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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Contact Plating | Surface Mount | Material | Housing material | Housing Material | Number of Terminals | Transistor Element Material | Exterior Housing Material | Attenuation | Body diameter | Cable jacket material | Cable type | Cable Type | Capacitance tolerance | Capacitors series | Case - inch | Case - mm | Coating | Collector Current (Ic) | Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | Contact Material | Date Of Intro | DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | Description | Drain Current-Max (ID) | Gross weight | Gross Weight | Ihs Manufacturer | Input Resistor | Input Voltage (VI(off)@Ic,Vce) | Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce) | Kind of capacitor | Load capacity | Mounting | Mounting Method | Operating frequency range | Operating Frequency Range | Operating Temperature-Max | Operating Temperature-Min | Output Voltage (VO(on)@Io/Ii) | Package | Package Body Material | Package Description | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Part Package Code | Power Dissipation (Pd) | Resistor Ratio | RoHS | Rohs Code | Shipping package size/quantity | Soldering tip shape | Thread | Transition Frequency-Nom (fT) | Transport package size/quantity | Transport packaging size/quantity | Transport Packaging size/quantity | Turn-off Time-Max (toff) | Turn-on Time-Max (ton) | Type of capacitor | Operating temperature | Operating Temperature | Tolerance | JESD-609 Code | Pbfree Code | ECCN Code | Connector type | Connector Type | Type | Terminal Finish | Additional Feature | HTS Code | Capacitance | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Pin Count | Reference Standard | JESD-30 Code | Qualification Status | Dielectric | Configuration | Insulation Resistance | Impedance | Cable length | Operating Mode | Case Connection | Transistor Application | Polarity/Channel Type | Transistor Type | Operating temperature range | Operating Temperature Range | JEDEC-95 Code | Drain-source On Resistance-Max | Frequency Range | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | DS Breakdown Voltage-Min | Avalanche Energy Rating (Eas) | FET Technology | Cable diameter | Power Dissipation-Max (Abs) | Collector Current-Max (IC) | DC Current Gain-Min (hFE) | Feedback Cap-Max (Crss) | Power Dissipation Ambient-Max | Saturation Current | Features | Operating voltage | Degree of Protection | Height |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипBC856WAnlielectronics Тип | Infineon Technologies AG |
Transistor,
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | YES | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | INFINEON TECHNOLOGIES AG | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150 °C | - | - | - | - | - | - | - | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | 100 MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | compliant | - | - | - | - | - | - | SINGLE | - | - | - | - | - | - | PNP | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0.2 W | 0.1 A | 125 | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BC856W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIRF7313TRPBFAnlielectronics Тип | International Rectifier |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA,
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | YES | - | - | - | 8 | SILICON | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 6.5 A | - | - | INTERNATIONAL RECTIFIER CORP | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150 °C | - | - | - | PLASTIC/EPOXY | - | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Transferred | - | - | - | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e3 | Yes | EAR99 | - | - | - | MATTE TIN | HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED | 8541.29.00.95 | - | DUAL | GULL WING | 260 | compliant | 30 | - | - | R-PDSO-G8 | Not Qualified | - | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SWITCHING | N-CHANNEL | - | - | - | MS-012AA | 0.029 Ω | - | 30 A | 30 V | 82 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 2 W | - | - | - | 2 W | 1 | - | - | - | - | ||
| IRF7313TRPBF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBC856WAnlielectronics Тип | North American Philips Discrete Products Div |
Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | YES | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NORTH AMERICAN PHILIPS DISCRETE PRODUCTS DIV | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150 °C | - | - | - | - | - | - | - | Transferred | - | - | - | - | No | - | - | - | 100 MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e0 | - | EAR99 | - | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | - | - | - | unknown | - | - | - | - | - | - | SINGLE | - | - | - | - | - | - | PNP | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0.2 W | 0.1 A | 125 | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BC856W North American Philips Discrete Products Div
