ 5mA | 730 pF @ 800 V | 28 nC @ 15 V | 9 ns | 1200 V | ±15V | - | - | MOSFET | MOSFET | - | - | N Channel | - | MOSFET | MOSFET | - | - | - | - | - | ||
| G3R160MT12D | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипG3R12MT12KAnlielectronics Тип | GeneSiC Semiconductor |
1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Through Hole | TO-247-4 | - | - | TO-247-4 | - | G3R12M | GeneSiC Semiconductor | Enhancement | - | 157A (Tc) | 15V, 18V | - | 30 | - | 111 A | GeneSiC Semiconductor | + 175 C | GeneSiC Semiconductor | - 55 C | SMD/SMT | - | - | - | Tube | 567 W | 567W (Tc) | - | Active | - | 288 nC | 12 mOhms | Details | - | N-Channel | - | - | - | - | - | 1.2 kV | - 10 V, + 22 V | 2.7 V | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | - | - | - | - | - | MOSFETs | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 Channel | - | - | - | - | N-Channel | 13mOhm @ 100A, 18V | 2.7V @ 50mA | 9335 pF @ 800 V | 288 nC @ 15 V | - | 1200 V | +22V, -10V | - | - | MOSFET | - | - | - | - | - | MOSFET | MOSFET | - | - | - | - | - | ||
| G3R12MT12K | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипG3R450MT17DAnlielectronics Тип | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Through Hole | QFN | - | - | TO-247-3 | - | G3R450 | GeneSiC Semiconductor | Enhancement | 9A | 9A (Tc) | 15V | - | 30 | 1.8 S | 7 A | GeneSiC Semiconductor | + 175 C | GeneSiC Semiconductor | - 55 C | Through Hole | 3.63(V) | 2.97(V) | -20C to 70C | Tube | 70 W | 88W (Tc) | - | Active | No | 13 nC | 450 mOhms | Details | 148.5 | N-Channel | - | 15 ns | 15 ns | 0.211644 oz | - | 1.7 kV | - 5 V, + 15 V | 2.7 V | -55°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | G3R | - | - | - | CLOCK OSCILLATOR | MOSFETs | SiC | - | - | ±25(ppm) | - | 55(%) | - | Single | 1 Channel | - | - | 88W | - | N-Channel | 585mOhm @ 4A, 15V | 2.7V @ 2mA | 454 pF @ 1000 V | 18 nC @ 15 V | 17 ns | 1700 V | ±15V | - | - | MOSFET | MOSFET | - | - | N Channel | - | MOSFET | MOSFET | - | - | - | - | - | ||
| G3R450MT17D | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипG3R30MT12KAnlielectronics Тип | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Through Hole | QFN | - | - | TO-247-4 | - | G3R30 | - | Enhancement | 90A | 90A (Tc) | 15V | - | - | - | 70 A | - | + 175 C | GeneSiC Semiconductor | - 55 C | Through Hole | 3.63(V) | 2.25(V) | -20C to 70C | Tube | 281 W | 400W (Tc) | - | Active | No | 118 nC | 30 mOhms | - | 33.333 | N-Channel | - | - | - | - | - | 1.2 kV | - 5 V, + 15 V | 2.7 V | -55°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | G3R™ | - | - | - | CLOCK OSCILLATOR | - | SiCFET (Silicon Carbide) | - | - | ±25(ppm) | - | 55(%) | - | - | 1 Channel | 15(pF) | - | 400W | - | N-Channel | 36mOhm @ 50A, 15V | 2.69V @ 12mA | 3901 pF @ 800 V | 155 nC @ 15 V | - | 1200 V | ±15V | - | - | - | - | - | - | N Channel | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| G3R30MT12K | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипG3R45MT17KAnlielectronics Тип | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Through Hole | QFN | - | - | TO-247-4 | - | G3R45 | GeneSiC Semiconductor | Enhancement | 61A | 61A (Tc) | 15V | - | 30 | 17.1 S | 48 A | GeneSiC Semiconductor | + 175 C | GeneSiC Semiconductor | - 55 C | Through Hole | 2.75(V) | 2.25(V) | -40C to 85C | Tube | 284 W | 438W (Tc) | - | Active | No | 106 nC | 45 mOhms | Details | 150 | N-Channel | - | 31 ns | 44 ns | 0.211644 oz | - | 1.7 kV | - 5 V, + 15 V | 2.7 V | -55°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | G3R | - | - | - | CLOCK OSCILLATOR | MOSFETs | SiC | - | - | ±25(ppm) | - | 55(%) | - | Single | 1 Channel | - | - | 438W | - | N-Channel | 58mOhm @ 40A, 15V | 2.7V @ 8mA | 4523 pF @ 1000 V | 182 nC @ 15 V | 32 ns | 1700 V | ±15V | - | - | MOSFET | MOSFET | - | - | N Channel | - | MOSFET | MOSFET | - | - | - | - | - | ||
| G3R45MT17K | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипG3F33MT06L-TRAnlielectronics Тип | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | TO-LL | - | - | - | - | - | - | Enhancement | - | - | - | 1200 | - | - | - | - | - | - | - | SMD/SMT | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 27 mOhms | RoHS Compliant | - | N-Channel | - | - | - | - | - | 650 V | - | - | - | Reel | - | G3F | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| G3F33MT06L-TR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипG3F25MT06KAnlielectronics Тип | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | TO-247-4 | - | - | - | - | - | - | Enhancement | - | - | - | 30 | - | - | 90 A | - | - | - | - | Through Hole | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 20 mOhms | RoHS Compliant | - | N-Channel | - | - | - | - | - | 650 V | - | - | - | Tube | - | G3F | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | 1 Channel | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| G3F25MT06K | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипG3F45MT06J-TRAnlielectronics Тип | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | TO-263-7 | - | - | - | - | - | - | Enhancement | - | - | - | 800 | - | - | 57 A | - | - | - | - | SMD/SMT | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 40 mOhms | RoHS Compliant | - | N-Channel | - | - | - | - | - | 650 V | - | - | - | Reel | - | G3F | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | 1 Channel | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| G3F45MT06J-TR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипG3F60MT06J-TRAnlielectronics Тип | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 800 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Reel | - | G3F | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| G3F60MT06J-TR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипG3F18MT12KAnlielectronics Тип | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | TO-247-4 | - | - | - | - | - | - | Enhancement | - | - | - | 30 | - | - | - | - | - | - | - | Through Hole | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 18 mOhms | RoHS Compliant | - | N-Channel | - | - | - | - | - | 1.2 kV | - | - | - | Tube | - | G3F | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | 1 Channel | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| G3F18MT12K |
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