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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Lifecycle Status | Mount | Mounting Type | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Weight | Transistor Element Material | Base Product Number | Brand | Collector Current (DC) | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Breakdown Voltage | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Continuous Collector Current Ic Max | Current-Collector (Ic) (Max) | Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity | Gate to Emitter Voltage (Max) | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Maximum Gate Emitter Voltage | Maximum Operating Temperature | Mfr | Minimum Operating Temperature | Mounting | Mounting Styles | MSL | Number of Elements | Operating Temperature (Max.) | Operating Temperature (Min.) | Operating Temperature Classification | Operating Temperature-Max | Package | Package Type | Part # Aliases | Part Life Cycle Code | Pd - Power Dissipation | Product Status | Qualification | Rad Hardened | Risk Rank | RoHS | Rohs Code | Test Conditions | Turn Off Delay Time | Operating Temperature | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Subcategory | Voltage - Rated DC | Max Power Dissipation | Technology | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Current Rating | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Rise Time-Max | Configuration | Element Configuration | Power Dissipation | Case Connection | Input Type | Turn On Delay Time | Power - Max | Transistor Application | Halogen Free | Rise Time | Polarity/Channel Type | Product Type | Collector Emitter Voltage (VCEO) | Max Collector Current | Reverse Recovery Time | JEDEC-95 Code | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | Channel Type | Max Breakdown Voltage | Power Dissipation-Max (Abs) | Turn On Time | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | Collector Current-Max (IC) | Continuous Collector Current | Turn Off Time-Nom (toff) | IGBT Type | Collector-Emitter Voltage-Max | Gate Charge | Current - Collector Pulsed (Icm) | Td (on/off) @ 25°C | Switching Energy | Gate-Emitter Voltage-Max | Gate-Emitter Thr Voltage-Max | Reverse Recovery Time (trr) | Fall Time-Max (tf) | Product Category | Height | Length | Width | Radiation Hardening | REACH SVHC | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипGT20J341,S4X(SAnlielectronics Тип | Toshiba Semiconductor and Storage |
DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | NO | - | TO-220SIS | - | - | - | Toshiba | 20(A) | 600 V | - | 1.5 | 20 A | 80 A | 20 A | 50 | ±25(V) | TOSHIBA CORP | Toshiba | GT20J341,S4X(S | - 25 V, + 25 V | + 150 C | Toshiba Semiconductor and Storage | - 55 C | Through Hole | Through Hole | - | - | 150C | -55C | Military | 150 °C | Tube | TO-220SIS | - | Active | 45 W | Active | - | No | 2.3 | Details | Yes | 300V, 20A, 33Ohm, 15V | - | 150°C (TJ) | Magazine | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | IGBTs | - | - | Si | - | - | - | unknown | - | - | - | 3 +Tab | - | - | - | Single | - | 45 | - | Standard | - | 45 W | - | - | - | N-CHANNEL | IGBT Transistors | - | - | - | - | 600 V | N | - | 45 W | - | 2V @ 15V, 20A | 20 A | 20 | - | - | 600 V | - | 80 A | 60ns/240ns | 500μJ (on), 400μJ (off) | 25 V | - | 90 ns | - | IGBT Transistors | - | - | - | - | - | - | - | ||
| GT20J341,S4X(S | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипFGA30N120FTDTUAnlielectronics Тип | ON Semiconductor |
IGBT 1200V 60A 339W TO3P
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) | Through Hole | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | - | 3 | - | 6.401g | SILICON | - | - | - | - | 1.2kV | 2V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 198 ns | -55°C~150°C TJ | Tube | 2004 | - | e3 | yes | Active | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | Tin (Sn) | - | - | - | 8541.29.00.95 | - | - | 339W | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | Not Qualified | - | - | Single | 339W | - | Standard | 31 ns | - | POWER CONTROL | - | - | N-CHANNEL | - | 1.2kV | 60A | 730ns | - | 1200V | - | - | - | 167 ns | 2V @ 15V, 30A | - | - | 575 ns | Trench Field Stop | - | 208nC | 90A | - | - | 25V | 7.5V | - | - | - | 20.1mm | 15.8mm | 5mm | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| FGA30N120FTDTU | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипFGH60N60UFDTU-F085Anlielectronics Тип | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 3-Pin TO-247 Tube
