[email protected]

Локаль

Язык

  • English
  • русский

Валюта

  • CNY-¥
  • RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
Классификация Марка Марка О Anli Запрос цены
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
[email protected]
Изображение Тип Марка Объяснение Установленная цена Количество RoHS Package / Case Development Kit Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity Forward Transconductance - Min Id - Continuous Drain Current Maximum Drain Gate Voltage Maximum Operating Temperature Minimum Operating Temperature Moisture Sensitive Mounting Styles Part # Aliases Pd - Power Dissipation RoHS Shipping Restrictions Transistor Polarity Unit Weight Vds - Drain-Source Breakdown Voltage Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage Packaging Series Type Applications Operating Frequency Configuration Number of Channels Output Power Transistor Type Operating Temperature Range Gain Product Height Length Width
Qorvo TGF2929-HM
Mfr. Тип
TGF2929-HM
Anlielectronics Тип

Qorvo
RF JFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN
Сборник данных Сравнение
    Min.:1
    Mult.:1
    		 NI-360 TGF2929-HM EVB1 25 - 7.2 A - + 85 C - 40 C Yes SMD/SMT TGF2929 1135635 140 W Details - N-Channel - 50 V - 2.8 V - Waffle TGF2929 - - DC to 3.5 GHz Single - 132 W HEMT - 40 C to + 85 C 17.4 dB - - - -
    TGF2929-HM
    TGF2929-HM

    Qorvo
    RoHS :
    Инкапсуляция : -
    Есть складские запасы : -
    1 : -
    Qorvo TGF2023-2-20
    Mfr. Тип
    TGF2023-2-20
    Anlielectronics Тип

    		Qorvo
    RF JFET Transistors DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
    Сборник данных Сравнение
      Min.:1
      Mult.:1
      		 Die - 50 - - - - - - - TGF2023 1099955 - Details This product may require additional documentation to export from the United States. N-Channel - - - - Gel Pack TGF2023 GaN SiC HEMT - - - - - HEMT - - RF JFET - - -
      TGF2023-2-20
      TGF2023-2-20

      Qorvo
      RoHS :
      Инкапсуляция : -
      Есть складские запасы : -
      1 : -
      Qorvo TGF2819-FS
      Mfr. Тип
      TGF2819-FS
      Anlielectronics Тип

      		Qorvo
      RF JFET Transistors DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
      Сборник данных Сравнение
        Min.:1
        Mult.:1
        		 NI-360 TGF2819-FS/FL, EVAL BOARD 25 - 7.32 A 145 V + 85 C - 40 C Yes SMD/SMT 1118705 1118705 86 W Details This product may require additional documentation to export from the United States. N-Channel - 32 V - 2.9 V - Tray TGF2819 GaN SiC HEMT - 3.5 GHz Single - 100 W HEMT - 40 C to + 85 C 14 dB - - - -
        TGF2819-FS
        TGF2819-FS

        Qorvo
        RoHS :
        Инкапсуляция : -
        Есть складские запасы : -
        1 : -
        Qorvo QPD1003
        Mfr. Тип
        QPD1003
        Anlielectronics Тип

        		Qorvo
        RF JFET Transistors 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
        Сборник данных Сравнение
          Min.:1
          Mult.:1
          		 RF-565 QPD1003PCB401 18 - 15 A - + 85 C - 40 C Yes SMD/SMT 1131389 1131389 370 W Details - N-Channel 3.691596 oz 50 V 145 V - 2.8 V Tray QPD1003 - - 1.2 GHz to 1.4 GHz Single - 540 W HEMT - 40 C to + 85 C 19.9 dB - - - -
          QPD1003
          QPD1003

          Qorvo
          RoHS :
          Инкапсуляция : -
          Есть складские запасы : -
          1 : -
          Qorvo T2G6003028-FL
          Mfr. Тип
          T2G6003028-FL
          Anlielectronics Тип

          		Qorvo
          RF JFET Transistors DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
          Сборник данных Сравнение
            Min.:1
            Mult.:1
            		 NI-200 - 50 - - - - - Yes - T2G6003028 1100007 - Details - - 0.427360 oz - - - Tray T2G6003028 - - - - - - HEMT - - - - - -
            T2G6003028-FL
            T2G6003028-FL