RoHS :
Инкапсуляция :
-
Есть складские запасы :
-
1 :
-
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIRF9530NPBFAnlielectronics Тип | International Rectifier |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NO | - | - | - | 3 | SILICON | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 14 A | - | - | INTERNATIONAL RECTIFIER CORP | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 175 °C | - | - | - | PLASTIC/EPOXY | LEAD FREE PACKAGE-3 | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | Transferred | TO-220AB | - | - | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e3 | Yes | EAR99 | - | - | - | MATTE TIN OVER NICKEL | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY | 8541.29.00.95 | - | SINGLE | THROUGH-HOLE | 250 | compliant | 30 | 3 | - | R-PSFM-T3 | Not Qualified | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | DRAIN | SWITCHING | P-CHANNEL | - | - | - | TO-220AB | 0.2 Ω | - | 56 A | 100 V | 250 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 79 W | - | - | - | 75 W | - | - | - | - | - | ||
| IRF9530NPBF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI3440ADV-T1-GE3Anlielectronics Тип | Vishay Intertechnologies |
Small Signal Field-Effect Transistor,
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| Min.:1 Mult.:1 | 28 Weeks | - | YES | - | - | - | 6 | SILICON | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.2 A | - | - | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150 °C | -55 °C | - | - | PLASTIC/EPOXY | MO-193C, TSOP-6 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Active | - | - | - | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e3 | - | EAR99 | - | - | - | MATTE TIN | - | - | - | DUAL | GULL WING | 260 | compliant | 30 | - | - | R-PDSO-G6 | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SWITCHING | N-CHANNEL | - | - | - | MO-193AA | 0.38 Ω | - | - | 150 V | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 3.6 W | - | - | 3 pF | - | 1 | - | - | - | - | ||
| SI3440ADV-T1-GE3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSIHG120N60E-GE3Anlielectronics Тип | Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor,
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | NO | - | - | - | 3 | SILICON | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2018-09-17 | - | - | 25 A | - | - | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150 °C | -55 °C | - | - | PLASTIC/EPOXY | - | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | Active | - | - | - | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | 128 ns | 168 ns | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE | THROUGH-HOLE | NOT SPECIFIED | unknown | NOT SPECIFIED | - | - | R-PSFM-T3 | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SWITCHING | N-CHANNEL | - | - | - | TO-247AC | 0.12 Ω | - | 66 A | 600 V | 88 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 179 W | - | - | 6 pF | - | - | - | - | - | - | ||
| SIHG120N60E-GE3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипDTC123JEAnlielectronics Тип | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. |
SOT-523 Digital Transistors ROHS
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | - | - | - | - | - | - | - | - | true | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| DTC123JE Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd.
RoHS :
Инкапсуляция :
-
Есть складские запасы :
-
1 :
-
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипDTC123JEAnlielectronics Тип | Tak Cheong |
140@5mA,10V 1 NPN - bias preset 150mW 100mA 50V SOT-523-3 Digital Transistors ROHS
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100mA | 50V | - | - | 140@5mA,10V | - | - | - | - | - | 2.2kΩ | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | - | - | - | - | - | - | 150mW | 0.047 | true | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -50℃~+150℃@(Tj) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 NPN - bias preset | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| DTC123JE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBDW93CAnlielectronics Тип | SPTECH |
TO-220 Darlington Transistors ROHS
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tube-packed | - | - | - | - | - | - | - | - | true | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BDW93C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBDX53Anlielectronics Тип | SPTECH |