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 4 Weeks | - | Through Hole | Through Hole | TO-247-3 | - | 3 | - | 6.39g | - | - | - | - | - | 600V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 400V, 60A, 5 Ω, 15V | - | -55°C~150°C TJ | Tube | 2016 | Automotive, AEC-Q101 | e3 | yes | Active | 1 (Unlimited) | - | - | Tin (Sn) | - | - | - | - | - | - | 298W | - | - | - | NOT SPECIFIED | not_compliant | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | Single | - | - | Standard | - | 298W | - | - | - | - | - | 2.9V | 120A | 76 ns | - | - | - | - | - | - | 2.9V @ 15V, 60A | - | - | - | Field Stop | - | 192nC | 180A | 29ns/138ns | 2.47mJ (on), 810μJ (off) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| FGH60N60UFDTU-F085 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIRGP50B60PD1-EPAnlielectronics Тип | Infineon Technologies |
IGBT 600V 75A 390W TO247AD
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 14 Weeks | - | - | Through Hole | TO-3P-3 Full Pack | NO | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | 75A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 390V, 33A, 3.3 Ω, 15V | - | -55°C~150°C TJ | Tube | 2008 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | - | - | - | HIGH RELIABILITY | - | - | - | - | - | SINGLE | - | NOT SPECIFIED | compliant | - | NOT SPECIFIED | - | - | R-PSFM-T3 | Not Qualified | 20ns | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | Standard | - | 390W | POWER CONTROL | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | 42ns | TO-247AD | 600V | - | - | 390W | 39 ns | 2.85V @ 15V, 50A | - | - | 161 ns | NPT | - | 205nC | 150A | 30ns/130ns | 255μJ (on), 375μJ (off) | 20V | 5V | - | 20ns | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| IRGP50B60PD1-EP | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIXGA24N120C3Anlielectronics Тип | IXYS |
IGBT 1200V 48A 250W TO263
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 30 Weeks | - | Surface Mount | Surface Mount | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | - | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | 1.2kV | 1.2kV | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 600V, 20A, 5 Ω, 15V | - | -55°C~150°C TJ | Tube | 2008 | GenX3™ | e3 | yes | Active | 1 (Unlimited) | 2 | - | PURE TIN | - | - | AVALANCHE RATED | - | - | - | 250W | - | - | GULL WING | NOT SPECIFIED | unknown | - | NOT SPECIFIED | IXG*24N120 | 4 | R-PSSO-G2 | Not Qualified | - | - | Single | 250W | COLLECTOR | Standard | - | - | POWER CONTROL | - | - | N-CHANNEL | - | 4.2V | 48A | - | - | 1200V | - | - | - | 41 ns | 4.2V @ 15V, 20A | - | - | 430 ns | PT | - | 79nC | 96A | 16ns/93ns | 1.16mJ (on), 470μJ (off) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IXGA24N120C3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипSTGW25M120DF3Anlielectronics Тип | STMicroelectronics |
STMICROELECTRONICS STGW25M120DF3 IGBT Single Transistor, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 30 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | Through Hole | Through Hole | TO-247-3 | - | 3 | - | 38.000013g | - | - | - | - | - | 1.2kV | 1.85V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 600V, 25A, 15 Ω, 15V | - | -55°C~175°C TJ | Tube | - | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | 375W | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | STGW25 | - | - | - | - | - | Single | - | - | Standard | - | 375W | - | - | - | N-CHANNEL | - | 1.2kV | 50A | 265 ns | - | 1200V | - | - | - | - | 2.3V @ 15V, 25A | - | - | - | Trench Field Stop | - | 85nC | 100A | 28ns/150ns | 850μJ (on), 1.3mJ (off) | 20V | 7V | - | - | - | - | - | - | - | No SVHC | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| STGW25M120DF3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипRGS00TS65EHRC11Anlielectronics Тип | Rohm Semiconductor |