            Qorvo
            RoHS :
            Инкапсуляция : -
            Есть складские запасы : -
            1 : -
            Qorvo QPD1009
            Mfr. Тип
            QPD1009
            Anlielectronics Тип

            		Qorvo
            RF JFET Transistors DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
            Сборник данных Сравнение
              Min.:1
              Mult.:1
              		 QFN-16 QPD1009-EVB1 50 - 700 mA - + 85 C - 40 C Yes SMD/SMT 1132865 1132865 17.5 W Details - N-Channel 0.203046 oz 50 V 145 V - 2.8 V Tray QPD1009 - - 4 GHz Single - 17 W HEMT - 40 C to + 85 C 24 dB - - - -
              QPD1009
              QPD1009

              Qorvo
              RoHS :
              Инкапсуляция : -
              Есть складские запасы : -
              1 : -
              Qorvo TGF2819-FL
              Mfr. Тип
              TGF2819-FL
              Anlielectronics Тип

              		Qorvo
              RF JFET Transistors DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
              Сборник данных Сравнение
                Min.:1
                Mult.:1
                		 NI-360 TGF2819-FS/FL, EVAL BOARD 25 - 7.32 A 145 V + 85 C - 40 C Yes Screw Mount TGF2819 1118709 86 W Details This product may require additional documentation to export from the United States. N-Channel - 32 V - 2.9 V - Tray TGF2819 GaN SiC HEMT - 3.5 GHz Single - 100 W HEMT - 40 C to + 85 C 14 dB - - - -
                TGF2819-FL
                TGF2819-FL

                Qorvo
                RoHS :
                Инкапсуляция : -
                Есть складские запасы : -
                1 : -
                Qorvo TGF2979-SM
                Mfr. Тип
                TGF2979-SM
                Anlielectronics Тип

                		Qorvo
                RF JFET Transistors 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
                Сборник данных Сравнение
                  Min.:1
                  Mult.:1
                  		 QFN-20 TGF2979-SMEVB1 50 - 1.8 A - + 225 C - Yes SMD/SMT TGF2979 1127378 49 W Details This product may require additional documentation to export from the United States. N-Channel 0.004339 oz 32 V - 2.7 V - Tray TGF2979 GaN SiC HEMT - DC to 12 GHz Single 1 Channel 22 W HEMT - 11 dB RF JFET Transistor 0.203 mm 4 mm 3 mm
                  TGF2979-SM
                  TGF2979-SM

                  Qorvo
                  RoHS :
                  Инкапсуляция : -
                  Есть складские запасы : -
                  1 : -
                  Qorvo QPD1000
                  Mfr. Тип
                  QPD1000
                  Anlielectronics Тип

                  		Qorvo
                  RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
                  Сборник данных Сравнение
                    Min.:1
                    Mult.:1
                    		 QFN-8 QPD1000PCB401, QPD1000PCB402 750 - 817 mA - + 85 C - 40 C Yes SMD/SMT QPD1000TR7 28.8 W Details - N-Channel 0.258417 oz 28 V 100 V - 2.8 V Tray QPD1000 - - 30 MHz to 1.215 GHz Single - 24 W HEMT - 40 C to + 85 C 19 dB - - - -
                    QPD1000
                    QPD1000

                    Qorvo
                    RoHS :
                    Инкапсуляция : -
                    Есть складские запасы : -
                    1 : -
                    Qorvo QPD1015L
                    Mfr. Тип
                    QPD1015L
                    Anlielectronics Тип

                    		Qorvo
                    RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
                    Сборник данных Сравнение
                      Min.:1
                      Mult.:1
                      		 NI-360 QPD1015LPCB401 25 - 2.5 A - + 85 C - 40 C Yes Screw Mount - 64 W Details - N-Channel 0.809714 oz 50 V 145 V - 2.8 V Tray QPD1015L - - 3.7 GHz Single - 70 W HEMT - 40 C to + 85 C 20 dB - - - -
                      QPD1015L
                      QPD1015L

                      Qorvo
                      RoHS :
                      Инкапсуляция : -
                      Есть складские запасы : -
                      1 : -
                      Qorvo T2G6001528-SG
                      Mfr. Тип
                      T2G6001528-SG
                      Anlielectronics Тип