TO-220F-3 Darlington Transistors ROHS
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tube-packed | - | - | - | - | - | - | - | - | true | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BDX53 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипDTA114ECAAnlielectronics Тип | Yangzhou Yangjie Elec Tech |
30@5mA,5V 1 PNP pre-bias 200mW 100mA 50V SOT-23(TO-236) Digital Transistors ROHS
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100mA | 50V | - | - | 30@5mA,5V | - | - | - | - | - | 10kΩ | 300mV@100uA,5V | 3V@10mA,0.3V | - | - | - | - | - | - | - | - | 300mV@10mA,0.5mA | Tape & Reel (TR) | - | - | - | - | - | - | 200mW | 1 | true | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 PNP pre-bias | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| DTA114ECA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBSS138PWAnlielectronics Тип | Galaxy Microelectronics |
Small Signal Field-Effect Transistor,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ±0.25pF | GCM | 0402 | 1005 | - | - | - | - | - | - | - | - | 0.03 g | - | CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD | - | - | - | MLCC | - | SMD | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ceramic | -55...125°C | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | 6.2pF | - | - | NOT SPECIFIED | unknown | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | C0G (NP0) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100V | - | - | ||
| BSS138PW | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI2356DS-T1-GE3Anlielectronics Тип | Vishay Intertechnologies |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | YES | rubber NK / carbon structural steel | - | - | 3 | SILICON | 1 | - | 30 mm | - | - | - | - | GCM | 0402 | 1005 | galvanized | - | - | - | - | - | - | 4.3 A | 49.67 | - | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | - | - | - | MLCC | 21 kg | SMD | - | - | - | 150 °C | -55 °C | - | - | PLASTIC/EPOXY | TO-236, SOT-23, 3 PIN | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Active | - | - | - | - | Yes | - | - | M8 | - | - | 42*28*18.5/300 | - | - | - | ceramic | -40...+80 °C | - | ±5% | e3 | - | EAR99 | - | - | C | MATTE TIN | - | - | 51pF | DUAL | GULL WING | 260 | compliant | 30 | - | - | R-PDSO-G3 | - | C0G (NP0) | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SWITCHING | N-CHANNEL | - | - | - | TO-236AB | 0.051 Ω | - | - | 40 V | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 1.7 W | - | - | 17 pF | - | 1 | - | 100V | - | 30 mm | ||
| SI2356DS-T1-GE3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBU508AWAnlielectronics Тип | Inchange Semiconductor Company Ltd |
Transistor
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | brass | - | - | - | - | - | - | - | RG-316 | - | - | GCM | 0402 | 1005 | - | - | - | - | - | - | - | - | 10.60 | - | INCHANGE SEMICONDUCTOR CO LTD | - | - | - | MLCC | - | SMD | - | up to 6 GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Contact Manufacturer | - | - | - | - | - | 42*28*18.5/150 | - | - | - | - | - | - | - | - | ceramic | -55...125°C | - | ±2% | - | - | EAR99 | SMA-P (plug)/SMA-J (jack) | - | - | - | - | - | 270pF | - | - | - | unknown | - | - | - | - | - | C0G (NP0) | - | - | 50 Ohm | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100V | - | - | ||
| BU508AW | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипBU508AWAnlielectronics Тип | Philips Semiconductors |
Description: Transistor
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NO | - | - | - | - | - | 1 | 0.15 dB/m | - | FEP fluoroplastic | - | RG316 | - | GCM | 0402 | 1005 | - | - | - | - | - | - | Antenna adapter - cable assembly | - | 48.60 | - | PHILIPS SEMICONDUCTORS | - | - | - | MLCC | - | SMD | - | - | - | 150 °C | - | - | - | - | - | - | - | Transferred | - | - | - | - | Yes | - | - | - | - | - | 42*28*18.5/100 | - | - | - | ceramic | -55...125°C | - | ±5% | - | - | EAR99 | - | N-P (plug)/ N-J (jack) | - | - | - | - | 220pF | - | - | - | unknown | - | - | - | - | - | C0G (NP0) | SINGLE | - | 50 Ohm | 150 ± 2 mm | - | - | - | NPN | - | -55…+200 °C | - | - | - | up to 6 (GSM/2G; 3G4 4G; 5G; 5.8G/ 433 MHz) GHz | - | - | - | - | 2.50 mm | 125 W | 8 A | 6 | - | - | - | - | 100V | - | - | ||
| BU508AW | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSQJ463EP-T1_GE3Anlielectronics Тип | Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 0.01ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SO-8, 4 PIN