8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Through Hole | TO-247-3 | - | - | TO-247N | - | - | - | ROHM Semiconductor | - | 650 V | - | 1.65V | 88 A | - | 88 A | 450 | - | - | ROHM Semiconductor | - | - 30 V, + 30 V | + 175 C | Rohm Semiconductor | - 40 C | - | Through Hole | MSL 1 - Unlimited | - | - | - | - | - | Tube | - | - | - | 326 W | Active | AEC-Q101 | - | - | Details | - | 400V, 50A, 10Ohm, 15V | - | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | IGBTs | - | - | Si | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | - | 326W | - | Standard | - | 326 W | - | - | - | - | IGBT Transistors | - | - | - | - | 650 V | - | - | - | - | 2.1V @ 15V, 50A | - | 88 | - | Trench Field Stop | - | 58 nC | 150 A | 36ns/115ns | - | - | - | 113 ns | - | IGBT Transistors | - | - | - | - | - | - | - | ||
| RGS00TS65EHRC11 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипGT40RR21(STA1,EAnlielectronics Тип | Toshiba Semiconductor and Storage |
PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN IC
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | - | - | TO-3P(N) | - | - | GT40RR21 | Toshiba | - | 1.35 kV | - | 1.6 V | 40 A | 200 A | 40 A | 25 | - | - | Toshiba | - | - 25 V, + 25 V | + 175 C | Toshiba Semiconductor and Storage | - 55 C | - | Through Hole | - | - | - | - | - | - | Tube | - | - | - | 230 W | Active | - | - | - | Details | - | 280V, 40A, 10Ohm, 20V | - | 175°C (TJ) | Tube | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | IGBTs | - | - | Si | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | - | - | - | Standard | - | 230 W | - | - | - | - | IGBT Transistors | - | - | - | - | 1200 V | - | - | - | - | 2.8V @ 15V, 40A | - | - | - | - | - | - | 200 A | - | -, 540μJ (off) | - | - | 600 ns | - | IGBT Transistors | - | - | - | - | - | - | - | ||
| GT40RR21(STA1,E | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSTGW35HF60WDAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | NRND (Last Updated: 8 months ago) | Through Hole | Through Hole | TO-247-3 | - | 3 | - | 6.500007g | SILICON | - | - | - | - | 600V | 2.5V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 400V, 20A, 10 Ω, 15V | 175 ns | -55°C~150°C TJ | Tube | - | - | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | - | - | LOW CONDUCTION LOSS | - | - | - | 200W | - | - | - | - | - | - | - | STGW35 | 3 | - | - | - | - | Single | - | - | Standard | 30 ns | 200W | POWER CONTROL | - | - | N-CHANNEL | - | 600V | 60A | 50 ns | - | - | - | - | - | 45 ns | 2.5V @ 15V, 20A | - | - | 295 ns | - | - | 140nC | 150A | 30ns/175ns | 290μJ (on), 185μJ (off) | 20V | 5.75V | - | - | - | 24.45mm | 15.75mm | 5.15mm | No | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| STGW35HF60WD | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипSTGB20V60DFAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin D2PAK T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | Surface Mount | Surface Mount | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | - | 3 | - | 2.240009g | - | - | - | - | - | 600V | 1.8V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 400V, 20A, 15V | - | -55°C~175°C TJ | Cut Tape (CT) | - | - | - | - | Discontinued | 1 (Unlimited) | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | 167W | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | STGB20 | - | - | - | - | - | Single | - | - | Standard | - | 167W | - | - | - | N-CHANNEL | - | 600V | 40A | 40 ns | - | - | - | 600V | - | - | 2.2V @ 15V, 20A | - | - | - | Trench Field Stop | - | 116nC | 80A | 38ns/149ns | 200μJ (on), 130μJ (off) | 20V | - | - | - | - | 4.6mm | 10.4mm | 9.35mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| STGB20V60DF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипRGS80TS65DHRC11Anlielectronics Тип | Rohm Semiconductor |