                      		Qorvo
                      RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
                      Сборник данных Сравнение
                        Min.:1
                        Mult.:1
                        		 NI-200 - 100 - 5 A - - - Yes SMD/SMT T2G6001528 1113256 28 W Details - N-Channel 1 oz 100 V - - Tray T2G6001528 - - 6 GHz Single - 17 W HEMT - 15 dB - - - -
                        T2G6001528-SG
                        T2G6001528-SG

                        Qorvo
                        RoHS :
                        Инкапсуляция : -
                        Есть складские запасы : -
                        1 : -
                        Qorvo TGF3015-SM
                        Mfr. Тип
                        TGF3015-SM
                        Anlielectronics Тип

                        		Qorvo
                        RF JFET Transistors .03-3GHz Gain 17dB P3dB [email protected] GaN
                        Сборник данных Сравнение
                          Min.:1
                          Mult.:1
                          		 QFN-EP-16 TGF3015-SM-EVB1 100 - 557 mA - - - Yes SMD/SMT TGF3015 1120419 15.3 W Details - N-Channel 0.237911 oz 32 V - 2.7 V - Tray TGF3015 - - 0.03 GHz to 3 GHz Single - 11 W HEMT - 17.1 dB - - - -
                          TGF3015-SM
                          TGF3015-SM

                          Qorvo
                          RoHS :
                          Инкапсуляция : -
                          Есть складские запасы : -
                          1 : -
                          Qorvo TGF2978-SM
                          Mfr. Тип
                          TGF2978-SM
                          Anlielectronics Тип

                          		Qorvo
                          RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
                          Сборник данных Сравнение
                            Min.:1
                            Mult.:1
                            		 QFN-20 TGF2978-SMEVB1 50 - 1.3 A - + 225 C - Yes SMD/SMT TGF2978 1127373 33 W Details This product may require additional documentation to export from the United States. N-Channel 0.004339 oz 32 V - 2.7 V - Tray TGF2978 GaN SiC HEMT - DC to 12 GHz Single 1 Channel 19 W HEMT - 11 dB - 0.203 mm 4 mm 3 mm
                            TGF2978-SM
                            TGF2978-SM

                            Qorvo
                            RoHS :
                            Инкапсуляция : -
                            Есть складские запасы : -
                            1 : -
                            Qorvo QPD1011SR
                            Mfr. Тип
                            QPD1011SR
                            Anlielectronics Тип

                            		Qorvo
                            RF JFET Transistors .03-1.2GHz 7W 50V GaN
                            Сборник данных Сравнение
                              Min.:1
                              Mult.:1
                              		 SMD-8 QPD1011EVB01 100 - 1.46 A 55 V + 85 C - 40 C Yes SMD/SMT QPD1011 13 W Details - N-Channel - 50 V 145 V - Reel QPD1011 - - 30 MHz to 1200 MHz - - 8.7 W HEMT - 21 dB - - - -
                              QPD1011SR
                              QPD1011SR

                              Qorvo
                              RoHS :
                              Инкапсуляция : -
                              Есть складские запасы : -
                              1 : -
                              Qorvo QPD1013SR
                              Mfr. Тип
                              QPD1013SR
                              Anlielectronics Тип

                              		Qorvo
                              RF JFET Transistors DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
                              Сборник данных Сравнение
                                Min.:1
                                Mult.:1
                                		 DFN-6 QPD1013EVB01 100 - 1.7 A 65 V + 85 C - 40 C Yes SMD/SMT QPD1013 67 W Details - N-Channel 0.274843 oz - - - Reel QPD1013 - Military Radar, Jammers,Test Instrumentation,Wideband or Narrowband Amplifiers,Land Mobile and Military Radio Communications 1.2 GHz to 2.7 GHz Single Triple Drain - 178 W HEMT - 21.8 dB - - - -
                                QPD1013SR
                                QPD1013SR

                                Qorvo
                                RoHS :
                                Инкапсуляция : -
                                Есть складские запасы : -
                                1 : -
                                Qorvo QPD1025L
                                Mfr. Тип
                                QPD1025L
                                Anlielectronics Тип

                                		Qorvo
                                RF JFET Transistors 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
                                Сборник данных Сравнение
                                  Min.:1
                                  Mult.:1
                                  		 NI-1230-4 QPD1025LEVB1 18 - 28 A 225 V + 85 C - 40 C Yes SMD/SMT - 758 W Details - - 1.399148 oz - - - Tray QPD1025L - Avionics, IFF Transponders 1 GHz to 1.1 GHz Dual Gate Dual Drain - 1.5 kW HEMT - 22.9 dB - - - -
                                  QPD1025L
                                  QPD1025L