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | YES | - | - | - | 4 | SILICON | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 11 A | - | - | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 175 °C | - | - | - | PLASTIC/EPOXY | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Not Recommended | - | - | - | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE | GULL WING | 260 | compliant | 40 | - | AEC-Q101 | R-PSSO-G4 | Not Qualified | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | DRAIN | - | P-CHANNEL | - | - | - | - | 0.01 Ω | - | 60 A | 40 V | 125 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| SQJ463EP-T1_GE3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI7315DN-T1-GE3Anlielectronics Тип | Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 150V, 0.315ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 17 Weeks, 4 Days | silver | YES | - | - | brass | 5 | SILICON | 1 | - | - | - | - | SCF-12-50, RK 50-9-35 | - | - | - | - | - | - | - | brass | - | - | - | 8.9 A | - | 55.30 | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | - | - | - | - | - | - | cable mount | - | 7.5 GHz | - | - | - | - | PLASTIC/EPOXY | - | SQUARE | SMALL OUTLINE | Active | - | - | - | - | Yes | - | - | - | - | - | - | 42*28*18.5/100 | - | - | - | - | - | - | e3 | - | EAR99 | - | 7/16 DIN plug | - | Matte Tin (Sn) | - | - | - | DUAL | C BEND | 260 | compliant | 30 | - | - | S-PDSO-C5 | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 10000 MOhm min | 50 Ohm | - | ENHANCEMENT MODE | DRAIN | SWITCHING | P-CHANNEL | - | - | -40…+85 °C | - | 0.315 Ω | - | 10 A | 150 V | 9.8 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | IP68 | - | ||
| SI7315DN-T1-GE3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIRF640NSTRLPBFAnlielectronics Тип | International Rectifier |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-2/3
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | YES | tip - copper, Fe-Cr coating | - | - | 2 | SILICON | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 18 A | 5.00 | - | INTERNATIONAL RECTIFIER CORP | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150 °C | - | - | - | PLASTIC/EPOXY | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-2/3 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Transferred | D2PAK | - | - | - | Yes | - | beveled 60° cylinder | - | - | 28.5*21*19/500 | - | - | - | - | - | - | - | - | e3 | Yes | EAR99 | - | - | Tip for 900M series soldering iron | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE | 8541.29.00.95 | - | SINGLE | GULL WING | 260 | not_compliant | 30 | 3 | - | R-PSSO-G2 | Not Qualified | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | - | - | - | TO-263AB | 0.15 Ω | - | 72 A | 200 V | 247 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 150 W | - | - | - | - | 1 | With protective coating | - | - | - | ||
| IRF640NSTRLPBF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSUP80090E-GE3Anlielectronics Тип | Vishay Intertechnologies |
Power Field-Effect Transistor, 128A I(D), 150V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
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| Min.:1 Mult.:1 | 56 Weeks, 4 Days | - | NO | - | - | - | 3 | SILICON | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2016-05-02 | - | - | 128 A | - | - | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | PLASTIC/EPOXY | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | Active | - | - | - | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE | THROUGH-HOLE | NOT SPECIFIED | compliant | NOT SPECIFIED | - | - | R-PSFM-T3 | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | - | SWITCHING | N-CHANNEL | - | - | - | TO-220AB | 0.011 Ω | - | 240 A | 150 V | 180 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| SUP80090E-GE3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIRFR9024NTRPBFAnlielectronics Тип | International Rectifier |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | YES | - | - | - | 2 | SILICON | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 11 A | - | - | INTERNATIONAL RECTIFIER CORP | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150 °C | - | - | - | PLASTIC/EPOXY | LEAD FREE, DPAK-3 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Transferred | TO-252AA | - | - | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | e3 | Yes | EAR99 | - | - | - | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY | - | - | SINGLE | GULL WING | 260 | not_compliant | 30 | 3 | - | R-PSSO-G2 | Not Qualified | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ENHANCEMENT MODE | DRAIN | SWITCHING | P-CHANNEL | - | - | - | TO-252AA | 0.175 Ω | - | 44 A | 55 V | 62 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 38 W | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | ||
| IRFR9024NTRPBF |
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