8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Through Hole | TO-247-3 | - | - | TO-247N | - | - | - | ROHM Semiconductor | - | 650 V | - | 1.65 | 73 A | - | 73 A | 450 | - | - | ROHM Semiconductor | - | - 30 V, + 30 V | + 175 C | Rohm Semiconductor | - 40 C | - | Through Hole | MSL 1 - Unlimited | - | - | - | - | - | Tube | - | RGS80TS65DHR | - | 272 W | Active | AEC-Q101 | - | - | Details | - | 400V, 40A, 10Ohm, 15V | - | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | IGBTs | - | - | Si | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | - | 272 | - | Standard | - | 272 W | - | - | - | - | IGBT Transistors | - | - | - | - | 650 V | - | - | - | - | 2.1V @ 15V, 40A | - | 73 | - | Trench Field Stop | - | 48 nC | 120 A | 37ns/112ns | 1.05mJ (on), 1.03mJ (off) | - | - | 103 ns | - | IGBT Transistors | - | - | - | - | - | - | - | ||
| RGS80TS65DHRC11 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипNGP15N41CLGAnlielectronics Тип | ON Semiconductor |
ON SEMICONDUCTOR NGP15N41CLG IGBT Single Transistor, 15 A, 440 V, 107 W, 440 V, TO-220, 3 Pins
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Through Hole | Through Hole | TO-220-3 | - | 3 | - | 4.535924g | SILICON | - | - | - | - | 440V | 3V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 300V, 6.5A, 1k Ω | - | -55°C~175°C TJ | Tube | 2005 | - | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | Tin (Sn) | - | - | - | - | - | 410V | 107W | - | - | - | 260 | - | 15A | 40 | NG*15N41CL | 3 | - | - | - | - | Single | 107W | COLLECTOR | Logic | - | - | AUTOMOTIVE IGNITION | - | 4ns | N-CHANNEL | - | 440V | 15A | - | TO-220AB | - | - | - | - | 5700 ns | 2.2V @ 4V, 10A | - | - | 15500 ns | - | - | - | 50A | -/4μs | - | 15V | 2.1V | - | 15000ns | - | 6.35mm | 6.35mm | 25.4mm | No | No SVHC | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| NGP15N41CLG | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипAPT80GA90SAnlielectronics Тип | Microchip Technology |
IGBT PT MOS 8 SINGLE 900 V 80 A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | - | - | D3PAK | - | - | APT80GA90 | Microchip Technology / Atmel | - | 900 V | - | 2.5 | 145 A | 239 A | 145 A | 1 | - | - | Microchip | - | - 20 V, + 20 V | + 150 C | Microchip Technology | - 55 C | - | SMD/SMT | - | - | - | - | - | - | Tube | - | - | - | 625 W | Active | - | - | - | - | - | 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | IGBTs | - | - | Si | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Single | - | 625 | - | Standard | - | 625 W | - | - | - | - | IGBT Transistors | - | - | - | - | 900 V | - | - | - | - | 3.1V @ 15V, 47A | - | 145 | - | PT | - | 200 nC | 239 A | 18ns/149ns | 1.625mJ (on), 1.389mJ (off) | - | - | - | - | IGBT Transistors | - | - | - | - | - | - | - | ||
| APT80GA90S | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSTGWT20H60DFAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 32 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | Through Hole | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | 600V | 2V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 400V, 20A, 10 Ω, 15V | - | -55°C~175°C TJ | Tube | - | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | 167W | - | - | - | - | - | - | - | STGWT20 | - | - | - | - | - | Single | 167W | - | Standard | - | - | - | - | - | - | - | 600V | 40A | 90ns | - | - | - | - | - | - | 2V @ 15V, 20A | - | - | - | Trench Field Stop | - | 115nC | 80A | 42.5ns/177ns | 209μJ (on), 261μJ (off) | - | - | - | - | - | 20.1mm | 15.8mm | 5mm | No | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| STGWT20H60DF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипSTGP30V60DFAnlielectronics Тип | STMicroelectronics |
IGBT 600V 60A 258W TO220AB
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 20 Weeks | - | Through Hole | Through Hole | TO-220-3 | - | 3 | - | - | SILICON | - | - | - | - | 600V | 2.35V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 400V, 30A, 10 Ω, 15V | - | -55°C~175°C TJ | Tube | - | - | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | 258W | - | - | - | - | - | - | - | STGP30 | - | - | - | - | - | Single | 258W | COLLECTOR | Standard | - | - | POWER CONTROL | - | - | N-CHANNEL | - | 600V | 60A | 53ns | TO-220AB | - | - | - | - | 59 ns | 2.3V @ 15V, 30A | - | - | 225 ns | Trench Field Stop | - | 163nC | 120A | 45ns/189ns | 383μJ (on), 233μJ (off) | 20V | - | - | - | - | 15.75mm | 10.4mm | 4.6mm | No | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| STGP30V60DF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипRJP4002ANS-00#Q1Anlielectronics Тип | Renesas Electronics America Inc |