                                  Qorvo
                                  RoHS :
                                  Инкапсуляция : -
                                  Есть складские запасы : -
                                  1 : -
                                  Qorvo QPD1008
                                  Mfr. Тип
                                  QPD1008
                                  Anlielectronics Тип

                                  		Qorvo
                                  RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
                                  Сборник данных Сравнение
                                    Min.:1
                                    Mult.:1
                                    		 NI-360 QPD1008PCB401 25 - 4 A - + 85 C - 40 C Yes SMD/SMT - 127 W Details - N-Channel 0.566059 oz 50 V 145 V - 2.8 V Tray QPD1008 - - 3.2 GHz Single - 162 W HEMT - 40 C to + 85 C 17.5 dB - - - -
                                    QPD1008
                                    QPD1008

                                    Qorvo
                                    RoHS :
                                    Инкапсуляция : -
                                    Есть складские запасы : -
                                    1 : -
                                    Qorvo T2G6003028-FS
                                    Mfr. Тип
                                    T2G6003028-FS
                                    Anlielectronics Тип

                                    		Qorvo
                                    RF JFET Transistors DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
                                    Сборник данных Сравнение
                                      Min.:1
                                      Mult.:1
                                      		 NI-200 - 50 - - - - - Yes - T2G6003028 1100021 - Details - - 0.604190 oz - - - Tray T2G6003028 - - - - - - HEMT - - - - - -
                                      T2G6003028-FS
                                      T2G6003028-FS

                                      Qorvo
                                      RoHS :
                                      Инкапсуляция : -
                                      Есть складские запасы : -
                                      1 : -
                                      Qorvo QPD1004SR
                                      Mfr. Тип
                                      QPD1004SR
                                      Anlielectronics Тип

                                      		Qorvo
                                      RF JFET Transistors .03-1.2GHz 25W 50V GaN
                                      Сборник данных Сравнение
                                        Min.:1
                                        Mult.:1
                                        		 DFN-8 QPD1004EVB1 100 - 3.6 A 55 V + 85 C - 40 C Yes SMD/SMT QPD1004 27.6 W Details - N-Channel 0.162567 oz 50 V 145 V - MouseReel QPD1004 - - 30 MHz to 1200 MHz - - 40 W HEMT - 20.8 dB - - - -
                                        QPD1004SR
                                        QPD1004SR

                                        Qorvo
                                        RoHS :
                                        Инкапсуляция : -
                                        Есть складские запасы : -
                                        1 : -
                                        Qorvo QPD0005TR13
                                        Mfr. Тип
                                        QPD0005TR13
                                        Anlielectronics Тип

                                        		Qorvo
                                        RF JFET Transistors 3.3-3.8GHz 5W 50V GaN Transistor
                                        Сборник данных Сравнение
                                          Min.:1
                                          Mult.:1
                                          		 - - 100 - - 48 V - - Yes - QPD0005 QPD0005SR - Details - - - - - - Cut Tape QPD0005 - - 2.5 GHz to 5 GHz - - 5 W - - 18.8 dB - - - -
                                          QPD0005TR13
                                          QPD0005TR13

                                          Qorvo
                                          RoHS :
                                          Инкапсуляция : -
                                          Есть складские запасы : -
                                          1 : -

                                          Discrete Semiconductor Products

                                          Transistors - JFETs definition: The JFET(Junction Gate Field-Effect Transistor) is one of the simplest types of field-effect transistor. JFETs are three-terminal semiconduc... Transistors - JFETs Product Listing: TGF2929-HM,TGF2023-2-20,TGF2819-FS,QPD1003,T2G6003028-FL.Discrete Semiconductor Products type:Diodes - Zener - Single(113610),Diodes - Rectifiers - Single(97769),Transistors - FETs, MOSFETs - Single(61202),Transistors - Bipolar (BJT) - Single(34518),Diodes - Rectifiers - Arrays(17034) .Transistors - JFETs has 94 pieces of spot stock price information, you can click the "RFQ" button to confirm the inventory and price with the Anli.