IGBT
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Renesas Electronics America Inc | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | Active | - | - | - | Non-Compliant | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| RJP4002ANS-00#Q1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипFGD3040G2Anlielectronics Тип | ON Semiconductor |
IGBT 400V 41A 150W DPAK
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | 400V | - | - | - | 41A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | 175°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 300V, 6.5A, 1k Ω, 5V | - | - | Tape & Reel (TR) | - | EcoSPARK® | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | - | Tin (Sn) | - | - | - | - | - | - | 150W | - | SINGLE | GULL WING | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | FGD3040 | - | R-PSSO-G2 | - | 7000ns | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | - | - | COLLECTOR | Logic | - | - | AUTOMOTIVE IGNITION | - | - | N-CHANNEL | - | 1.25V | 23.2A | - | - | - | - | - | - | - | 1.25V @ 4V, 6A | - | - | - | - | - | 21nC | - | -/4.8μs | - | 14V | 2.2V | - | 15000ns | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| FGD3040G2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIRG4BC10SPBFAnlielectronics Тип | Infineon Technologies |
IGBT 600V 14A 38W TO220AB
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Through Hole | Through Hole | TO-220-3 | - | 3 | TO-220AB | - | - | - | - | - | - | 600V | 1.58V | - | - | 14A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 480V, 8A, 100Ohm, 15V | - | -55°C~150°C TJ | Tube | 2007 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | 150°C | -55°C | - | - | - | 600V | 38W | - | - | - | - | - | 14A | - | - | - | - | - | - | - | Single | 38W | - | Standard | - | 38W | - | - | 28ns | - | - | 1.8V | 14A | - | - | 600V | - | - | - | - | 1.8V @ 15V, 8A | - | - | - | - | - | 15nC | 18A | 25ns/630ns | 140μJ (on), 2.58mJ (off) | - | - | - | - | - | - | - | - | No | No SVHC | RoHS Compliant | Lead Free | ||
| IRG4BC10SPBF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIKA08N65ET6XKSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
HOME APPLIANCES 14
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 16 Weeks | - | - | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | NO | - | - | - | SILICON | - | - | - | - | - | - | - | - | 11A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 400V, 5A, 47 Ω, 15V | - | -40°C~175°C TJ | Tube | 2008 | TrenchStop™ | e3 | - | Active | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | Tin (Sn) | - | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE | - | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | R-PSFM-T3 | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | ISOLATED | Standard | - | 33W | POWER CONTROL | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | 43ns | TO-220AB | 650V | - | - | - | 30 ns | 1.9V @ 15V, 5A | - | - | 147 ns | Trench Field Stop | - | 17nC | 25A | 20ns/59ns | 110μJ (on), 40μJ (off) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IKA08N65ET6XKSA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIGP30N65F5XKSA1Anlielectronics Тип | Infineon Technologies |
IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 16 Weeks | - | Through Hole | Through Hole | TO-220-3 | - | - | - | 6.000006g | SILICON | - | - | - | - | 650V | 1.6V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 400V, 15A, 23 Ω, 15V | - | -40°C~175°C TJ | Tube | 2013 | TrenchStop™ | e3 | yes | Active | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | Tin (Sn) | - | - | - | - | - | - | 188W | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | R-PSFM-T3 | - | - | - | Single | - | COLLECTOR | Standard | - | 188W | POWER CONTROL | Halogen Free | - | N-CHANNEL | - | 650V | 55A | - | TO-220AB | - | - | - | - | 28 ns | 2.1V @ 15V, 30A | - | - | 206 ns | Trench | - | 65nC | 90A | 19ns/170ns | 280μJ (on), 70μJ (off) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| IGP30N65F5XKSA1 |
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